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[发明专利]侧壁弧度可控的复合图形化衬底、制备方法及LED外延片-CN202311007958.9在审
发明人：李佩文;康凯;肖兆威 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种侧壁弧度可控的复合图形化衬底、制备方法及LED外延片，该制备方法包括：提供一基底；在基底的一侧表面形成一层图形层，图形层包括在垂直基底所在平面的方向上依次层叠的多个膜层；在图形层的表面上形成光刻胶层，并对光刻胶层进行图案化，形成胶柱掩膜；根据胶柱掩膜，对图形层进行图形化，形成多个凸起微结构；其中，凸起微结构位于基底的一侧表面上，凸起微结构包括图形化的多个膜层，各膜层的侧壁的倾斜角度不同。利用上述方法，获得了侧壁弧度R值可控的凸起微结构，进而提高了复合图形化衬底的轴向出光效率，实现了一致性好和尺寸优的复合图形化结构，提高了LED芯片的光出射效率，提升了LED芯片的亮度。
侧壁弧度可控复合图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种图形化衬底的二次利用方法-CN202310209879.X在审
发明人：李佩文;肖兆威;卢建航 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底的二次利用方法。包括：提供待处理图形化衬底；待处理图形化衬底包括多个凸起结构，凸起结构包括由上至下层叠的第一部和第二部；将待处理图形化衬底置于干法刻蚀设备内，利用主刻蚀气体和辅刻蚀气体的混合气体对待处理图形化衬底进行干法刻蚀，以调节凸起结构呈目标形状；其中，辅刻蚀气体用于调节主刻蚀气体对第一部和/或第二部的刻蚀速率。本申请中，通过匹配干法刻蚀工艺中的刻蚀气体组分，合理利用辅刻蚀气体对刻蚀速率的辅助调节作用，采用一步干法刻蚀工艺即可对待处理图形化衬底进行二次处理，较大程度上缩短了图形化衬底的回收周期，有效提升图形化衬底的二次利用效率。
一种图形衬底二次利用方法