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[发明专利]基于数字签名算法选择的加密校验方法、装置及设备-CN202310830383.4在审
发明人：朱少龙;罗宗扬;张佳磊;蔡辉 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于数字签名算法选择的加密校验方法、装置及设备，该方法应用于加密校验系统中，所述加密校验系统包括发送端及接收端，所述方法包括：发送端根据预设的随机数算法生成随机数；发送端根据随机数和预设的算法选择策略确定目标加密策略；发送端根据目标加密策略对预设的参数数据进行加密处理，得到加密信息；发送端将加密信息及目标加密策略发送至所述接收端；接收端根据目标加密策略确定对应的目标校验策略；接收端根据目标校验策略对加密信息进行校验，得到对应的校验结果。本发明实施例可根据随机数和算法选择策略确定目标加密策略及与目标加密策略对应的目标校验策略，能有效提高系统安全的保护能力。
基于数字签名算法选择加密校验方法装置设备

[发明专利]一种文件加载方法、装置、设备及存储介质-CN202310797331.1在审
发明人：张佳磊;罗宗扬;朱少龙 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种文件加载方法、装置、设备及存储介质，通过预置的加载模块对带有用户请求的文件进行加载，并通过加载规则对当前加载模块判断状态，对待加载文件进行加载处理，接收与加载规则对应的待加载文件的文件类型，通过与文件类型相对应的处理器单元对每一待加载文件进行加载并对应的添加文件标签，将添加有文件标签的已加载文件存储至SDTCM存储器中并进行封装得到封装文件，通过读取规则及加载时间读取SDTCM存储器中所存储的封装文件，得到最终文件，通过合理分配相应的处理器单元进行加载，先进行初始化加载，并针对不同类型的待加载文件添加标签，保证文本文件能准确无误的进行封装并读取，减少加载需要的时间，提高文本文件的读取效率。
一种文件加载方法装置设备存储介质

[发明专利]基于SM3算法的认证码生成方法、装置、设备及存储介质-CN202310813247.4在审
发明人：朱少龙;罗宗扬;张佳磊;蔡辉 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于SM3算法的认证码生成方法、装置、设备及存储介质，该方法应用于SSD的控制器中，所述方法包括：接收输入的第一密钥和第一数据；根据预设的第一生成策略生成与所述第一密钥对应的第二数据；根据预设的第一加密算法对所述第一数据和所述第二数据进行加密，生成第三数据；根据预设的第二生成策略生成与所述第一密钥对应的第四数据；根据预设的第二加密算法对所述第三数据和所述第四数据进行加密，得到消息认证码。本发明实施例可基于SM3算法得到消息认证码，保证信息安全的同时，提高所生成的认证码的安全性，从而避免信息安全隐患。
基于 sm3 算法认证生成方法装置设备存储介质

[发明专利]固态硬盘出现UECC后快速重读方法、装置和计算机设备-CN202310973214.6在审
发明人：宗名扬;罗宗扬;蔡辉 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种固态硬盘出现UECC后快速重读方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：获取主机下发的读命令，根据所述读命令从NAND上指定位置读取数据；判断读取page数据是否出现UECC；若出现UECC，则对出现UECC数据所在的所有Plane同时进行设置读取电压操作；待Plane内UECC数据纠错完成后恢复对应Plane的读取电压，然后再读取Plane内下一个page数据。本发明当出现多Plane UECC场景可以并发执行Read retry操作，Die内各Plane下的Read和Read retry操作互不影响，从而提升SSD该场景下的读性能。
固态硬盘出现 uecc 快速重读方法装置计算机设备

[发明专利]固态硬盘数据恢复效率提升方法、装置和计算机设备-CN202310776970.X在审
发明人：王猛;徐伟华;罗宗扬;李建 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种固态硬盘数据恢复效率提升方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：在内存中创建并维护用于记录各个物理块最后写入位置的物理页位置表；每当物理块发生写入时更新所述物理页位置表中记录的最后写入位置；当写入点物理块发生切换时，将被替换物理块的最后写入的物理页位置记录到NAND系统区上；当发生掉电时，从所述NAND系统区加载各个物理块最后写入的物理页位置记录；根据各个物理块最后写入的物理页位置恢复所述物理页位置表。本发明极大地提升了数据恢复的效率。
固态硬盘数据恢复效率提升方法装置计算机设备

[发明专利]用于SSD异常掉电的写保护方法、装置、设备及介质-CN202310523934.2在审
发明人：茆玉鹏;罗宗扬;宗名扬 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于SSD异常掉电的写保护方法、装置、设备及介质，该方法，包括：判断SSD掉电时的电压是否低于设定值；若SSD掉电时的电压低于设定值，则触发VDT中断；判断Nand中是否存在未执行完成的命令；若Nand中存在未执行完成的命令，则使能Nand写保护。本发明通过在异常掉电发生后，触发VDT中断，然后对Nand中存在未执行完成的命令，进行使能Nand写保护，避免了将DDR中不稳定数据写入Nand，提升了SSD的可靠性。
用于 ssd 异常掉电写保护方法装置设备介质

[发明专利]固态硬盘Block RAID写入模型优化方法、装置和计算机设备-CN202310634819.2在审
发明人：王猛;徐伟华;李建;罗宗扬 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种固态硬盘BlockRAID写入模型优化方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：对于多组物理块组成RAIDGroup的场景中，每次只分配一组物理块进行数据写入；在数据写入过程中判断当前写入的是否为RAIDGroup内最后一组物理块；若不是RAIDGroup内最后一组物理块，则在数据写入过程中不生成Parity；若是RAIDGroup内最后一组物理块，则在对应的RAID条带写入前，读取条带内其他分组上相应的数据初始化Parity；对于所述RAIDGroup内最后一组物理块，在对应的RAID条带写入时，实时计算Parity并在条带写入结束后写入到NAND。本发明减少了数据写入时系统保留物理块的需求，提升了坏块容忍度以及产品良率。
固态硬盘 block raid 写入模型优化方法装置计算机设备

[发明专利]基于HMB的SSD性能提升方法、装置、设备及介质-CN202310388359.X在审
发明人： 罗宗扬;王猛;徐伟华;李长才 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于HMB的SSD性能提升方法、装置、设备及介质，HMB地址空间采用分区设计，方法包括：将SSD需要存放的数据进行分类；利用HMB的各分区对各分类数据采用不同的保护策略和访问方式。通过利用HMB地址空间的分区设计针对各分类数据采用不同的保护策略和访问方式，降低了通路延时，提升了保护数据可靠性，进而整体提升了SSD性能。
基于 hmb ssd 性能提升方法装置设备介质

[发明专利]QLC SSD写入方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202310450225.6在审
发明人：王猛;徐伟华;罗宗扬;李建 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了QLC SSD写入方法、装置、计算机设备及存储介质。所述方法包括：设置QLC WL数据缓冲区；当SSD处于QLC写入时，若所读取的源数据所处的可独立并发操作的单元被阻塞时，生成源数据所处的可独立并发操作的单元挂起操作的命令；使用所述QLC WL数据缓冲区读取对应数据；当源数据所处的可独立并发操作的单元的操作处于被挂起状态时，恢复源数据所处的可独立并发操作的单元被挂起的操作；将所读取的源数据写入到目的可独立并发操作的单元的QLC物理块中。通过实施本发明实施例的方法可实现优化QLC的写入流程，进而降低SSD的内存成本。
qlc ssd 写入方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]内存受限的QLC写入方法、装置和计算机设备-CN202211609816.5在审
发明人：王猛;徐伟华;罗宗扬;李建 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种内存受限的QLC写入方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：在固态硬盘内部保留部分SLC物理块，每当主机写入数据时总是优先写入到所述SLC物理块中；在所述固态硬盘内部保留一较小的内存区域作为WL Buffer；在数据写入到SLC物理块后，将数据从SLC物理块读出到WL Buffer并传输到对应DIE的QLC物理块；释放WL Buffer并发起对应DIE的QLC编程；使用所述WL Buffer依次对其他DIE执行相同的处理，并等待所有DIE的QLC编程完成。本发明极大地降低了内存受限的固态硬盘中QLC多次编程的内存需求，进而降低了成本。
内存受限 qlc 写入方法装置计算机设备

[发明专利]SSD的乱序并发读和擦写混合保序加速方法及相关设备-CN202211643636.9在审
发明人： 罗宗扬;王猛;徐伟华 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种SSD的乱序并发读和擦写混合保序加速方法及相关设备，方法包括：接收下发的擦写读请求；根据擦写读请求的类型制定下发决策，并根据制定的下发决策将擦写读请求下发至fifo列队中，所述fifo列队中包括planeRfifo和EPfifo；从fifo列队获取并发的发送请求；对并发的发送请求进行仲裁，并将仲裁胜出的请求发送给nandflash对应的plane执行。本发明实现了多个plane并行的进行读，同时保证了擦和写的顺序，确保了混合读写场景性能及数据的一致性，提升了SSD读性能和混合读写性能。
ssd 并发擦写混合加速方法相关设备

[发明专利]基于read retry的拉偏电压选择实现方法和装置-CN202210859124.X在审
发明人：刘孟雄;蔡辉;罗宗扬 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于read retry的拉偏电压选择实现方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：Nand flash读取数据并判断是否发生UECC；若数据发生UECC则查找发生UECC的page对应的记录；若存在上一次纠错成功的电压拉偏等级记录，则用所述纠错成功的电压拉偏等级进行一次纠错；Nandflash读取数据并判断数据纠错是否成功；若数据没有纠正回来，则需要根据当前UECC的page所在block的状态选择对应的电压拉偏等级表并逐级进行尝试。本发明提出的拉偏电压选择方案可以精确的进行read retry，避免过多的无效电压拉偏和数据读取动作，减少了SSD命令响应延时，提高了用户体验。
基于 read retry 电压选择实现方法装置

[发明专利]可扩展的低延迟SSD管理方法、装置、设备及介质-CN202210331583.0在审
发明人：王猛;徐伟华;罗宗扬 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种可扩展的低延迟SSD管理方法、装置、设备及介质，其中方法包括：创建SSD的多个固件管理分区；接收主机命令；命令分解聚合引擎按照主机命令所访问的逻辑地址所处的固件管理分区对主机命令进行命令拆分；将拆分出的虚拟子命令发送给对应的固件管理分区；对应的固件管理分区使用其独立NAND分区完成数据读写；对应的固件管理分区完成对应的虚拟子命令处理后，通知命令分解聚合引擎；命令分解聚合引擎等待主机命令拆分出的所有虚拟子命令处理完成后报告给主机。本发明有效地保持了较短的命令执行路径，且提升了性能，可以随着性能需求、CPU数量来调节固件管理分区的数量，从而可持续扩展支持SSD未来的高性能需求。
扩展延迟 ssd 管理方法装置设备介质

[发明专利]固态硬盘主控温度的监测方法、装置和计算机设备-CN202210880189.2在审
发明人：茆玉鹏;罗宗扬;宗名扬 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种固态硬盘主控温度的监测方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：获取固态硬盘主控的TDC值，其中TDC集成在主控内用于采集主控温度；判断获取的TDC值是否超出主控温度耐受范围；若获取的TDC值超出主控温度耐受范围则重新获取主控的TDC值，若经过多次获取的TDC值都超出主控温度耐受范围则判定主控温度过高或者过低；若获取的TDC值在耐受范围内，则直接将所述TDC值换算为标准温度单位。本发明提出的温度监测方案可以有效地防止主控温度超出耐受范围后出现不可预测的行为，进而可以提升SSD的可靠性。
固态硬盘主控温度监测方法装置计算机设备

[发明专利]NAND Flash阈值电压波形优化方法、装置和计算机设备-CN202210901701.7在审
发明人：张敏;罗宗扬;刘孟雄 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种NANDFlash阈值电压波形优化方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：获取NANDFlash阈值电压波形优化请求；根据所述请求对NANDFlashTLC模式下每个readlevel扫描的阈值电压范围进行缩减；从第一个readlevel的左偏电压开始到最后一个readlevel的右偏电压为止，基于每个电压值读取对应page的原始数据并统计1/0的cell个数；对相邻readlevel的重叠区间统计的cell个数进行算术平均；将算术平均之后的值按照readlevel的顺序进行排列得到阈值电压分布图。本发明中提供的Nandflashvth分析工具更简单直观且更精确，可以有效提升分析效率。
nand flash 阈值电压波形优化方法装置计算机设备

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