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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]化合物和使用了该化合物的光电转换元件-CN202180061226.0在审
发明人：阿部柾律;荒木贵史;西美树;吉川荣二 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明提供一种下述式(I)所表示的新的半导体材料。A1‑B1‑A1(I)(式(I)中，A1表示吸电子性基团，B1表示包含由单键连结而构成π共轭系的2个以上的结构单元的2价基团，该2个以上的结构单元中的至少一个为下述式(II)所表示的第1结构单元，并且该第1结构单元以外的剩余的第2结构单元为包含不饱和键的2价基团、亚芳基或杂亚芳基)。(式(II)中，Ar1、Ar2、Y和R如说明书中所定义。)
化合物使用光电转换元件

[发明专利]光检测元件、包含其的传感器和生物体认证装置、以及组合物和油墨-CN202180024384.9在审
发明人： G·费拉拉;荒木贵史;大关美保 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供暗电流比小的光检测元件。解决手段为一种光检测元件，其包含第一电极、第二电极、以及设置于上述第一电极与上述第二电极之间的有源层，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述p型半导体材料包含具有‑5.45eV以下的HOMO的聚合物，上述n型半导体材料包含非富勒烯化合物。优选上述p型半导体材料中包含的上述聚合物包含具有给电子性的结构单元DU和具有受电子性的结构单元AU，上述非富勒烯化合物包含具有给电子性的部分DP和具有受电子性的部分AP。
检测元件包含传感器生物体认证装置以及组合油墨

[发明专利]光检测元件-CN202180024405.7在审
发明人： G·费拉拉;荒木贵史;大关美保 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的课题在于降低暗电流。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从上述n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去p型半导体材料的HOMO的能级的绝对值而得到的值为0.35以下。此外，上述n型半导体材料的HOMO与p型半导体材料的HOMO之差优选为0～0.10eV，p型半导体材料优选为包含下式(I)所表示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，Ar1和Ar2表示具有或不具有取代基的3价芳香族杂环基或者具有或不具有取代基的3价芳香族碳环基，Z表示下述式(Z‑1)～式(Z‑7)所表示的基团。)
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN202180024466.3在审
发明人： G·费拉拉;荒木贵史;大关美保 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的课题在于提高比检测率。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去上述p型半导体材料的HOMO的能级的绝对值而得到的值(ΔEA)与从上述n型半导体材料的LUMO的能级的绝对值减去上述p型半导体材料的LUMO的能级的绝对值而得到的值(ΔEB)之和的值(ΔEA+ΔEB)为大于0且小于0.88的范围。
检测元件

[发明专利]高分子化合物、组合物、油墨和光电转换元件-CN202180012511.3在审
发明人： 荒木贵史 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供在用于光电转换元件的情况下在波长1000nm以上的特定波长范围能够实现高EQE的高分子化合物。一种高分子化合物，其包含式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元。(式中，X1、X2各自独立地表示硫原子或氧原子，Z表示氮原子或‑C(Ra)＝所表示的基团，R1、R2、R3和Ra如说明书中所记载。)，另外，高分子化合物可以包含式(1)所表示的结构单元与式(2)所表示的结构单元直接键合而成的单元。
高分子化合物组合油墨光电转换元件

[发明专利]光电转换元件-CN202080067923.2在审
发明人：西美树;荒木贵史;G·费拉拉 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提高耐热性。一种光电转换元件，其为包含阳极(12)、阴极(16)、和设置于该阳极与该阴极之间的有源层(14)的光电转换元件(10)，其中，有源层包含n型半导体材料和p型半导体材料，n型半导体材料为下述式(I)所示的化合物，p型半导体材料为包含下述式(II)所示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，R1和R2如说明书中所定义。)(式(II)中，Ar1、Ar2和Z如说明书中所定义。)
光电转换元件

[发明专利]光电转换元件-CN201980017398.0在审
发明人：古川大祐;荒木贵史 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提高光电转换元件的SN比。光电转换元件(10)具备：阳极(12)、阴极(16)、设置于阳极和阴极之间的活性层(14)、以及设置于阳极和活性层之间的空穴传输层(13)，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV。
光电转换元件

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