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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]MEMS水平谐振式磁强计-CN200910131270.5无效
  • 尤政;胡穆之;杨建中 - 清华大学
  • 2009-04-13 - 2009-09-16 - G01R33/02
  • 本发明公开了传感器制造技术领域中的一种MEMS水平谐振式磁强计。技术方案是，MEMS水平谐振式磁强计的表头芯片由硅片和玻璃基底组成，硅片通过硅-玻璃阳极键合方式制作在玻璃基底表面；硅片由可动结构和固定结构组成，可动结构包括3个谐振梁和2或4组对称的梳齿电容极板；固定结构包括2或4组固定于玻璃基底的梳齿电容极板；谐振梁上表面制作有SiNx绝缘层；SiNx绝缘层上表面制作有金属导线层；玻璃基底表面制作10个金属极板；金属极板的宽大部分压焊引出10根电容检测导线；金属导线层两侧宽大部分通过压焊引出驱动电流导线。本发明的表头芯片内部结构层次分明，便于加工；并且具有更好的线性度和可扩展性。
  • mems水平谐振磁强计
  • [发明专利]MEMS水平谐振式磁强计-CN200910077171.3无效
  • 尤政;胡穆之;杨建中 - 清华大学
  • 2009-01-19 - 2009-07-08 - B81C5/00
  • 本发明公开了传感器制造技术领域中的一种MEMS水平谐振式磁强计。技术方案是，MEMS水平谐振式磁强计的表头芯片由硅片和玻璃基底组成，硅片通过硅-玻璃阳极键合方式制作在玻璃基底表面；硅片由可动结构和固定结构组成，可动结构包括3个谐振梁和2或4组对称的梳齿电容极板；固定结构包括2或4组固定于玻璃基底的梳齿电容极板；谐振梁上表面制作有SiNx绝缘层；SiNx绝缘层上表面制作有金属导线层；玻璃基底表面制作10个金属极板；金属极板的宽大部分压焊引出10根电容检测导线；金属导线层两侧宽大部分通过压焊引出驱动电流导线。本发明的表头芯片内部结构层次分明，便于加工；并且具有更好的线性度和可扩展性。
  • mems水平谐振磁强计
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