专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电荷泵电路-CN202310654062.3在审
  • 肖云钞;罗伟绍;赵双龙;陈建章 - 杭州晶华微电子股份有限公司
  • 2023-06-02 - 2023-10-03 - H02M3/07
  • 本发明提供了一种电荷泵电路,用于设备供电,包括依次连接的电荷泵核心电路和输出电压控制反馈电路,还包括均设置于电荷泵核心电路输出端的输出电压快速放电电路和输出电压高压钳位电路,输出电压快速放电电路在探测到电荷泵核心电路输出端VLCD电压的电阻分压高于设定参考电压时,通过自身比较器判读反馈来开启VLCD电压放电,基于电场效应下拉VLCD电压至设定阈值;输出电压高压钳位电路,当探测到电荷泵核心电路输出端VLCD电压高于设备工作电压与输出电压高压钳位电路导通电压的和时自动开启,基于电场效应将VLCD电压钳位到较低电压,能够避免给比如万用表等设备充电应用时高压发生黑屏等问题,保证设备正常工作,提高了整个电路的工作稳定性。
  • 一种电荷电路
  • [发明专利]量程自适应的电感测量电路、方法和万用表-CN202310530729.9在审
  • 周治富;肖云钞;凌月珍;陈志武 - 杭州晶华微电子股份有限公司
  • 2023-05-09 - 2023-08-08 - G01R15/08
  • 本申请涉及一种量程自适应的电感测量电路、方法和万用表,所述电路包括:连接在待测电感两端的信号发生电路以及量程切换电路,与信号发生电路以及量程切换电路连接的处理器;其中,信号发生电路用于输出交流电信号或直流电信号;量程切换电路用于量程切换;处理器用于根据信号发生电路输出交流电信号时待测电感对应的交流输入电阻以及信号发生电路输出直流电信号时待测电感对应的直流输入电阻,得到待测电感的电感值,并根据电感值控制量程切换电路以进行量程切换。采用本电路能够实现量程自适应的电感测量,解决了现有技术中手动调节量程电感检测效率低的问题,并且本电路结构简单,提高了生产测试的效率,降低工业成本。
  • 量程自适应电感测量电路方法万用表
  • [发明专利]半导体装置-CN202011537912.4有效
  • 肖云钞;陈建章;赵双龙 - 杭州晶华微电子股份有限公司
  • 2020-12-23 - 2022-05-17 - G05F1/56
  • 本公开的实施例涉及一种半导体装置。该半导体装置包括电压调节电路,该电压调节电路包括:功率晶体管,连接在电压输入端与接地端之间;第一偏置电路,具有用于提供第一偏置电压的第一输出节点,第一偏置电路包括在电压输入端与接地端之间串联连接的第一电流源和以二极管的方式连接的第一多个晶体管,其中第一输出节点连接在电流源和第一多个晶体管之间;第一晶体管,第一晶体管的栅极与第一输出节点连接并且通过输出节点从第一偏置电路接收第一偏置电压;以及第二晶体管,与第一晶体管串联连接在电压输入端与接地端之间,其中第一晶体管、第二晶体管,以及第一多个晶体管具有第一导电类型。本公开的半导体装置能够在宽的电压范围内有效工作。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置以及半导体集成电路-CN202011535181.X有效
  • 肖云钞;陈建章 - 杭州晶华微电子股份有限公司
  • 2020-12-23 - 2021-12-10 - G05F1/567
  • 本公开涉及半导体装置以及半导体集成电路。该半导体装置包括:第一参考电位和第二参考电位,第二参考电位高于第一参考电位;第一电流支路,包括依次耦合在第一参考电位与第二参考电位之间的第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管;以及第二电流支路,包括依次耦合在第一参考电位与第二参考电位之间的第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管,其中第二电流支路还包括耦合在第二NMOS晶体管的漏极与第二PMOS晶体管的漏极之间的第三NMOS晶体管,第三NMOS晶体管的栅极被耦合到第一偏置电位,第一偏置电位与第一参考电位之间的电位差保持固定。本公开可以有效改善半导体装置和半导体集成电路的工作性能。
  • 半导体装置以及集成电路
  • [发明专利]一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路-CN201710586967.6有效
  • 肖云钞 - 杭州晶华微电子股份有限公司
  • 2017-07-18 - 2021-05-04 - H03B5/36
  • 本发明公开一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路架构,主要包括双跨导晶振主电路、幅度控制辅助电路和输出驱动辅助电路。其中所述双跨导晶振主电路包括输入管、偏置输入管、放大器反馈电阻和桥接电容,能实现小面积和全MOS管及超低电压超低功耗;其中所述幅度控制辅助电路实现幅度控制;其中所述输出驱动辅助电路实现轨对轨的全摆幅输出,直接作为前端双跨导晶振模拟模块和数字模块的接口电路。本发明可解决现有技术中功耗较大和大电阻大面积等缺点,实现一种超低电压超低功耗的的全MOS自偏置晶体振荡器。
  • 一种电压功耗晶体振荡器电路

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