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[发明专利]电镀纳米铜晶粒的方法-CN202280006464.6在审
发明人：张芸;董培培;王靖 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：在衬底上电镀纳米铜晶粒的方法包括：提供衬底；提供包含铜盐、酸、整平剂、氯化合物、促进剂、抑制剂和水的电镀液；并在室温下在电镀液中电镀衬底而形成纳米铜晶粒。抑制剂为聚醚多元醇化合物，纳米铜晶粒平均粒子大小约为100nm，纳米铜晶粒电阻率约为1.78～1.90μOhm·cm。还公开了一种按照所述方法制备的纳米铜晶粒。
电镀纳米晶粒方法

[发明专利]提高硅太阳能电池中镍铜镀层与基底附着力的电镀工艺-CN202210497610.1在审
发明人：张星星;王靖;张芸 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高硅太阳能电池中镍铜镀层与基底附着力的电镀工艺，包括选取用于制备具有良好导电性的金属镍层的电镀镍镀液体系；选取用于制备低内应力的电镀铜层的电镀铜镀液体系；然后利用上述电镀镍镀液体系、电镀铜镀液体系及对应电镀工艺，在硅太阳能电池的硅片上依次制备有具有良好导电性的金属镍层和低内应力的电镀铜层，获得硅太阳能电池的高附着力镍铜集流电极；所制备的金属镍层能与硅太阳能电池硅片形成良好的欧姆接触；所制备的电镀铜层的内应力小于6.89MPa。本发明可以提高硅太阳能电池中镍铜镀层与硅基底的附着力，使电镀技术更好地替代传统丝网印刷工艺，在满足高性能低成本的前提下，更好地满足新型高效电池的需求。
提高太阳能电池中镍铜镀层基底附着力电镀工艺

[发明专利]一种弱碱电镀液及其应用-CN201910598780.7有效
发明人：张芸;董培培;张星星;王靖;赵威 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种弱碱电镀液及其应用，包括基础电镀液和添加剂，焦磷酸铜在基础电镀液中的浓度为50‑100g/L，焦磷酸钾在基础电镀液中的浓度为200‑380g/L，氨水在基础电镀液中的浓度为0.5‑8mL/L，焦磷酸调节基础电镀液的pH值为7‑9；添加剂包括如下组分：光亮剂在电镀液中的浓度为1‑20mL/L，辅助络合剂在电镀液中的浓度为1‑10mL/L。本申请实施例中的弱碱电镀液的电流密度可以达到1‑10A/dm2，电镀高度可以达到5‑150μm，镀层均匀性优秀等特点，并且不含任何有害化合物，绿色环保，特别适用于形状复杂电子元件，可以实现对直径为5‑500μm的电子元件进行电镀铜。
一种弱碱电镀及其应用

[发明专利]酸铜整平剂及其应用、铜电镀溶液及其制备方法-CN201910224263.3有效
发明人：张芸;董培培;张星星;赵威;王靖 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C07C211/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种酸铜整平剂及其应用、铜电镀溶液及其制备方法。所述酸铜整平剂的分子结构式为：其中，X为Cl‑、Br‑、I‑、SO42‑；A1，A2，A3，A4为取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳烷基中的一种或几种；B1，B2，B3，B4为H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂芳烷基、取代或未取代的五元环、取代或未取代的五元杂环、取代或未取代的六元环、取代或未取代的六元杂环中的一种或两种；R为O或S；n取1‑10000。上述酸铜整平剂解决了芯片封装过程中在电镀铜得到的铜层上电镀锡银或纯锡时形成柯肯达尔孔洞，导致芯片封装的热、机械和电气可靠性差的问题。
酸铜整平剂及其应用电镀溶液制备方法

[发明专利]具有扭曲带状无序缠绕微观结构的电解铜箔及其制备方法-CN201810226778.2有效
发明人：张芸;董培培;马涛;王靖;张星星 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有扭曲带状无序缠绕微观结构的电解铜箔及其制备方法，该电解铜箔的晶粒呈现出具有明显的扭曲带状无序缠绕结构，即具有长轴方向和短轴方向，且其长轴方向和短轴方向都存在一定程度的扭曲；该电解铜箔通过直流电镀工艺来制备，所需要的电镀溶液包括基础溶液和电镀添加剂，其中基础溶液为硫酸铜、硫酸以及微量氯离子，电镀添加剂选用新型酸铜加速剂、新型酸铜抑制剂和非染料新型酸铜整平剂。本发明创造性地利用新型电镀添加剂，并采用直流电镀的方法成功制备出晶粒中具有扭曲带状无序缠绕微观结构的电解铜箔，降低了制备难度和生产成本，提高了生产效率，电镀出的铜层材料具有良好的力学性能，具有较强的拉伸强度和延展性。
具有扭曲带状无序缠绕微观结构电解铜箔及其制备方法

[发明专利]线圈的制备方法及线圈-CN201910223675.5有效
发明人：张芸;赵威;董培培;张星星;王靖 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种线圈的制备方法及线圈。该方法基于预处理的基板进行，基板包括基板主体和线圈单元，线圈单元的下端面固定在基板主体的上端面上，线圈单元包括铜线绕制而成的铜线圈，相邻两圈铜线之间填充有光阻，方法包括以下步骤：第一次电镀：利用第一电镀液在铜线圈上进行第一次镀铜；除光阻：利用光阻清洗液除去光阻，暴露出光阻下方的基板主体表面的金属层；去底铜：利用铜腐蚀液去除铜层，暴露出铜层下方的镍铬合金层；去镍铬合金层：利用镍铬合金腐蚀液去除镍铬合金层；第二次电镀：利用第二电镀液在铜线圈上进行第二次镀铜，完成制备。本申请解决了现有的线圈制备方法无法制备性能优良的窄线宽、窄线距、高厚度的线圈的技术问题。
线圈制备方法

[发明专利]制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法及其应用-CN201611037366.1有效
发明人：张芸;朱自方;马涛;陈路明;王靖 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法，属于半导体晶圆级封装领域。本发明的具有择优取向生长结构的铜层包括晶圆基底、粘附层、铜籽晶层和电镀铜层，所述电镀铜层具有Z轴择优取向生长结构。本发明利用传统的直流电镀技术采用非染料系整平剂在晶圆基底上制备具有Z轴择优取向生长结构的电镀铜层，所述电镀铜层在X轴和Z轴方向上的腐蚀反应速率不同，硬度不同，拉伸强度不同。
制备具有择优取向生长结构镀铜方法及其应用

[发明专利]一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法-CN201611037367.6有效
发明人：张芸;王靖;朱自方;马涛;陈路明 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法，其铜晶体颗粒为柱状晶粒，并呈现垂直于衬底方向的择优取向，该微观结构通过直流电镀来制备，所需要的电镀溶液包括基础溶液和镀铜添加剂两部分。本发明采用了普通的直流电镀，不需要脉冲电镀，能在较高的电流密度下制备，同时实现择优取向程度的可控，本发明降低了设备成本，可以选用常规的电镀设备，并可以获得优异的微观结构，从而大幅度降低生产成本。
择优取向制备铜晶体微观结构直流电镀衬底方向电镀溶液电镀设备基础溶液脉冲电镀设备成本柱状晶粒常规的镀铜可控添加剂垂直

[发明专利]应用于微电子的整平剂、整平剂组合物及其用于金属电沉积的方法-CN201480061804.0有效
发明人：张芸;马涛;董培培;朱自方;陈晨 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C07D311/84 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于电沉积金属的整平剂化合物。所述化合物为式(I)的化合物或其盐：
应用于微电子整平剂组合及其用于金属沉积方法

[发明专利]一种具有热力学各向异性的金属材料及其制备方法-CN201811090322.4在审
发明人：张芸;王靖;董培培;张星星 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C25D3/00 文献下载
摘要：一种具有热力学各向异性的金属材料，Z轴方向的硬度和X、Y轴方向硬度存在明显的差异，Z轴方向的蚀刻量是X轴或Y轴方向的蚀刻量的2~5倍，Z轴方向热膨胀系数为50×10^‑6/K‑1000×10^‑6/K，X轴或Y轴方向热膨胀系数为5×10^‑6/K‑100×10^‑6/K。其制备方法如下，首先，称取金属电镀盐类作为电镀的金属主盐，并选用对应的酸作为导电剂，将金属主盐与导电剂混合作为电镀基础溶液；然后，称取一定量的电镀添加剂；接着，将电镀添加剂与电镀基础溶液混合，配制成对应金属体系的电镀溶液；最后，采用直流电镀工艺，将电镀样品在一定的电流密度下电镀。该金属材料具有良好的热力学各向异性，尤其在热膨胀系数及抗蚀刻性方面明显。
电镀金属材料热力学方向热膨胀系数电镀添加剂基础溶液金属主盐导电剂蚀刻量称取制备热膨胀系数采用直流电镀工艺电镀溶液金属电镀金属体系抗蚀刻性配制

[发明专利]一种应用于微电子的整平剂组合物及其用于金属电沉积的方法-CN201480000564.3有效
发明人：张芸;马涛;董培培 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C07D311/84 文献下载
摘要：本公开涉及一种电沉积金属技术中用到的整平剂组合物。该组合物包含式(I)的化合物
一种应用于微电子整平剂组合及其用于金属沉积方法

[发明专利]一种山梨醇酐棕榈酸酯的应用-CN201510521496.1在审
发明人：马涛;陈晨;朱自方;董培培;张芸 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种山梨醇酐棕榈酸酯的应用，所述山梨醇酐棕榈酸酯应用于酸性镀铜工艺，以取代传统工艺中所使用的润湿剂、整平剂和光亮剂中的一种或两种。本发明通过对酸性镀铜工艺中的传统添加剂进行构效分析，寻求到山梨醇酐棕榈酸酯分子这一类具有多重性能的添加剂分子，它同时兼具有上述三种传统添加剂的特性，但经过电化学分析和电镀实验证明，它又不能归类于润湿剂、整平剂或光亮剂中的任何一种。这种新型添加剂分子可以取代传统光亮镀铜体系中成本较高或相对性能不稳定的成分，或者可以构造两剂光亮镀铜体系，这样能够有效降低客户的使用和维护成本，促进非染料体系光亮镀铜工艺的发展并为其新理论模式的建立开辟更广阔的可能性空间。
一种山梨棕榈应用

[发明专利]一种酸铜整平剂的应用-CN201310731443.3有效
发明人：马涛;董培培;张芸 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸铜整平剂的应用，所述酸铜整平剂的分子结构式如图。其中，阴离子X=Cl^-或Br^-；R1=O或S或N；R2,R3,R4=H、烷基、烯基、芳烷基、杂芳烷基、取代烷基、取代烯基、取代芳烷基或取代杂芳烷基中的一种；所述的酸铜整平剂应用于可调表面形貌晶圆电镀中。本发明在不同于以往染料型整平剂的基础上，设计并开发了一种水溶性较好，无色无毒，环境友好的新型酸铜整平剂分子，通过与传统整平剂或其他具有整平作用的分子复配，作为酸铜电镀中的复合整平剂，实现了在同一化学体系下，通过对复合整平剂分子浓度比例的调配，实现了铜电镀表面形貌的有效控制，能够满足不同工艺的需求。
一种酸铜整平剂应用

[发明专利]一种非染料系整平剂的应用-CN201310731859.5有效
发明人：董培培;马涛;张芸 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种非染料系整平剂的应用，所述整平剂的分子结构式如图。其中阴离子X=Cl^-或Br-^；R1=O或S或N；R2,R3,R4=H、烷基、烯基、芳烷基、杂芳烷基、取代烷基、取代烯基、取代芳烷基或取代杂芳烷基中的一种，所述的整平剂应用于酸铜电镀工艺。本发明在充分理解酸性镀铜整平剂分子特性和作用机理的基础上，寻求并设计了具有特殊官能团，在分子结构和属性上不同于以往传统整平剂的分子。这类整平剂分子具有水溶性好，无色无毒，对人体无害，操作范围较宽等优点。规避以及克服了传统染料系整平剂的缺陷，促进了非染料系酸铜工艺的发展。
一种染料系整平剂应用

[发明专利]一种快速判断电镀添加剂性能的方法-CN201310307313.7有效
发明人：马涛;张芸 -专利权人： 苏州昕皓新材料科技有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C25D21/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速判断电镀添加剂性能的方法，本发明的方法是在含有同一份添加剂的镀液中进行多次无差别条件的电镀，通过比较连续几次电镀试样的外观形貌、电镀效率等参数来判断所用添加剂的稳定性。通过该方法的运用，可以快速地判断出不同的电镀添加剂的稳定性等性能，不需要价格昂贵的设备或仪器，成本低，对添加剂的性能判断效果好，判断效率高，可以大幅降低电镀客户的添加剂使用成本，帮助客户保证电镀质量。该方法的应用范围广，不仅限于酸性镀铜体系，对于其他金属溶液电镀体系均适用。
一种快速判断电镀添加剂性能方法

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