专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]受光元件-CN201510419547.X有效
  • 菊地真人武;中路雅晴;竹村亮太;山路和树 - 三菱电机株式会社
  • 2015-07-16 - 2017-11-21 - H01L31/0224
  • 本发明的目的在于提供一种受光元件,该受光元件能够加快响应速度,并且能够防止正极电极与负极电极的短路。本发明的受光元件具备第1导电型的衬底;第1导电型的光吸收层,其在该衬底上形成,与该衬底相比带隙较小;第2导电型的扩散层,其在该光吸收层的一部分上形成;第1导电型的窗口层,其在该光吸收层上以包围该扩散层的方式形成,与该光吸收层相比带隙较大;正极电极,其在该扩散层上形成;以及负极电极,其在该衬底上,以不与该窗口层和该光吸收层接触,而与该衬底接触的方式设置,该受光元件形成有槽,该槽在俯视观察时包围该扩散层与该窗口层之间的边界,在剖视观察时贯通该窗口层和该光吸收层。
  • 元件
  • [发明专利]半导体受光元件以及光模块-CN201110147386.5无效
  • 菊地真人武 - 三菱电机株式会社
  • 2011-06-02 - 2011-12-07 - H01L31/0216
  • 本发明涉及能够防反光不良的半导体受光元件。n型InP衬底(32)具有彼此对置的表面和背面。在n型InP衬底(32)的表面上设置有n型InGaAs层(34)。该n型InGaAs层(34)具有比n型InP衬底(32)的带隙小的带隙。在n型InGaAs层(34)上设置有n型InP层(36)。在n型InP层(36)的一部分上设置有p型区域(40)。阴极电极(42)与n型InP层(36)连接,阳极电极(44)与p型区域(40)连接。在n型InP衬底(32)的背面上设置有低反射膜(46)。n型InP衬底(32)的背面是入射光的受光面。不在n型InP(32)的背面设置针对入射光的反射率比低反射膜(46)高的物质或者结构。
  • 半导体元件以及模块

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