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[发明专利]MEMS器件-CN202310391403.2在审
发明人： H-J·蒂姆;S·巴曾;M·富尔德纳;S·盖勒;M·F·赫曼;M·基里亚克;A·C·奥纳兰;K·特卡丘克;A·沃瑟 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及MEMS器件。MEMS器件包括以竖直间隔配置的第一可偏转膜结构、刚性电极结构和第二可偏转膜结构，其中刚性电极结构被布置在第一和第二可偏转膜结构之间，并且其中第一和第二可偏转膜结构各自包括可偏转部分，并且其中第一和第二可偏转膜结构的可偏转部分借助机械连接元件彼此机械耦合，并且与刚性电极结构机械解耦；以及其中机械连接元件的至少一个子集是细长机械连接元件，其中细长机械连接元件具有横向截面区域，横向截面区域沿着如下方向具有横向伸长尺寸：该方向与第一和第二可偏转膜结构在相应细长机械连接元件的横向位置处的局部膜偏转梯度在+/‑20°公差范围内垂直。
mems 器件

[发明专利]具有受控并联直流-直流转换器的限制电路-CN202310457434.3在审
发明人： P·J·弗兰克;S·施密德;W·J·斯拉姆尼希 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R1/36 文献下载
摘要：公开了一种用于提供用于电测试至少一个被测器件(102)的受限电流和/或受限电压的限制电路(100)，其中，所述限制电路(100)包括：多个直流‑直流转换器(104)，其彼此并联连接，每个直流‑直流转换器(104)被供给电输入直流电压(UDCin)，并且每个直流‑直流转换器(104)被配置成用于提供经转换的电输出电流(Iout)，所述经转换的电输出电流(Iout)要被前送到用于接触所述至少一个被测器件(102)的电触点(106)中的指定一个；以及控制装置(108)，其被配置成用于控制所述直流‑直流转换器(104)，以限制所述电输出电流(Iout)和/或与所述电输出电流(Iout)相关的电输出电压(Uout)。
具有受控并联直流转换器限制电路

[发明专利]功率半导体模块装置和用于制造功率半导体模块装置的方法-CN202310443744.X在审
发明人： A·阿伦斯;M·戈尔达默 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：一种功率半导体模块装置包括：外壳，所述外壳包括侧壁、盖和一个或多个突起；衬底，所述衬底布置在外壳内部或形成外壳的底部；多个电气或导电部件，所述多个电气或导电部件布置在衬底上；以及密封剂，所述密封剂部分地填充外壳的内部，从而覆盖衬底，其中一个或多个突起中的每一个在垂直方向上从外壳的盖朝向衬底延伸，其中垂直方向是垂直于衬底和盖的方向，所述一个或多个突起中的每一个的下端布置在多个电气或导电部件中的单独一个的正上方，或者布置在多个电气或导电部件中的单独一个周围的限定半径内，其中限定半径小于2mm，并且其中，突起的下端是背对盖并朝向衬底的端部，并且密封剂具有大致平坦的表面并形成一个或多个隆起，其中，一个或多个隆起中的每一个包围多个电气或导电部件中的不同的一个的上端，并且包围一个或多个突起中的相应一个的下端，其中，电气或导电部件的上端是背对衬底并朝向盖的端部。
功率半导体模块装置用于制造方法

[发明专利]用于颗粒测量的半导体装置和用于运行半导体装置的方法-CN202310414133.2在审
发明人： K·伊利安;L·海策尔;F·梅宝勒;M·埃贝尔;T·穆勒;A·亚尔迈尔;D·德比;C·格赫雷玛尼;J·波尔;C·伊尔冈 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于颗粒测量的半导体装置(10)，具有空腔壳体(G)和布置在空腔壳体(G)内的MEMS芯片(20)。壳体(G)具有第一开口(O1)，经由第一开口使空腔与周围环境连接并且在第一开口中布置有第一栅格(12)，第一栅格通过置于第一电势而适于从周围环境吸引颗粒(P)和/或使颗粒带电。MEMS芯片(20)具有朝向第一开口(O1)的膜片(M1)，所述膜片通过置于第二电势而适于吸引颗粒(P)。本申请还涉及一种用于运行半导体装置的方法，该半导体装置具有空腔壳体(G)和布置在空腔壳体(G)内的MEMS芯片(20)。
用于颗粒测量半导体装置运行方法

[发明专利]飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法-CN202310462828.8在审
发明人： H·塔迪肯;D·奥芬贝格;T·R·皮纳帕;S·罗腾豪斯 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开涉及一种飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法。该飞行时间传感器包括至少一个像素，该至少一个像素包括：硅基的光电流收集结构和在光电流收集结构上外延生长的锗基的光敏结构，其中所述光电流收集结构包括n掺杂区和p掺杂区，其中所述n掺杂区被配置为将光电流的电子传导到至少一个n接触部，并且其中所述p掺杂区被配置为将光电流的空穴传导到至少一个p接触部，并且其中p掺杂区中的导带包括针对光电流的电子的势垒，并且n掺杂区中的价带包括针对光电流的空穴的势垒。
飞行时间传感器制造方法

[发明专利]用于功率级模块和集成电感器的具有载体框架的功率级设备-CN202010089969.6有效
发明人： P·帕尔姆;赵应山 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种功率设备包括：框架，所述框架具有电绝缘材料、电绝缘材料中的开口、以及延伸穿过电绝缘材料的电导体。固定在开口中的功率级模块具有在功率级模块的第一侧处的输出端子、以及在功率级模块的与第一侧相对的第二侧处的电源端子、接地端子和多个输入/输出(I/O)端子。无源部件具有附接到功率级模块的输出端子的第一端子和附接到框架的电导体的第二端子。无源部件具有比功率级模块更大的占用面积。框架扩大功率级模块的占用面积，以容纳无源部件到功率设备的安装。框架具有比功率级模块更低的互连密度。
用于功率模块集成电感器具有载体框架设备

[发明专利]包括电流扩散区的半导体器件-CN202011015433.6有效
发明人： M·黑尔;R·埃尔佩尔特;T·甘纳;C·莱恩德茨 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提出了一种半导体器件(100)。半导体器件(100)包括碳化硅半导体本体(102)。第一导电类型的第一屏蔽区(104)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第一表面(108)处的第一接触(106)。第二导电类型的电流扩散区(110)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第二表面(114)处的第二接触(112)。第一屏蔽区(104)和电流扩散区(110)形成pn结(116)。电流扩散区(110)的掺杂浓度分布包括沿着垂直于第一表面(108)的竖向方向(y)的多个峰。多个掺杂峰(P1、P2、P3、P4)中的一个峰或一个峰组(P1)的掺杂浓度比电流扩散区(110)的多个峰中的任何其它峰(P2、P3、P4)的掺杂浓度大至少50%。电流扩散区(110)的一个峰或一个峰组(P1)与第一表面(108)之间的第一竖向距离(vd1)大于第一表面(108)与第一屏蔽区(104)的最大掺杂峰之间沿竖向方向(y)的第二竖向距离(vd2)。
包括电流扩散半导体器件

[发明专利]电子设备、胎压监控系统和方法-CN201910298992.3有效
发明人： D·I·波伊纳鲁 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本公开涉及使用备份固件映像的低功率设备恢复。例如，本文所述的一些示例可涉及经由无线传输接收将被安装在电子设备的主存储器中的固件代码更新，确定固件代码更新没有被成功接收；基于确定固件代码更新没有被成功接收，确定电子设备的辅存储器包括固件映像；以及在主存储器中安装来自辅存储器的备份固件映像，以向电子设备提供功能的集合。
电子设备监控系统方法

[发明专利]具有最佳参考路径长度的光声气体传感器-CN201911212607.5有效
发明人： H·托伊斯 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本公开涉及具有最佳参考路径长度的光声气体传感器。例如，光声气体传感器可包括检测器部件。检测器部件包括限定参考体积的封装。参考体积容纳参考气体。检测器部件包括压力感测元件，以测量参考体积中的压力的量。参考体积中的压力的量取决于参考体积中的参考气体对光的波长的吸收。测量参考体积中的压力的量时的压力感测元件的灵敏度取决于与参考体积相关联的参考路径的长度。检测器部件包括参考路径结构，其使得参考路径的长度小于或等于0.5毫米。
具有最佳参考路径长度声气传感器

[发明专利]具有凝胶填充的微机电系统（MEMS）元件的机械应力去耦-CN201911319665.8有效
发明人： D·迈因霍尔德;F·布兰德尔;R·格林贝格尔;W·朗海因里希;S·卢贝;R·迈耶;B·温克勒 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
具有凝胶填充微机系统 mems 元件机械应力

[发明专利]带补偿调整的开关模式电源-CN202010078709.9有效
发明人： P·米拉内西;R·彭佐 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05B45/325 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及带补偿调整的开关模式电源。一种用于控制开关模式电源(SMPS)的控制器电路，其被配置成接收负载控制信号，该负载控制信号在负载要被耦合到SMPS时指示开启状态，并且在负载不要被耦合到SMPS时指示关断状态。响应于负载控制信号从开启状态转换为关断状态，控制器电路被配置成生成第一测量输入电压。响应于负载控制信号从关断状态转换为开启状态，控制器电路被配置成生成第二测量输入电压。控制器电路被配置成使用第一测量输入电压和第二测量输入电压来驱动在补偿元件处的补偿电压，并且在驱动补偿电压之后，使用该补偿电压选择性地切换SMPS。
补偿调整开关模式电源

[发明专利]相变材料开关器件和相关方法-CN202310425202.X在审
发明人： V·索罗姆克;D·海斯;S·斯罗伊茨因 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供了一种相变材料开关器件。该相变材料开关器件包括相变材料(11)、电耦合到相变材料(11)的第一电极(13A)和热耦合到相变材料(11)的至少一个加热器(12)。均衡器件(14)被提供以被配置为在第一电极(13A)与相变材料(11)之间提供阻抗耦合。阻抗耦合随相变材料(11)而变化。
相变材料开关器件相关方法

[发明专利]半导体包封体强度加强器-CN202310356747.X在审
发明人： G·特罗斯卡;H·哈通 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本文公开了一种半导体包封体强度加强器。一种半导体模块包括：功率电子载体，其包括设置在电绝缘基板上的结构化的金属化层；功率半导体管芯，其安装在功率电子载体上；外壳，其在功率电子载体之上包围内部体积；增强结构，其被包含在内部体积内并且包括流体可及的纹理表面；一定体积的可固化的包封体，其设置在内部体积内并且包封功率半导体管芯，其中，增强结构嵌入在一定体积的可固化的包封体内，使得纹理表面附着到包封体，并且其中，增强结构具有比可固化的包封体的拉伸强度大的拉伸强度。
半导体包封体强度加强

[发明专利]硅麦克风中的对数放大器-CN202310427987.4在审
发明人： J·L·塞巴洛斯;F·西西奥蒂;D·斯特雷尤斯尼格;A·韦斯鲍尔 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03G7/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及硅麦克风中的对数放大器。对数放大器包括：可编程增益放大器，各自具有不同增益，其中可编程增益放大器中的每个可编程增益放大器的输入被耦合到对数放大器的输入；以及求和电路，具有多个输入，该求和电路的多个输入被耦合到每个可编程增益放大器的对应输出，并且具有输出，该求和电路的输出被耦合到对数放大器的输出，其中求和电路生成具有分段线性段的对数传递函数。
麦克风中的对数放大器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010098360.5有效
发明人： O·霍尔菲尔德 -专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：包括电介质绝缘层(110)以及布置在所述电介质绝缘层(110)的第一侧上的至少第一金属化层(111)的半导体衬底(10)，其中，所述第一金属化层(111)包括至少两个区段，每个区段通过凹陷(14)与相邻区段隔开；布置在所述第一金属化层(111)的所述区段之一上的半导体主体(20)；以及布置在所述半导体主体(20)的第一侧(L1、L2、B1、B2)和所述第一金属化层(111)的相应区段的最近边缘之间的至少一个凹痕(30)，其中，所述第一侧(L1、L2、B1、B2)与所述第一金属化层(111)的所述区段的最近边缘之间的距离(d1、d2)处于0.5mm和5mm之间。
半导体装置及其制造方法

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