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- [发明专利]半导体器件及制造方法-CN201810731422.4有效
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裴风丽
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苏州捷芯威半导体有限公司
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2018-07-05
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2023-08-08
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H01L29/778
- 本申请实施例提供的半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括：衬底；设置于所述衬底上的半导体层；设置于所述半导体层远离所述衬底一侧的隔离层；设置于隔离层上的源极和漏极，所述源极和漏极与所述隔离层欧姆接触；以及设置在所述隔离层上的栅极和至少一个接地或经过接地处理的接地浮栅。通过在源极与漏极之间设置至少一个接地或经过接地处理的接地浮栅，避免浮栅中的漏电流对浮栅产生的电场尖峰峰值的影响，从而使基于电场尖峰的电场积分增大，提高半导体器件的工作电压，从而提高半导体器件的整体可靠性。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件及制造方法-CN201810559316.2有效
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裴风丽
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苏州捷芯威半导体有限公司
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2018-06-01
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2023-07-18
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H01L29/778
- 本申请实施例提供的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的半导体层；半导体层上设置有源极、栅极和漏极，其中源极和漏极与半导体层欧姆接触；栅极与漏极之间，及栅极与源极之间设置有介质层，所述介质层位于所述半导体层之上；栅极与半导体层及栅极与介质层之间设置有隔离层。通过在栅极与漏极之间，及栅极与源极之间设置介质层，并在栅极与半导体层，及栅极与介质层之间设置隔离层。通过上述设置的隔离层将在制造半导体器件过程中残留在所述介质层表面的污染物或空隙与所述栅极隔离开，大大增强了栅极能承受的电压和器件承受的击穿电压，提高半导体器件的整体可靠性。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]单级升压型逆变电路及其控制模块-CN202110181646.4在审
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胡茂;裴轶;朱永生
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苏州捷芯威半导体有限公司
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2021-02-08
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2022-08-16
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H02M7/5387
- 本发明实施例公开了一种单级升压型逆变电路及其控制模块。单级升压型逆变电路包括：储能软开关模块、同步整流模块、逆变桥模块和输出滤波模块；储能软开关模块的开关输入端接入输入直流电源；同步整流模块的整流输入端与储能软开关模块的开关输出端电连接；逆变桥模块的第一电源端和第二电源端连接于高压直流电源的两端，第一输出端与第一整流输出端电连接，第二输出端与第二整流输出端电连接；输出滤波模块的第一滤波输入端与逆变桥模块的第一输出端电连接，第二滤波输入端与逆变桥模块的第二输出端电连接，第一滤波输出端和第二滤波输出端之间连接负载。本发明实施例降低了单级升压型逆变电路中的电磁干扰、降低了电路损耗。
- 升压型逆变电路及其控制模块
- [发明专利]一种驱动电路和桥式电路-CN202110183682.4在审
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胡茂;裴轶;朱永生
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苏州捷芯威半导体有限公司
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2021-02-08
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2022-08-16
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H02M1/088
- 本发明实施例公开了一种驱动电路和桥式电路，驱动电路包括：第一驱动回路、第二驱动回路和下降沿延时电路单元；第一驱动回路包括第一开关管、第二开关管、第三开关管；第一开关管的第一极接入第一电源信号，第一开关管的控制极与第二开关管的控制极电连接，第一开关管的第二极与第二开关管的第一极电连接，第二开关管的第二极与第三开关管的第一极电连接，第三开关管的控制极与第一开关管的控制极电连接，第三开关管的第一极与待驱动的开关管的控制极电连接；下降沿延时电路单元的输入端接入驱动控制信号，下降沿延时电路单元的输出端与第一开关管的控制极电连接。本发明实施例提供的驱动电路和桥式电路，能够提高驱动能力。
- 一种驱动电路
- [发明专利]电源变换装置、电源变换系统-CN202011176201.9在审
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胡茂;裴轶;朱永生
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苏州捷芯威半导体有限公司
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2020-10-28
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2022-05-03
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H02M7/487
- 本发明公开了一种电源变换装置、电源变换系统。电源变换装置包括直流电源、第一滤波网络、第一防逆流模块、第二防逆流模块、第一开关网络、第一母线电容、第二母线电容、第二开关网络、第一电磁隔离模块、第二电磁隔离模块和第二滤波网络；第一开关网络包括依次串联于正母线与负母线之间的第一主开关、第二主开关、第二辅助开关和第一辅助开关；第二开关网络包括依次串联于正母线与负母线之间的第三主开关、第四主开关、第四辅助开关和第三辅助开关；第一母线电容的第一端与正母线电连接，第二端与第二母线电容的第一端电连接，第二母线电容的第二端与负母线电连接。本发明利用简单的电路实现高可靠性及稳定性的三电平电源变换装置。
- 电源变换装置系统
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