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[发明专利]一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法-CN202211690373.7在审
发明人：郝昕;王超;王泽高;罗国凌;姚梦麒;柯尊贵;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体材料光电探测器，其包括导电基片(1)、形成在导电基片(1)表面的电介质(2)、形成在电介质(2)表面两端的一对电极(3)；一对电极(3)之间及其表面上形成第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)，第一二维半导体材料分区(4)覆盖其中一个电极(3)和该其中一个电极(3)相邻区域，第二二维半导体材料分区(5)覆盖另一个电极(3)和该另一个电极(3)相邻区域；第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)中注入离子，形成载流子浓度不同的两个二维半导体材料分区。本发明适配现有硅COMS工艺，易于大规模生产，且易于调控探测器的载流子浓度，提升探测器的成品率及性能。
一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法-CN202211691594.6在审
发明人：代千;陈蔚;刘期斌;李宛励;舒域鑫;陈庆敏;梁丕刚;黄海华;姚梦麒;庞树帅;邓杰;杨瑞雨;罗国凌;陈剑;王鸥;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法，基于吸收倍增分离雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、磷化铟作为倍增层材料制备台面型的铟镓砷雪崩探测器，采用一种新型的具有倒金字塔正四面锥形槽结构紧密排布的表面陷光结构。本发明减少了InGaAs表面对近红外激光反射率，实现了1064nm波长的近红外吸收增强，解决了传统铟镓砷雪崩探测器在1064nm波段量子效率较低的问题。
铟镓砷雪崩探测器表面结构制备方法

[实用新型]一种薄晶圆清洗花篮-CN202123328235.8有效
发明人： 罗国凌;杨瑞雨;邓杰;陈剑;黄海华;张达;庞树帅;蒋欣彦 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄晶圆清洗花篮，所述薄晶圆清洗花篮包括一对基板、与所述一对基板连接的一对侧臂、与所述一对基板连接的顶梁，所述基板上设置有梯形卡槽，用于连接侧臂和顶梁。倾斜的侧壁与带限位齿、限位槽的顶梁共同作用，可稳定地限制薄晶圆在清洗过程中的晃动。本实用新型结构简洁，易于制造和组装，在薄晶圆的湿法清洗过程中既可保证清洗质量，同时还可对薄晶圆实现良好的保护效果，降低裂片率。
一种薄晶圆清洗花篮

[发明专利]基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器-CN202111580324.3在审
发明人：代千;程碑彤;邓杰;杨瑞雨;罗国凌;陈剑;黄海华;庞树帅;黄帅;蒋若梅;谭扬;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器，基于柔性透明衬底制备；具有透明导电阳极、电子阻挡层、光吸收活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极修饰层、金属阴极的器件结构；采用ITO和PEDOT:PSS复合透明导电薄膜阳极；采用PS‑TPD‑PFCB等材料作为电子阻挡层；采用基于Cy18F4等短波红外吸收染料与钙钛矿材料制备光吸收活性层；采用P3HT：PCBM等材料混合共掺杂作为电子传输层；采用C60等材料作为空穴阻挡层；采用LiF阴极修饰层和Al金属阴极。本发明采用高短波红外吸收染料钙钛矿，解决现有有机聚合物等光电材料对短波红外波段响应较差的问题，采用电子传输材料混合共掺杂技术，解决有效提升载流子传输效率的问题。
基于染料钙钛矿柔性短波红外探测器

[实用新型]一种储能封焊工装夹具-CN202123094487.9有效
发明人：庞树帅;黄海华;张伟;黄帅;罗国凌;杨瑞雨 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型提出一种储能封焊工装夹具，包括主体均为圆筒形结构的上底座和下底座。上底座的中心加工有用于固定管帽的上底座圆形通孔，上底座的高度高于管帽的高度，上底座固定在封焊机的上压头上；下底座的中心加工有用于放入管座的下底座圆形通孔，下底座圆形通孔与上底座圆形通孔同轴；下底座固定在封焊机的下压头上。在使用该工装夹具进行储能封焊作业时，只需管壳能够由夹具固定即可，操作简单，可操作性强；对于相似的管壳形状，不改变管壳外圆尺寸时均可使用，从而降低成本，提高封焊效率，保证焊点一致性，不会出现因位置偏移而造成焊接不良现象。
一种储能封焊工夹具

[发明专利]一种用于硅基光敏芯片减薄的方法-CN202111491478.5在审
发明人：杨瑞雨;罗国凌;邓杰;谢修敏;刘永;王泽源;陈剑;柯尊贵 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅基光敏芯片减薄的方法，包括：硅片背面蒸铝、光刻掩模、磷酸腐铝、局部刻蚀减薄、后续工艺以及硅片划片分离得到光敏芯片。本发明不同于传统的在芯片级对单个光敏芯片减薄的方法，而是在晶圆级对硅片采用正面保护和背面局部减薄相结合的方式，既保证了硅基光敏芯片的减薄工艺，又确保了局部减薄硅片的机械强度还可以支持后续加工工艺。该方法简化了后续芯片级减薄的工艺流程，降低了光敏芯片在工艺制造过程碎片率，提高了芯片制备的成品率，降低了工艺成本。
一种用于光敏芯片方法

[发明专利]一种用于太阳能电池的全介质超表面陷光结构及其制备方法-CN201910455847.1有效
发明人：郭小伟;罗国凌;杨沛霖;王珂;张娟;李绍荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种能提升薄膜硅太阳能电池效率的周期性的超表面陷光结构及其制备方法。所述的结构整体由周期性的单元陷光结构组成，每个单元包含中心处的非对称十字梯形和每个角处的纳米方块构成。本发明所提出的超表面陷光结构是基于光波导理论与米氏共振理论，具有角谱范围大和光谱吸收高的优点，有利于提高薄膜硅电池的光吸收效率。
一种用于太阳能电池介质表面结构及其制备方法

[发明专利]一种光子辐射散热结构-CN201910604490.9在审
发明人：郭小伟;王珂;黄振宇;罗国凌;杨沛霖;李绍荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及辐射散热领域，具体涉及光子结构领域。本发明提出的光子辐射散热结构，为周期单元光子结构组成，材料为二氧化硅。每个单元由金字塔结构构成，并且呈正四方格子状周期排布。本发明提出的这种散热结构不需外加功耗设备，制作方法简单而且成本低，可以运用在太阳能电池、太阳能热水器、太阳能LED灯、汽车玻璃车窗等，有效降低设备的工作温度，减缓老化速率。
散热结构光子辐射光子结构太阳能热水器太阳能LED灯金字塔结构太阳能电池二氧化硅辐射散热功耗设备降低设备汽车玻璃四方格子周期单元周期排布车窗老化制作

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