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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有石墨芯的复合晶片及其制造方法-CN201510782054.2有效
发明人： R.贝尔格;H.格鲁贝尔;W.莱纳特;G.鲁尔;R.弗尔格;A.莫德;H-J.舒尔策;K.凯勒曼;M.佐默;C.罗特迈尔;R.鲁普 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有石墨芯的复合晶片及其制造方法。根据一个实施例，一种复合晶片包括具有石墨层的载体基板以及附着到载体基板的单晶半导体层。
复合晶片载体基板单晶半导体层石墨层石墨芯附着制造

[发明专利]电池单元-CN201510182941.6有效
发明人： W.布罗伊尔;K.埃利安;W.罗斯勒 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：公开了一种电池单元。本发明教导了一种电池单元，该电池单元包括可在第一位置和第二位置之间切换的第一切换构件，其中，在第一切换构件的第一位置，电池组的第一电极（14）被连接到电池单元（10）的第一端子（14A）。在第一切换构件（18）的第二位置，第一电极（14）被与第一端子（14A）分离。电池单元（10）可以进一步包括控制单元（20）以便控制第一切换构件（18）的切换。可选地，可以存在第二切换构件（22），一旦响应于电池单元（10）的临界状态而将第一端子（14A）与第一电极（14）分离，则第二切换构件（22）提供在第二电极（16）和第一端子（14A）之间的旁路。
电池单元

[发明专利]晶片和切割晶片的方法-CN201110349848.1有效
发明人： J.巴斯卡兰;G.米科利;F.斯特芬;A.瓦特 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及晶片和切割晶片的方法。一种包括多个芯片的晶片，所述芯片中的每一个通过包括减小了宽度的切口线区域彼此隔开。
晶片切割方法

[发明专利]数据通信系统中的重新传输-CN201310089705.0无效
发明人： B.黑斯;M.霍瓦特;G.谢德尔贝克;D.肖普迈耶 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2008-10-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H04L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了数据通信系统中的重新传输。本发明涉及一种方法包括接收数据包；将该数据包分割成多个数据片段；为多个数据片段的每一个或为多个数据片段的一组提供标识；将该多个数据片段从第一收发器单元发送到第二收发器单元；从第二收发器单元传送重新传输请求到第一收发器单元，该请求包含一个或多个标识；在第一收发器单元处理该重新传输请求，以便基于所述一个或多个标识来识别一个或多个数据片段；以及重新传输所述一个或多个被识别出的数据片段。
数据通信系统中的重新传输

[发明专利]延迟级、环形振荡器、PLL电路和方法-CN201210521743.4无效
发明人： E.塞勒 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明公开了延迟级、环形振荡器、PLL电路和方法。一种用于半导体器件的延迟级包括至少一个延迟分支和至少一个可控开关装置，所述至少一个可控开关装置将预定义数量的所述至少一个延迟分支连接到电源电压。
延迟环形振荡器 pll 电路方法

[发明专利]耦合设备、处理器装置、数据处理装置、传输数据的方法-CN201110453608.6有效
发明人： D.伯格曼;C.埃本;E.拉巴里 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明的实施例总体上涉及耦合设备、处理器装置、数据处理装置以及传输数据的方法。在本发明的实施例中，提供了用于耦合存储器与处理器的耦合设备，所述存储器具有串行数据输出，所述处理器具有并行数据输入。所述耦合设备可以包括接收数据的串行数据接口、发送数据的并行数据接口以及所述到所述串行数据接口和所述并行数据接口的高速缓冲存储器，其中所述高速缓冲存储器被配置为接收和存储已通过所述串行数据接口以串行数据格式接收的数据，并将存储在所述高速缓冲存储器中的数据传送给所述并行数据接口。
耦合设备处理器装置数据处理传输数据方法

[发明专利]长时间退火的集成电路装置及其制造方法-CN201210069965.7有效
发明人： O.奥贝尔;W.哈塞;M.霍默尔;H.科纳 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明尤其涉及通过长时间退火可去除通路板或者通路盖层上的阻挡材料的方法。同时或作为替代，该长时间退火是一种使用阻挡材料(110)涂覆轨迹(106)的简单和直接的方法。
长时间退火集成电路装置及其制造方法

[发明专利]传输数据的方法-CN201110362998.6有效
发明人：崔荧男 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2004-08-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H04W28/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于从发射机向接收机传输数据的方法，其中该方法按照通用移动电信系统标准、简称UMTS标准工作。另外本发明还涉及与此相应的通信系统和计算机程序产品。为了改进按照UMTS标准的数据传输方法使得该数据传输加速，建议在MAC层平面上用带内信令发送对UMTS基站（BS）重要的信息。
传输数据方法

[发明专利]用于功率调节的电路装置和方法以及放大器设备-CN201110232578.6有效
发明人： A.贝利特泽;M.费尔特根;G.L.普马;C.维思 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于功率调节的电路装置和方法以及放大器设备。一种用于功率调节的电路装置，包括用于馈入电平值的信号输入端（1），用于输出控制值的信号输出端（2），用于馈入功率控制字的控制输入端（3），和补偿装置（10）。补偿装置（10）耦合到信号输入端（1）、信号输出端（2）和控制输入端（3），并且被设置根据功率控制字从电平值获得控制值。在这种情况下，所述获得包括确定电平值与取决于功率控制字的期望值的偏差，还包括与取决于功率控制字的补偿因数相乘。
用于功率调节电路装置方法以及放大器设备

[发明专利]用于在基材上制备多功能介电层的方法-CN201110048655.2无效
发明人： J·赫尔内德;M·施维尔德;T·格贝尔;A·米切尔;H·克尔纳;M·霍梅尔 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于在基材上，特别是在基材上的裸露金属条导体系统上制备多功能介电层的方法。本发明的目的在于提供一种用于铜条导体的多功能钝化层的方法，该方法易于实施并提供了改善的电迁移、应力迁移和改善的结合。根据本发明，这一目的通过在裸露金属条导体(3)的整个表面沉积额外金属层(5)得以实现。随后将所述金属层至少部分转化成非导电性的金属氧化物，介电层。
用于基材制备多功能介电层方法

[发明专利]在传输中无数据丢失的普通卷积交织器深度的无缝改变-CN201010286497.X有效
发明人： B·海塞 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2005-11-16 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H03M13/27 文献下载
摘要：本发明提供了在其中通信信道上的脉冲噪声被监控的方法和通信系统，并且根据所监控的脉冲噪声在不中断通信服务的条件下对交织器深度进行调整。
传输数据丢失普通卷积交织深度无缝改变

[发明专利]制造多个半导体器件的方法和设备-CN201010230664.9无效
发明人： B·-H·姜 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及制造多个半导体器件的方法和设备。一种方法，包括提供包括多个腔体的载体的步骤；在每个腔体内布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体；以及移除该载体。
制造半导体器件方法设备

[发明专利]具有抗ESD电容器的集成电路布置和相应的制造方法-CN200910174780.0有效
发明人： K·埃斯马克;H·戈斯纳;C·鲁斯;J·施奈德 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在n沟槽(20)中包含电容器(12)的电路布置(10)。电容器(12)的特定极化确保耗尽区在沟槽(20)中形成，并且电容器(12)具有高的ESD抗性。一种可选存在的辅助掺杂层(26)确保尽管在高的ESD抗性情况下电容器的高面积电容。
具有 esd 电容器集成电路布置相应制造方法

[发明专利]长时间退火的集成电路装置及其制造方法-CN200910007885.7有效
发明人： O·奥贝尔;W·哈塞;M·霍默尔;H·科纳 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明涉及长时间退火的集成电路装置及其制造方法。本发明尤其涉及通过长时间退火可去除通路板或者通路盖层上的阻挡材料的方法。同时或作为替代，该长时间退火是一种使用阻挡材料(110)涂覆轨迹(106)的简单和直接的方法。
长时间退火集成电路装置及其制造方法

[发明专利]点到点仅单播的分组交换系统的组播/广播扩展-CN200680013947.X有效
发明人： V·卡达姆比;J·林 -专利权人： 英飞凌科技股份公司
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H04L12/56 文献下载
摘要：一种用于通过设备的单播分组交换网络来路由组播分组的方法和系统。定义包括组播分组的目的地设备的虚拟目的地群组，然后将该虚拟目的地群组映射为设备的路由表中的未使用的单播目的地编码。然后，使用路由表将组播分组从源设备路由到目的地设备。
到点仅单播分组交换系统广播扩展

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