专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果219个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]光刻机焦距偏移监测方法、装置、电子设备和存储介质-CN202311212200.9在审
  • 黄有任;陈超 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-20 - 2023-10-27 - G01M11/02
  • 本申请实施例公开了光刻机焦距偏移监测方法、装置、电子设备和存储介质。采集多个光刻样本晶圆的图案的样本侧墙角度,光刻样本晶圆的图案由待测光刻机在不同样本光刻焦距下,按第一光刻过程工艺进行光刻得到;根据样本光刻焦距和样本侧墙角度,拟合得到焦距‑角度关系,焦距‑角度关系为一次函数关系;基于焦距‑角度关系确认待测光刻机的焦距偏移状态。使用待测光刻机通过不同焦距使用相同的过程工艺在样本晶圆加工相同的图案,通过光学关键尺寸仪器对便于直接进行检测的产品中的侧墙角度进行测量,确定检测时待测光刻机的焦距‑角度关系,并表征出后续使用过程中的偏差方向和偏差量,工程师可以准确调整光刻细节,提高光刻机作业的质量。
  • 光刻焦距偏移监测方法装置电子设备存储介质
  • [实用新型]一种炉管辅助安装治具-CN202321716963.2有效
  • 薛海建;巩雨锋 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-27 - B25B27/00
  • 本实用新型提供了一种炉管辅助安装治具,该炉管辅助安装治具包括用于辅助将一炉管安装或者拆卸至立式扩散炉的预设位置处,其特征在于,包括:底座;移动部;弹性件;测量组件,包括测量部,连接至所述底座或移动部,所述测量部沿所述移动部的运动方向设置,以对所述炉管随所述移动部运动的位置进行标记,使得所述炉管安装或者拆卸至所述立式扩散炉的预设位置处。本实用新型通过设置测量部和弹性件,在对立式扩散炉进行保养时,通过将内管安装或者拆卸时需要移动的距离进行测量并标记,能够将内管一次安装到预设的位置处,能够避免对立式扩散炉的其他部件造成损坏,提高了内管安装的效率。
  • 一种炉管辅助安装
  • [实用新型]一种气泡水平仪-CN202320964854.6有效
  • 胡淳铭 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-10-27 - G01C9/24
  • 本申请实施例提供的气泡水平仪中,包括三角形框架以及位于三角形框架框架一侧的支撑座,且支撑座均位于框架的顶点;三角形框架的每条边中心位置开设有气泡腔体,气泡腔体内设有水平识别气泡。其中,当采用本申请实施例的气泡水平仪对转移部件进行水平测试时,将气泡水平仪直接放置在转移部件上,通过观察水平识别气泡,即可判断转移部件是否处于水平态。需要说明的是,由于转移部件的端部呈弧形,因此本申请实施例采用三角形框架的设计,并在三角形框架的顶点处设置支撑座,从而更利于气泡水平仪维持稳定,进而有利于提高水平测试的精度。
  • 一种气泡水平仪
  • [发明专利]晶圆的洗边结果检测方法、装置、设备以及存储介质-CN202311200353.1在审
  • 贾晓峰;卢金德;鄢江兵;陈献龙 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-18 - 2023-10-24 - H01L21/66
  • 本申请实施例提供了一种晶圆的洗边结果检测方法、装置、设备以及存储介质,该方法包括:获取设置的量测参数信息;然后,根据总量信息、位置信息以及量测比例,从待量测结构中确定目标量测结构;接着,基于量测控制参数,测量得到每个目标量测结构对应的第一量测区域与第二量测区域之间的高度差以及电势差,并计算得到对应的高度差平均值以及电势差平均值;最后,根据高度差平均值、电势差平均值以及预设均值范围,确定晶圆的洗边完成度结果。本方案通过对于待量测结构的高度差以及电势差进行抽样测量和均值计算,有效结合设置的阈值条件进行洗边结果的完成度判断,为后续制程提供准确且可靠的结果参考,有利于产品品质管控以及金属污染管控。
  • 结果检测方法装置设备以及存储介质
  • [发明专利]一种电容测试结构、制备方法、测试方法及应用-CN202311209291.0在审
  • 高沛雄;沈安星 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-19 - 2023-10-24 - H01L23/544
  • 本申请公开了一种电容测试结构、制备方法、测试方法及应用,涉及半导体制造技术领域。该电容测试结构包括有源区衬底、栅氧化层、金属接触层和下极板电极;有源区衬底包括两侧的掺杂区和中间的衬底区,有源区衬底为电容的下极板;栅氧化层为覆盖在衬底区和掺杂区的第一区域上的钴硅化合物阻挡层,栅氧化层制作有盲孔,栅氧化层为电容的绝缘体介质;金属接触层为通过盲孔沉积的金属,金属接触层为电容的上极板;下极板电极为覆盖在掺杂区的第二区域上的金属,下极板电极的侧壁接触栅氧化层。通过上述技术手段,解决了现有技术中无法准确测定衬底与栅氧化层之间的界面电荷的问题,保证栅氧化层的测试和评估结果的可靠性。
  • 一种电容测试结构制备方法应用
  • [发明专利]线宽测量方法-CN202311195651.6在审
  • 石方毅;曾辉;李贵琦 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-18 - 2023-10-24 - G03F7/20
  • 本发明提供一种线宽测量方法,先从多个测试图形中选取部分包含光学临近效应的测试图形作为量测点图形,并获取量测点图形的位置信息;通过量测点图形的位置信息建立自动测量程序以获取量测点图形对应的晶圆数据,晶圆数据包括量测点图形对应在晶圆上的实际量测点图形的线宽;通过晶圆数据建立光刻模型,以通过光刻模型形成新的版图,新的版图包括多个新的测试图形;获取新的测试图形的位置信息,并通过新的测试图形的位置信息建立新的自动测量程序以获取新的测试图形对应的新的晶圆数据,新的晶圆数据包括新的测试图形对应在晶圆上实际图形的线宽。仅需建立一个自动测量程序就可以实现测量晶圆上的实际图形的线宽,可以提高线宽测量的成功率。
  • 测量方法
  • [发明专利]外延机台温度校正方法-CN202311198184.2在审
  • 杨洪军;苏小鹏;杨鹏;付志强 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-18 - 2023-10-24 - H01L21/67
  • 本申请公开了一种外延机台温度校正方法,该外延机台温度校正方法包括提供若干晶圆,并在若干晶圆上形成外延层;从若干晶圆中选取部分晶圆作为第一监控晶圆,并对每个第一监控晶圆依次进行第一离子注入和热退火处理,每个第一监控晶圆的热退火温度不同;根据每个第一监控晶圆的热退火温度和热波值生成标准曲线;从剩余晶圆中选取一晶圆作为第二监控晶圆,并对第二监控晶圆依次进行第二离子注入和预设温度的热退火处理;基于标准曲线和第二监控晶圆的热波值对外延机台的温度进行校正。本方案可以降低外延机台的温度监控成本。
  • 外延机台温度校正方法
  • [发明专利]半导体器件制备方法-CN202311188426.X在审
  • 朱红波;张哲;高向阳 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-15 - 2023-10-24 - H01L21/8234
  • 本发明提供一种半导体器件制备方法,包括步骤:制备得到半导体结构,所述半导体结构包括半导体材料的基底及位于基底内,且显露于基底表面的有源区,以及位于基底上表面或基底内的栅极;于有源区表面和栅极表面涂布金属前驱物以形成金属前驱物材料层;进行预设时长的热烘,以于有源区和金属前驱物材料层的界面处以及栅极和金属前驱物材料层的界面处形成初始欧姆接触层;去除未反应的金属前驱物材料;进行热退火,以使初始欧姆接触层成为低阻值欧姆接触层。相较于现有技术,本发明不仅流程极大简化,可以显著降低生产成本,而且热处理温度显著降低,有助于减少乃至避免器件损伤及减少金属的横向扩散,从而提高生产良率。
  • 半导体器件制备方法
  • [发明专利]复合场板结构的LDMOS器件制备方法-CN202311181190.7在审
  • 张有志;于绍欣 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-14 - 2023-10-20 - H01L21/336
  • 本申请涉及半导体技术领域,公开了一种复合场板结构的LDMOS器件制备方法,包括:提供一衬底,且在所述衬底上沉积外延层;在所述衬底上形成STI隔离结构,且将所述衬底划分出若干个有源区;回刻所述STI隔离结构,形成复合场板结构的STI基底;基于所述STI基底,在所述外延层以及部分的所述STI基底上形成多晶硅栅,所述部分的STI基底上的多晶硅栅与所述STI基底形成所述复合场板结构的第一场板区;形成所述复合场板结构的第二场板区,所述第二场板区在回刻后的所述STI隔离结构内,且与所述第一场板区相连。本申请使得LDMOS器件在提高源漏耐压的同时,可以维持一个较低的源漏导通电阻。
  • 复合板结ldmos器件制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202311162311.3在审
  • 朱红波;欧志文;刘单单;高向阳 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-11 - 2023-10-20 - H01L21/28
  • 本发明提供一种半导体器件的制作方法,包括:提供一半导体基底,于半导体基底上形成氧化硅层,氧化硅层划分为栅氧区域和非栅氧区域;于氧化硅层上形成光刻胶层并图形化,图形化的光刻胶层显露非栅氧区域;采用化学干法刻蚀法刻蚀非栅氧区域,其中,化学干法刻蚀的过程中,刻蚀气体在反应腔室外电离成等离子体。本发明的半导体器件的制作方法中,采用化学干法刻蚀法刻蚀氧化硅层形成栅氧,不会产生等离子体诱导损伤,不会对栅氧产生钻刻削薄,提高器件性能。另外,刻蚀氧化硅层时预留牺牲氧化层,能够缩减工序,降低成本。
  • 一种半导体器件制作方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN202311148013.9在审
  • 马凤麟;龚柏铧;于绍欣;赵晓龙;钟鼎;杜宁乐 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-09-07 - 2023-10-20 - H01L21/266
  • 本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件,该半导体器件的制造方法包括:提供一基底,并在基底内形成有源区和浅槽隔离结构,浅槽隔离结构围绕有源区设置,有源区包括源区和漏区,有源区的宽度为0.6um~1.5um;在基底上形成栅氧层;在栅氧层的预设区域进行离子注入,预设区域为浅槽隔离结构与有源区交界处在栅氧层上对应的位置,以在浅槽隔离结构和有源区的交界处形成P型离子注入区,P型离子注入区位于源区和漏区之间,且P型离子注入区的深度大于或等于源区和/或漏区的深度,离子注入的注入离子为铟离子。本方案可以减少半导体器件在特殊环境中的漏电问题。
  • 半导体器件制造方法
  • [实用新型]一种用于FAB内施工区域的施工警示装置-CN202320960007.2有效
  • 卢卫柱 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-04-24 - 2023-10-20 - E01F9/608
  • 本申请涉及半导体设备技术领域,公开了一种用于FAB内施工区域的施工警示装置,应用于FAB内施工区域的高架底板,包括:第一警示面板、第二警示面板以及用于固定所述第一警示面板与所述第二警示面板的固定件,所述第一警示面板的顶端与所述第二警示面板的顶端通过铰链活动连接,所述固定件设于所述第一警示面板和所述第二警示面板之间,且所述固定件分别与所述第一警示面板以及所述第二警示面板转接,所述第一警示面板和所述第二警示面板的底端设有呈锥形体结构设计的橡胶固定脚,所述橡胶固定脚分别在所述第一警示面板和所述第二警示面板上等间距线性排列。本申请提高了FAB内施工区域的施工警示稳固性和安全性。
  • 一种用于fab施工区域警示装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top