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[发明专利]具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件及制造方法-CN201610560122.5在审
发明人：黄文彬;吴文湖;林慧敏;赖锡标;陈建武 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件及其制造方法，该二极管元件是直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，及/或采用穿孔贯穿第一电极的正背面并导通后，经切割后即可形成一体积更小的晶粒尺寸封装二极管元件成品；由于本发明中的第一电极无须通过磊晶层或扩散层作导通，因此能避开内阻而降低顺向电压，并具备简化制程、提升质量、降低成本、以及让二极管元件更轻薄短小等诸多优点。
具备超低顺电压晶粒尺寸封装二极管元件制造方法

[发明专利]内建稳压晶片的覆晶式LED元件-CN201410133444.2在审
发明人：黄文彬;胡祖溪 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明是一种内建稳压晶片的覆晶式LED元件（Flip-Chip Type LED Components），是在内侧端相互隔离的二电极接脚的正面跨接一覆晶式LED晶片（Flip-Chip LED），两个电极接脚内侧端的反面跨接一覆晶式稳压晶片（Flip-Chip ZENER），其中，覆晶式稳压晶片及两个电极接脚的背面，在外部以绝缘材料包覆而形成一基座，且两个电极接脚的外侧端分别露出基座外以供外部电路电连接，而覆晶式LED晶片及两个电极接脚的正面，在外部则包覆有透明封装体，如此即形成一覆晶式LED元件；由于此LED元件的整体结构采用覆晶技术制成，并内建有稳压晶片，因此不但在使用上可以有效保护LED元件，在制造上还可以大幅简化制程并节省成本。
稳压晶片覆晶式 led 元件

[发明专利]掘井引流式二极管元件或二极管组件及其制造方法-CN201210051460.8有效
发明人：黄文彬;吴文湖;陈建武;赖锡标 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种掘井引流式(Well-through Type)二极管元件或二极管组件的制造方法，利用掘井方式穿过PN接面空乏/能障区后，利用金属化制作过程将二极管元件或二极管组件的两极建构在同一面上，并引导其中一极的电子无障碍地流经空乏/能障区；此外，本发明直接在晶片状态下做绝缘保护、金属化、长焊球等作业，即可完成独立元件或二极管组件的晶粒尺寸级封装(CSP)新技术。具有：晶粒就是成品、无接线、低耗能、低成本、轻薄短小等特色，能够有效满足未来趋势及应用的需求。本方法可适用在所有二极管元件以及由该多个二极管元件所延伸运用的相关二极管组件，例如：全波整流器、阵列式整流器等等。
掘井引流二极管元件组件及其制造方法

[发明专利]覆晶式半导体全波整流元件及其制造方法-CN201110235631.8无效
发明人：黄文彬;吴文湖 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种覆晶式半导体全波整流元件及其制造方法，该覆晶式半导体全波整流元件至少包含一颗PNNP型及/或NPPN型覆晶(Flip-Chip)、以及一片包含多根接脚的料片或基板，其特征在于：该PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊点(bump)皆位于同一面，能简易地让多根接脚分别与该多个覆晶的焊点依照全波整流器的电路配置来焊接组合后，经过成型封装及切脚步骤即完成成品的制作；其成品具备全波整流功能，并具有简化工艺、降低成本以及缩小体积的功效，有别于传统由二/四颗单晶粒所组成的全波整流器。
覆晶式半导体整流元件及其制造方法

[发明专利]具备肖特基能障的定电流半导体元件-CN201110227715.7无效
发明人：蔡晓峰;黄文彬;胡祖溪 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明为一种定电流半导体元件，特别是指一种利用金属/半导体接触原理制成具备肖特基能障(Schottky Barrier)的定电流半导体元件。其构造于一成长在半绝缘基板上的N型或P型半导体磊晶层(Epitaxial Layer)表面设置第一、二金属电极端，其中第一金属电极端与磊晶层之间包括有第一殴姆接触(Ohmic Contact)区段及肖特基接触(Schottky Contact)区段，第二金属电极端与磊晶层之间为第二殴姆接触区段，使该半导体元件具备肖特基能障及定电流的特性，不但具有较低启动电压，而且其制程中容易将数个隔离单体积体组合成适用于较大驱动电流的定电流半导体元件。
具备肖特基能障电流半导体元件

[发明专利]硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造-CN201010148162.1有效
发明人：吴文湖;黄文彬 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造；该制造方法是将一扩散后晶片与一可耐高温的高强度基板烧结熔接共构后，再对该扩散后晶片进行刻蚀开沟、填入绝缘物质、以及表面金属化等工艺，使多个电极皆建构在同一平面上，以完成所有功能线路制作后，再对该共构体进行切割，即可分离出多个可直接应用的单一表面粘着型二极管元件；相较习知先将硅晶圆片所有功能线路制作完成并切割成单一晶粒之后，再经封装及测试的二极管元件制造方法，本发明具有简化工艺、降低工时的功效，且工艺中晶片不易破裂损坏，并符合轻薄短小的世界潮流。
晶片基板共构表面粘着二极管元件制造方法构造

[发明专利]双金属与陶瓷组成的功率半导体及其制造方法-CN200410062696.7有效
发明人：黄文彬;邓玮民 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体，尤指一种利用双金属与陶瓷为基材组成的功率半导体结构。该功率半导体主要是将预设有容置槽的陶瓷基板表面金属化，并且将延伸有接脚的两片金属基板分别置于陶瓷基板两侧后，将芯片置入陶瓷基板的容置槽，使金属基板与陶瓷基板共烧结，即可构成一双金属与陶瓷组成的功率半导体构造。本发明的陶瓷基板的热传导效率较环氧树脂佳，封存的热能也大为降低，而且两片金属基板的散热面积最少为传统的两倍，藉此可使本发明双金属与陶瓷共烧结的功率半导体得以长期使用于高温环境中，并增加使用寿命。
双金属陶瓷组成功率半导体及其制造方法

[实用新型]功率半导体的散热结构-CN200420050732.3无效
发明人：黄文彬 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司
申请日： 2004-05-08 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种功率半导体的散热结构，在半导体的晶体层表面固设有由铜质材料所制成的导热板，于导热板上布设有与晶体层表面平行的复数孔道，各孔道贯穿导热板以成为引导气流排放的通道，并加速导热板与空气进行热交换，为一结构稳固、体积小、散热效率高以及加工制造容易的散热结构。
功率半导体散热结构

[实用新型]电容的偏移共振结构-CN03246589.0无效
发明人：黄文彬;钟明道;陈志强;尤志中 -专利权人： 美丽微半导体股份有限公司;斐成企业股份有限公司
申请日： 2003-05-20 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01G2/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电容的偏移共振结构，特别是指一种可偏移电容释放电流时所产生的共振点。其结构主要是于电容与电路板间设置有导电片，导电片与电容两端的导体利用表面黏着技术、熔合或焊接的方式固定，且该导电片的截断面积较导体大，而电容的导体是设置于导电片的偏心位置上，使导电片两端长度不一，藉此可有效的偏移电容释放电流所产生的振动频率，使振动产生不规律的振动频率，进而减少共振共鸣所产生的噪音。
电容偏移共振结构

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