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[发明专利]存储器及其制作方法、电子设备-CN202210372858.5在审
发明人： 范人士;卜思童;方亦陈;丁士成;刘晓真 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器及其制作方法、电子设备。存储器包括晶体管、以及设置于晶体管的电容器。电容器包括多个导体层和多个氧化层。上述导体层和氧化层沿远离晶体管的第一方向交替设置。电容器还包括贯穿导体层和氧化层的通道孔。通道孔的内部设置有导体柱。导体柱与通道孔的内壁之间设置有铁电层。导体柱与晶体管电性连接。铁电层与导体层电性连接。每个导体层与相邻的导体柱形成电容，相邻两个电容的电容值相等，从而可以使存储器中每个存储单元的电容值相同，以稳定存储器中“0”和“1”的读取窗口，保证电路功能的准确性，进而改善存储器的稳定性。
存储器及其制作方法电子设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备-CN202210357044.4在审
发明人： 范人士;郭朵;卜思童;方亦陈;丁士成;景蔚亮;谭万良;王正波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在如何提高三维存储器的存储密度。该半导体结构包括外围堆叠层、电容器、第一接触柱和第一信号线，外围堆叠层包括层叠设置的多个膜层对，膜层对包括第一介质层和栅极层，多个膜层对形成多个台阶。电容器包括第一电极和第二电极。第一接触柱位于第一目标台阶的上方，且一端与形成第一目标台阶的膜层对中的栅极层电连接，第一目标台阶为多个台阶中的一个台阶。第一信号线与第一接触柱的另一端电连接，第一信号线被配置为向栅极层传输第一电压信号，栅极层被配置为形成第一电极。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法三维存储器电子设备

[发明专利]铁电存储器及垂直结构晶体管-CN202280003570.9在审
发明人：林琪;范人士;刘晓真;赵思宇;丁士成;方亦陈;卜思童 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电存储器，包括：衬底；字线，源极线，位线和控制线；在竖直方向上堆叠的第一铁电电容、第一晶体管和第二晶体管；第一铁电电容包括第一电极和第二电极；第二电极在第一铁电电容的下端和/或上端暴露；第一晶体管的第一极与源极线连接，第二极与位线连接，栅极与第二电极接触；第一晶体管的沟道层沿竖直方向设置，第一晶体管的栅极形成第一晶体管的上端和/或下端；第二晶体管的栅极与控制线连接，第二极与位线连接，第一极与第二电极或第一晶体管的栅极接触；第二晶体管的沟道层沿竖直方向设置，第二晶体管的第一极形成第二晶体管的上端或下端。该铁电存储器具有较高的存储密度。
存储器垂直结构晶体管

[发明专利]一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法-CN201910280264.X有效
发明人：李桢旻;杜高明;范人士;王晓蕾;邢琨;邓宸 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H04L12/931 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法，其电路包括，一个终级重排序电路和n个次级重排序电路；终级重排序电路设置在片上网络的计算节点与通信节点之间；次级重排序电路设置在片上网络任意两个通信节点之间；终级重排序电路和次级重排序电路均包括：输入缓存模块、重组缓存模块；重组缓存模块是由读取模块、序列生成模块、判断模块、存储模块、直接输出模块和缓存输出模块组成；其中，终级重排序电路还包括：数据包拆包模块。本发明相对于传统排序电路，能够同时排序与输出数据，排序速度快速，功耗较低，片上网络负载均衡。
一种应用于网络级数可变排序电路方法