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[发明专利]用于将杆机械地耦接至陶瓷元件的套件-CN201810225726.3有效
发明人：劳伦·杜布瓦;艾蒂安·沙巴叶 -专利权人： 维苏威法国股份有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： F16B1/00 文献下载
摘要：一种用于将陶瓷元件机械地耦接至杆的套件，陶瓷元件包括由包括凹部的圆柱形孔壁限定并沿纵向轴线延伸的圆柱形陶瓷孔，杆包括：外管，其包括与插入部相邻的伸出部、外管壁及外管孔；可插入至凹部中的突出构件；及沿轴线延伸的内心轴，其中外管的插入部可插入陶瓷孔中，使得突出构件接合在凹部中并使得伸出部从陶瓷元件中伸出，内心轴可插入外管孔中，使得突出构件通过内心轴的稳定部弹性地稳定在凹部中，并且杆因此机械地耦接至陶瓷元件，其中外管不能相对于陶瓷孔沿纵向轴线平移，内心轴的稳定部是径向地具有弹性的，使得在将力施加至外管上时突出构件可从凹部中移出，该力大于用于将杆与陶瓷元件分离所需的预定阈值力。
用于机械耦接至陶瓷元件套件

[发明专利]输送辊组件、扭矩传递和支撑装置以及制造在高温环境中使用的输送辊组件的方法-CN201680053708.0有效
发明人：劳伦·杜布瓦;艾蒂安·沙巴叶 -专利权人： 维苏威法国股份有限公司
申请日： 2016-09-15 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C03B35/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种在高温下使用的输送辊组件(1)，其包括：a)具有至少15MPa的弯曲强度和外径D的陶瓷阀芯(2)，以及b)大致圆柱形形状并具有纵向轴线的扭矩传递和支撑装置(3)，该扭矩传递和支撑装置包括主体，以及b1.包括至少一个圆柱形支撑表面(10)的支撑部分，以及b2.机械地且弹性地变形的连接部分，该连接部分包括至少两个不同的连接表面，该连接表面将扭矩传递和支撑装置(3)摩擦地连接到陶瓷阀芯(2)，其特征在于，陶瓷阀芯的至少一个端部具有直径为10mm≤d≤3/4D，优选地≤1/3D并且深度为Dd≥1.5d的轴向居中孔洞，并且其特征在于扭矩传递和支撑装置(3)设置在陶瓷阀芯(2)的至少所述孔中。
输送组件扭矩传递支撑装置以及制造高温环境使用方法

[发明专利]包括可磨损涂层的辊-CN201580037099.5有效
发明人：让-丹尼斯·尼古拉斯;吉尔伯特·兰库勒;克里斯汀·贝里 -专利权人： 维苏威法国股份有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明涉及应用于辊上的保护的及可磨损的涂层组合物，并且更具体地涉及在高温应用中使用的包括可磨损涂层的传送机辊、用于制造此类辊的方法、及其用途。由铝熔体造成的腐蚀减少，并且通过摩擦移除沉积物质。从而增加辊的使用寿命。该涂层包含83重量％‑98重量％的聚集体，该聚集体包含Si₃N₄、SiC或SiAlON粒子或它们的混合物，以及2重量％‑17重量％的Al₂O₃、SiO₂、ZrO₂、CeO₂、Y₂O₃亚微米粒子或它们的混合物。
包括磨损涂层

[实用新型]传送带滚子组件-CN201820371237.4有效
发明人：劳伦·杜布瓦;艾蒂安·沙巴叶 -专利权人： 维苏威法国股份有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B65G39/00 文献下载
摘要：一种用于传送暴露于或处于至少200℃的高温下的产品的传送带系统的传送带滚子组件，所述传送带滚子组件包括：陶瓷圆柱体，其沿着纵向轴线延伸并被设置有圆柱形陶瓷孔，该圆柱形孔壁包括N个凹部；沿着纵向轴线延伸且分别耦接至第一和第二圆柱形陶瓷孔的第一杆和第二杆，包括：外管，其包括插入部、外管壁及外管孔；球形球体；沿着纵向轴线延伸且包括稳定部的内心轴，其中当对该外管施加比预定阈值力更大的力时，球形球体将弯曲力施加至纵向带，纵向带径向变形至其中球形球体从凹部中移出并离开凹部的程度，并且该杆因此与该陶瓷圆柱体机械地分离，该杆可沿着纵向轴线平移并且围绕纵向轴线旋转。
纵向轴线延伸传送带滚子组件球体凹部陶瓷圆柱体圆柱形陶瓷纵向轴线纵向带外管施加传送带系统圆柱形孔壁平移径向变形内心轴外管壁外管孔弯曲力稳定部阈值力移出耦接传送暴露

[发明专利]输送辊组件、其用途以及用于输送辊的端盖-CN201780021535.9在审
发明人：劳伦·杜布瓦;艾蒂安·沙巴叶 -专利权人： 维苏威法国股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C03B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于经受重要温度变化的环境中的输送辊组件，并且涉及一种一体式端盖。所述一体式端盖确保向所述陶瓷阀芯的有效扭矩传送，这要归功于由所述端盖在所述陶瓷阀芯上的装配期间的所述端盖变形引起的其弹性。
端盖输送辊组件陶瓷阀芯有效扭矩输送辊装配变形传送

[发明专利]坩埚及(近)单晶半导体锭的生产方法-CN201280054094.X有效
发明人：吉尔伯特·兰库勒;克里斯蒂安·马丁 -专利权人： 维苏威法国股份有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产诸如硅的结晶半导体材料锭的坩埚(1)，所述坩埚包括外周侧壁(1b)和底板(1a)，所述底板的至少一部分涂有顶层(2)，其特征在于，所述顶层(2)具有至少500μm的厚度δ，并且在低于1400℃的变形温度下，所述顶层是可塑性或粘滞变形的。
坩埚半导体生产方法

[发明专利]用于生产结晶半导体锭的坩埚及其制造方法-CN201280060933.9在审
发明人：吉尔伯特·兰库勒;克里斯蒂安·马丁;劳伦·杜布瓦 -专利权人： 维苏威法国股份有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产结晶半导体锭的坩埚(1)，所述坩埚包括由底板(1a)和周边侧壁(1b)限定的内部体积，所述底板(1a)的顶表面包括限定第一水平平面(H)的平面部分，所述周边侧壁(1b)各自包括内表面，所述内表面包括基本上竖直的平面部分，其限定了基本上竖直的平面(V)并且垂直于第一水平平面(H)，所述侧壁(1b)在底板(1a)的周边通过形成至少1mm的曲率半径R1而连接底板(1a)，其特征在于，在第一水平平面(H)与由各侧壁(1b)的基本上竖直的平面部分限定的基本上竖直的平面(V)之间形成交会的相交线(hv)完整地位于侧壁(1b)上、底板(1a)上或坩埚的内部体积中。
用于生产结晶半导体坩埚及其制造方法