专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]层叠体-CN202221111265.5有效
  • 上坪祐介;胜部毅;高田亮介 - 株式会社村田制作所
  • 2019-10-03 - 2022-11-01 - H05K1/03
  • 本实用新型提供一种层叠体,具备热塑性的第1树脂层、形成在该第1树脂层的一个主面的导体图案和热塑性的第2树脂层,其特征在于,所述第1树脂层比所述第2树脂层柔软,所述第1树脂层与所述第2树脂层相比,介电常数低,所述第1树脂层处于从层叠方向的两侧夹住所述导体图案的位置,所述第1树脂层在与所述导体图案相反侧的面具有沿着埋藏于该第1树脂层的所述导体图案的角部的第1凸部。
  • 层叠
  • [其他]层叠体-CN201990001051.2有效
  • 上坪祐介;胜部毅;高田亮介 - 株式会社村田制作所
  • 2019-10-03 - 2022-05-13 - H05K1/03
  • 层叠体(101)具备:以热塑性的第1树脂为主材料的层即第1树脂层(1);形成在该第1树脂层(1)的一个主面的导体层(3)所形成的图案;和以热塑性的第2树脂为主材料的层即第2树脂层(2)。第1树脂层(1)比第2树脂层(2)柔软,第1树脂层(1)与第2树脂层(2)相比介电常数低,导体层(3)所形成的图案至少局部地陷入第1树脂层(1),具有沿着第1树脂层(1)的层方向(X‑Y面)与第1树脂层(1)相接的部分、和沿着第1树脂层(1)、第2树脂层(2)以及导体层(3)所形成的图案的层叠方向(X‑Z面)与第1树脂层(1)相接的部分。
  • 层叠
  • [其他]树脂多层基板-CN201990001227.4有效
  • 上坪祐介;胜部毅;高田亮介 - 株式会社村田制作所
  • 2019-12-12 - 2022-01-07 - H05K1/02
  • 树脂多层基板(101)具备:层叠体(30),层叠包含第1树脂层(11、12、13)以及第2树脂层(21、22、23)的多个树脂层而成;过孔导体(V1、V2、V3、V11、V12、V13),形成于第1树脂层;和接合部(61、62、71、72),至少一部分形成于第2树脂层,并且与过孔导体接合。接合部(61、62、71、72)比过孔导体(V1、V2、V3、V11、V12、V13)脆。第2树脂层的线膨胀系数比过孔导体的线膨胀系数以及接合部的线膨胀系数大且比第1树脂层的线膨胀系数小。
  • 树脂多层
  • [其他]树脂多层基板以及电子设备-CN201990001237.8有效
  • 上坪祐介;高田亮介;胜部毅;仓谷康浩;多胡茂;古村知大 - 株式会社村田制作所
  • 2019-12-12 - 2022-01-07 - H05K1/02
  • 本实用新型提供一种树脂多层基板以及电子设备。树脂多层基板(101)具备:层叠体(30A),层叠树脂层(11a、12a、13a)以及粘接层(21a、22a、23a)而形成;过孔导体(V1、V2、V3、V4、V11、V12、V13),形成于树脂层;和接合部(61、62、71、72),形成于粘接层。接合部与至少一个过孔导体连接,并具有导电性。树脂层以及粘接层中的任一者是气体透过性比另一者高的气体高透过层,另一者是气体透过性比一者低的气体低透过层。接合部包含有机物或者每单位平截面积的空隙率比过孔导体高。接合部(61、62、71、72)的至少一部分与气体高透过层(树脂层(11a、12a、13a))相接。
  • 树脂多层以及电子设备
  • [发明专利]陶瓷多层基板-CN201680053352.0有效
  • 花尾昌昭;胜部毅;岸田和雄 - 株式会社村田制作所
  • 2016-09-14 - 2020-06-12 - H05K3/46
  • 陶瓷多层基板(100)具备:陶瓷绝缘体层(CL),包括第一层(1)、第二层(2)以及第三层(3),且构成为第一层(1)夹在第二层(2)与第三层(3)之间;内部图案导体(4);外部图案导体(5);以及外部电极(6A、6B)。陶瓷绝缘体层(CL)夹在内部图案导体(4)与外部图案导体(5)之间。生片状态下的第二层(2)单体以及第三层(3)单体的烧结收缩开始温度为生片状态下的第一层(1)单体的烧结收缩结束温度以上。陶瓷绝缘体层(CL)的厚度为5.0μm以上且55.7μm以下。第二层(2)的厚度与第三层(3)的厚度的合计相对于第一层(1)的厚度的比为0.25以上且1.11以下。
  • 陶瓷多层
  • [发明专利]陶瓷多层基板-CN201410441246.2有效
  • 胜部毅 - 株式会社村田制作所
  • 2014-09-01 - 2018-08-07 - H05K1/02
  • 本发明涉及能抑制烧制时的收缩的陶瓷多层基板,使高密度地配置有端子的元器件的安装成为可能,且能确保与该元器件的连接强度,并且能防止来自外部的水分进入到其内部。在对多个绝缘层(2a~2d)进行层叠、烧制而成的陶瓷多层基板(1)中,最表层的绝缘层(2a)包括:陶瓷层(3b);层叠在该陶瓷层(3b)上的收缩抑制层(3a);以及表层通孔导体(4a),该表层通孔导体(4a)贯通陶瓷层(3b)及收缩抑制层(3a),且形成为随着接近下层侧其前端变细的锥状,从形成陶瓷多层基板(1)的表面的收缩抑制层(3a)露出的端面与安装在陶瓷多层基板(1)的表面上的元器件的端子直接相连接,将收缩抑制层(3a)中含有的氧化铝的重量比率设定得比陶瓷层(3b)要高。
  • 陶瓷多层
  • [发明专利]陶瓷烧结体及其制造方法-CN201180008901.X有效
  • 元家真知子;鹫见高弘;胜部毅;守屋要一 - 株式会社村田制作所
  • 2011-02-01 - 2012-10-24 - C04B35/195
  • 本发明提供表现出高抗弯强度的多层陶瓷基板。作为构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷烧结体,使用下述陶瓷烧结体:包含石英、氧化铝、硅钛钡石、硅钡石和钡长石的各结晶相,用粉末X射线衍射分析法在衍射峰角度2θ=10~40°的范围内测得的上述硅钛钡石的(201)面的衍射峰强度A与上述石英的(110)面的衍射峰强度B的关系为A/B≥2.5。较好是上述硅钛钡石结晶相的平均结晶粒径为5μm以下。在用于获得这种陶瓷烧结体的烧成工序中,将最高温度设在980~1000℃的范围内。
  • 陶瓷烧结及其制造方法

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