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[发明专利]用于改善中心-边缘之间的台阶差和LER的I-线用负性光致抗蚀剂组合物、及用于改善工艺余裕的I-线用负性光致抗蚀剂组合物-CN202180064462.8在审
发明人：李秀珍;崔映喆;李昇炫;李昇勋 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种相比于现有的I‑线用负性光致抗蚀剂显示出优异的工艺余裕的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物。在接触孔(Contact hole)图案的情况下，目的在于改善图案形成时中间部分凹陷的问题。涉及一种在半导体工艺的图案形成工艺中用于改善中间部分凹陷的中心‑边缘之间的台阶差和LER(Line and Edge Roughness：线边缘粗糙度)的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物，所述I‑线用负性光致抗蚀剂组合物为由聚合物树脂、由下述化学式1表示的化合物、交联剂、光致产酸剂、酸扩散抑制剂及溶剂组成的组合物。
用于改善中心边缘之间台阶 ler 线用负性光致抗蚀剂组合工艺余裕

[发明专利]极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法-CN202180054452.6在审
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。所述工艺液体组合物由0.00001至0.01重量％的氟系表面活性剂，0.00001至小于0.001重量％的由化学式(1)表示的图案增强剂，0.00001至0.01重量％的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质，及余量的水组成。
紫外光刻用工液体组合利用图案形成方法

[发明专利]用于调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法-CN202180057994.9在审
发明人：李昇勋;李昇炫;金胜焕;陈昇吾 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。所述蚀刻用组合物包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水，其表现出以下显著效果：根据半导体制造工艺的各种湿式蚀刻工艺，能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15而使用。
用于调节氮化蚀刻选择组合利用方法

[发明专利]半导体晶片清洗液组合物及利用其的清洗方法-CN202080019528.7有效
发明人：李昇勋;李昇炫;金胜焕;陈昇吾 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C11D1/825 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体器件制造中使用的半导体晶片清洗用组合物及利用其的半导体晶片清洗方法，本发明的半导体晶片清洗用组合物由以化学式1及化学式2形成的表面活性剂、无机酸或有机酸、余量的水组成，本发明的半导体晶片清洗方法是使半导体晶片浸渍于清洗用组合物100至500秒的方法。根据本发明的清洗用组合物及清洗方法在半导体器件制造用晶片表面的研磨工艺中，提供针对污染物质，特别是，对有机蜡显著增大的去除效率及有效的清洗力，从而使晶片表面高度清洁，表现出能够制造高可靠度的半导体元件的效果。
半导体晶片清洗组合利用方法

[发明专利]半导体制造工艺中用于形成微细硅图案的新型蚀刻方法-CN201980009723.9有效
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种用于在半导体制造工艺中体现大纵横比的微细硅图案的工艺，涉及一种处理得在有机碳膜层选择地附着耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法，本发明的以湿式蚀刻形成图案的方法在形成CD小的图案时，不对数μm深度的蚀刻对象物的活性区域造成损伤地进行蚀刻，从而表现出提供微细图案形成方法的效果。
半导体制造工艺用于形成微细图案新型蚀刻方法

[发明专利]EUV用感光性光刻胶微细图案形成用显影液组合物-CN201880021974.4有效
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造工艺中EUV(Extreme Ultraviolet：远紫外线)用显影液组合物，更详细而言，涉及一种在显影时能够降低Eop并更均匀地形成图案的微细图案形成用显影液组合，涉及一种EUV(Extreme Ultraviolet)用微细图案形成用显影液组合物，其特征在于，包括：以化学式1表示的水溶性聚合物、以化学式2表示的非离子性表面活性剂及碱性化合物。
euv 感光性光刻微细图案形成显影液组合

[发明专利]高耐蚀刻性旋涂式碳硬掩膜组合物以及利用该组合物的图案化方法-CN201780063653.6有效
发明人：金起洪;李秀珍;李昇炫;李昇勋 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明为了提供有用于半导体光刻工艺的具有高耐蚀刻性的硬掩膜组合物，提供包含二苯并咔唑(dibenzo carbazole)聚合物的旋涂式硬掩膜组合物以及通过旋涂将该组合物进行涂敷于被蚀刻层上部的工艺以及烘烤工艺形成硬掩膜层的图案化方法，本发明的硬掩膜具有能够承受多重蚀刻(mutil etch)过程的高耐蚀刻性、优秀的溶解度特性以及机械特性的效果。
蚀刻性旋涂式碳硬掩膜组合以及利用图案方法

[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物-CN202080018653.6有效
发明人：李昇勋;李昇炫;金胜焕;陈昇吾 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物。所述蚀刻组合物由无机酸、环氧(Epoxy)系硅化合物及水组成，本发明的蚀刻组成物具有能够最小化下部金属膜质的损伤和氧化硅膜的蚀刻，并能够选择性地去除氮化硅膜的效果。
氮化蚀刻组合

[发明专利]光致抗蚀剂图案缩小组合物与图案缩小方法-CN201780038755.2有效
发明人：李昇勋;李昇炫;李秀珍;金起洪 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在半导体制造工艺中提供利用光致抗蚀剂可缩小(Shrink)光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案缩小用组合物与利用该组合物的图案缩小方法，在形成光致抗蚀剂图案时，缩小要形成的图案，大幅度减少半导体制造工艺的工艺数量，不仅如此还节省制造时间以及制造成本。
光致抗蚀剂图案缩小组合方法

[发明专利]氧化硅膜研磨用浆料组合物及使用其的研磨方法-CN202080018652.1有效
发明人：李昇勋;李昇炫;金胜焕 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C11D7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法，更具体地，通过去除作为研磨材料的硅溶胶的ζ电位(Zeta potential)和金属杂质提高氧化硅膜的研磨性能并最小化刮伤缺陷，可以通过调节添加剂和研磨材料的含量来自由地调节对氧化硅膜、氮化硅膜及多晶硅膜的选择性比以进行研磨，从而提供一种能够有效地应用于去除氧化硅膜的段差的半导体工艺及需要相对于氮化硅膜选择性地去除氧化硅膜及多晶硅膜的半导体制造工艺中的CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法。
氧化研磨浆料组合使用方法

[发明专利]化学放大型负性光致抗蚀剂组合物-CN201780029609.3有效
发明人：李昇勋;李昇炫;李秀珍;崔映喆 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及化学放大型负性光致抗蚀剂组合物，更详细地说，公开了包含特定有机酸添加物，因此相比于现有的负性光致抗蚀剂改善短波长曝光光源中的工艺裕度，适合应用于半导体工艺的化学放大型负性光致抗蚀剂组合物。
化学大型负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法-CN202080068084.6在审
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本申请发明涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为75°以上的疏水性。更详细地，本申请发明涉及一种工艺液体组合物，所述工艺液体组合物由0.00001至0.1重量％的氟系表面活性剂，0.00001至1.0重量％的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质，及余量的水组成，且表面张力为45mN/m以下，接触角为65°以下。
光刻用工液体组合利用图案形成方法

[发明专利]切割油组合物-CN201880033099.1有效
发明人：李昇勋;李昇炫;金胜焕;咸庆国 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C10M169/02 文献下载
摘要：本发明涉及切割油组合物，用于提供一种分层、分散性、粘度、锯切后晶锭清洗时间、锯切后晶片弯曲程度相比于以往切割油组合物显著优异的切割油组合物，本发明的切割油组合物首先是高度氢化处理的以化学式1至化学式3表示的矿物油和增粘剂为膨润土(Bentonite clay)、分散剂为甘油三油酸酯(Glycerine trioleate)的切割油组合物，且涉及利用这种切割油组合物进行切割的方法。
切割组合

[发明专利]光刻用工艺液体组合物及使用其的图案形成方法-CN202080051572.6在审
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请发明涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为70°以上的疏水性。更详细地，本申请发明涉及一种工艺液体组合物，所述工艺液体组合物由0.00001至0.1重量％的氟系表面活性剂、0.0001至0.1重量％的烃系阴离子表面活性剂、0.0001至0.1重量％的碱性物质、及99.7至99.99979重量％的水组成，且表面张力为40mN/m以下，接触角为60°以下。
光刻用工液体组合使用图案形成方法

[发明专利]高厚度旋涂式碳硬掩膜组合物及利用其的图案化方法-CN202080026081.6在审
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 -专利权人： 荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：为了提供在半导体光刻工艺中有用的具有高厚度的硬掩膜组合物，本发明提供一种旋涂式硬掩膜组合物及对其组合物通过旋涂涂覆在被蚀刻层上部进行涂覆的工艺及进行烘烤工艺而形成硬掩膜层的图案化方法。根据本发明的硬掩膜，由优异的溶解度特性而具有表现出高厚度、能够承受多重蚀刻过程的高耐蚀刻性及优异的机械特性的效果。
厚度旋涂式碳硬掩膜组合利用图案方法

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