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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]低粗糙度薄膜晶体管-CN202180081952.9在审
发明人： 肖恩·威廉·缪尔 -专利权人：非结晶公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管包括形成在非导电衬底上的栅电极。栅电极的顶面具有小于2nm的RMS粗糙度。厚度小于25nm的栅极绝缘体形成在栅电极上。厚度小于50nm的半导体材料形成在栅极绝缘体上。栅极绝缘体的平滑顶面促进半导体材料的平滑表面。
粗糙薄膜晶体管

[发明专利]非晶态金属热电子晶体管-CN201780042032.X有效
发明人： 肖恩·威廉·缪尔 -专利权人：非结晶公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：非晶多组分金属膜可以被用于改善电子装置(诸如电阻器、二极管和薄膜晶体管)的性能。具有共面发射极和基极电极的非晶态热电子晶体管(HET)提供优于现有垂直HET结构的电气特性和性能优点。所述晶体管的发射极和基极端子都形成在非晶态非线性电阻器的上晶体金属层中。发射极和基极彼此相邻并被间隙隔开。间隙的存在在晶体金属层与非晶态金属层之间引起双向福勒诺德海姆(Fowler‑Nordheim)隧穿和对称I‑V性能。同时，在相同层中形成所述发射极和基极端子通过减少图案化步骤的数量简化了HET制造过程。
晶态金属热电子晶体管

[发明专利]包括用于电子器件的非线性部件的电路-CN202180057535.0在审
发明人： 肖恩·威廉·缪尔 -专利权人：非结晶公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及可以形成在柔性基板上的显示电路系统。该电路系统包括分压器，该分压器由第一和第二非线性电阻型器件或以二极管构造耦接的第一和第二晶体管形成。该电路系统包括耦接到分压器的驱动薄膜晶体管。非线性电阻型器件可以包括为非晶金属或晶体金属的下电极。以二极管构造耦接的第一和第二晶体管可以具有作为非晶金属的下电极。上电极可以是晶体金属。驱动薄膜晶体管可以具有作为非晶或晶体金属的下电极。
包括用于电子器件非线性部件电路

[发明专利]非晶金属薄膜非线性电阻器-CN201680058239.1有效
发明人： 肖恩·威廉·缪尔 -专利权人：非结晶公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：非晶多组分金属膜(AMMF)可以用于改善例如电阻器、二极管及薄膜晶体管等电子元件的性能。AMMF的界面性能优于晶体金属膜，因此，AMMF和氧化膜界面处的电场更加均匀。AMMF电阻器(AMNR)可以构造为三层结构，包括非晶金属层、隧道绝缘体层和晶体金属层。通过修改材料的顺序、电极的图案及重叠区域的大小和数量，可以调节AMNR的I‑V性能特征。非共面AMNR具有五层结构，包括由金属氧化物隧道绝缘体层隔开的三个金属层，其中，使用非晶金属薄膜材料制造中电极。
金属薄膜非线性电阻器

[发明专利]用于基于二极管的显示器背板和电子显示器的方法和电路-CN201980087327.8在审
发明人： 肖恩·威廉·缪尔;克里斯托弗·哈罗德·科赫 -专利权人：非结晶公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：电子显示器包括多个像素，每个像素包括数据线、第一和第二选择线以及公共电极。控制电路元件包括耦合在第一和第二选择线与充电节点之间的第一和第二二极管状元件。充电电容元件耦合在充电节点和数据线之间。有源像素元件耦合在充电节点和公共电极之间。公共电极可以覆盖整个电子显示器，并且是合适的透明导电材料。第一和第二二极管状元件中的每一个包括非晶金属非线性电阻器。有源像素元件可以包括液晶显示电路、发光二极管电路和电泳电路之一。
用于基于二极管显示器背板电子方法电路

[发明专利]非晶金属薄膜晶体管-CN201980022121.7在审
发明人： 肖恩·威廉·缪尔 -专利权人：非结晶公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本文描述了各种非晶金属薄膜晶体管。这种晶体管的实施例包括在非导电衬底上形成的非晶金属栅极和沟道导体。这种晶体管的另外实施例包括在非导电衬底上形成的非晶金属源极、非晶金属漏极以及沟道导体。还描述了形成这种晶体管的方法。
金属薄膜晶体管

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