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- [发明专利]具有静磁稳定软邻近层的叠层磁阻结构-CN98809370.7无效
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丁菊仁;薛松生;胡安·费尔南德兹;德卡斯脱罗;J·多莱西;P·J·瑞安
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西加特技术有限公司
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1998-09-22
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2000-11-08
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G11B5/39
- 本发明涉及综合了邻近接合结构与叠层结构优点的磁阻(MR)传感器(100)。邻近接合设计用于SAL(108)而叠层结构用于MR单元(120)。制造MR传感器(100)的方法包括将SAL(108)淀积在隔离层(106)顶面和将间隔材料(110)淀积在SAL(108)顶面的步骤。在间隔材料(110)与SAL(108)中央区域放置掩膜(130)。将未覆盖掩膜(130)的其他区域的间隔材料(110)与SAL(108)去除。随后在去除SAL(108)与间隔材料(110)的区域淀积下层材料(112)。在下层(112)顶面淀积硬偏磁材料(114)。在传感器(100)活性区域(132)间隔材料顶面和传感器惰性区域(134,136)的硬偏磁材料(114)顶面上去除掩膜(130)并淀积MR单元(120)。在传感器无源(134,136)和活性区域(132)的MR单元(120)顶面上淀积覆盖层(122)。在传感器惰性区域(134,136)覆盖层(122)顶面放置触点(124)。在另一本方法实施例中,加入其他材料以分隔硬偏磁材料(114)从而改进了信噪比。在第一硬偏磁材料(114)之后加入低电阻率材料(116)并在低电阻率材料(116)顶面上淀积第二硬偏磁材料(118)。在去除掩膜(130)之前淀积另外的材料。一旦去除掩膜(130),则按照第一实施例制造MR传感器(100)。
- 具有稳定邻近磁阻结构
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