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[发明专利]调整机构、取放系统及其操作方法-CN202210053398.X在审
发明人：陈衍成;江俊亿;苏冠玮 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本发明公开一种调整机构、取放系统及其操作方法，其中该取放系统包含一移动机构、一调整机构及一夹取机构。调整机构包含一第一结合件、一第二结合件及一驱动组件。第一结合件装设于移动机构。第二结合件可活动地设置于第一结合件。驱动组件用以连接于第一结合件与第二结合件，以带动第一结合件相对第二结合件活动。夹取机构装设于调整机构的第二结合件。
调整机构系统及其操作方法

[发明专利]半导体结构和其制造方法-CN202211046548.0在审
发明人：林玉珠;江文智;任啟中;苏明宏;苏美甄;李家纬;苏冠玮;盘家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开所述的一些实施方式提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点。第一端点包括形成在基板上的穿隧层、形成在穿隧层上的第一导电结构和形成在第一导电结构的顶表面和第一弯曲侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至基板的第二端点。第二端点包括形成在隔离结构上的第二导电结构。第二导电结构具有第二弯曲侧表面，以及介电质结构设置在第一弯曲侧表面和第二弯曲侧表面之间。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体结构和其制造方法-CN202211054961.1在审
发明人：林玉珠;江文智;任啟中;苏明宏;苏美甄;李家纬;苏冠玮;盘家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本文描述的一些实施方式提供一种半导体结构和其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点，其中第一端点包括形成在基板上的穿隧层的第一部分和形成在穿隧层的第一部分上的第一栅极。半导体结构包括耦合至基板并且邻近于第一端点的第二端点，其中第二端点包括形成在基板上的穿隧层的第二部分、形成在穿隧层的第二部分上的第二栅极和形成在第二栅极的顶表面和侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至绝缘结构并且邻近于第二端点的第三端点，其中第三端点包括形成在绝缘结构上的第三栅极。
半导体结构制造方法

[发明专利]钻削系统及其方法-CN201911334847.2有效
发明人： 苏冠玮;盖震宇;潘楷明;江俊亿 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B26F1/16 文献下载
摘要：本发明公开一种钻削系统及其方法，其中该钻削系统包括进刀控制模块、力量控制模块、破孔控制模块、转换模块与运算单元。进刀控制模块设定进刀力量阈值以及进刀速度阈值，以供运算单元判断是否满足第一转换条件。破孔控制模块设定钻穿力量阈值以及钻穿速度阈值，以供运算单元判断是否满足第二转换条件。转换模块根据第一转换条件及第二转换条件的判断结果，通知改变进刀力量与进给速度。力量控制模块则提供该进刀力量。通过本系统以缓冲钻削刀具在刚接触工件与刚钻穿工件时因为阻抗变化而对工件的冲击。
系统及其方法

[发明专利]机械手臂校正系统及机械手臂校正方法-CN202011579295.4在审
发明人：江俊亿;陈衍成;张仲尹;苏冠玮;杨棨证 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：一种机械手臂校正系统与机械手臂校正方法。此方法包括下列步骤：定位机械手臂的末端点在三维空间中的位置，以计算器械手臂操作时末端点的实际运动轨迹；撷取机械手臂的多个连杆参数，并利用粒子群算法随机产生包括连杆参数的多个补偿项的多组粒子，将每一组粒子的补偿项加上对应的连杆参数后导入顺向运动学，以计算末端点的适应运动轨迹；计算每一组粒子的适应运动轨迹与实际运动轨迹的位置误差，并用以计算粒子群算法的适应值以评估群体最佳位置；以及使用群体最佳位置对应的粒子的补偿项更新连杆参数。
机械手臂校正系统方法

[发明专利]用于改进层间介电层形貌的方法-CN201910211341.6在审
发明人： 苏冠玮;黄俊育;林志勋;谢炳邦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开了用于改进层间介电(ILD)层形貌的方法和产生的集成电路器件。示例性方法包括在晶圆的第一区域上方形成具有第一厚度的第一接触蚀刻停止层，在晶圆的第二区域上方形成具有第二厚度的第二接触蚀刻停止层，并且在第一接触蚀刻停止层和第二接触蚀刻停止层上方形成ILD层。在第一区域和第二区域之间存在第一形貌变化。第二厚度与第一厚度不同，以实现小于第一形貌变化的第二形貌变化。第一形貌变化可以由设置在第一区域中的晶圆上方的第一栅极结构与设置在第二区域中的晶圆上方的第二栅极结构之间的高度差引起。本发明的实施例还涉及用于改进层间介电层形貌的方法。
接触蚀刻停止层形貌变化晶圆第二区域第一区域形貌栅极结构改进层集成电路器件高度差介电层介电