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[发明专利]铝表面原位生长涂层的方法、铝箔、铝基集流体、电极和电池-CN202310505775.3在审
发明人：杨树斌;程宗举 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝表面原位生长涂层的方法、铝箔、铝基集流体、电极和电池，其中，该方法包括：将MXene材料覆盖金属铝或铝合金的表面，然后在预定温度下进行加热处理；所述MXene材料的官能团含有F、Cl，Br或I中的一种或多种。本发明提出的方法能够在铝或铝合金的表面原位生长形成一层含有MAX相材料的涂层，MAX相材料作为一种陶瓷，具有高导电和耐腐蚀的优点，形成的涂层提高铝或铝合金表面的耐腐蚀性能。
表面原位生长涂层方法铝箔铝基集流体电极电池

[发明专利]层间键合的A-MXene纳米片、薄膜及其制备方法-CN202211516434.8在审
发明人：杨树斌;程宗举 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C01B35/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间键合的A‑MXene纳米片、薄膜及其制备方法，其中该A‑MXene纳米片的MXene片层之间存在M‑A‑M的键合点或键合段，所述A选自VIIB、VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA或VIA族元素中的至少一种，所述M代表MXene片层中的过渡金属元素；步骤包括：将初始MXene材料与A的单质或A的化合物在预定温度下反应预定时间，得到具有手风琴形貌的产物，所述初始MXene材料为含有‑Cl、‑Br或‑I官能团的MXene材料；将所述具有手风琴形貌的产物剥离。本发明针对含‑Cl官能团的MXene材料电阻较高的技术问题，提供了一种新的改性路径。
层间键合 mxene 纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]电磁屏蔽材料、薄膜及其制备方法-CN202211516447.5在审
发明人：杨树斌;程宗举 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C01B32/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁屏蔽材料、薄膜及其制备方法，所述电磁屏蔽材料包括有A‑MXene材料，所述A‑MXene材料的MXene片层之间存在M‑A‑M的键合点或键合段，所述A选自VIIB、VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA或VIA族元素中的至少一种，所述M代表MXene片层中的过渡金属元素；所述电磁屏蔽材料的制备方法包括：将初始MXene材料与A的单质或化合物在预定温度下反应预定时间；所述初始MXene材料为含有‑Cl、‑Br或‑I官能团的MXene材料。本发明针对含‑Cl官能团的MXene材料应用于电磁屏蔽领域电阻较高的技术问题，在MXene片层之间增加A原子的层间键合点或键合段，得到一种新型电磁屏蔽材料，该电磁屏蔽材料兼具优异稳定性和低薄层电阻特性。
电磁屏蔽材料薄膜及其制备方法

[发明专利]由MXene转化制备MAX相材料的方法及用途-CN202110557381.3在审
发明人：杨树斌;程宗举 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B32/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种MXene转化制备MAX相材料的方法，采用MXene材料和A单质或含A化合物反应制备得到，本发明发现通过MXene材料与A单质或含A化合物能够反向发生合成反应，制备得到具有片状或手风琴状形貌的新型MAX相材料，其中，具有手风琴状形貌的MAX相材料通过进一步的剥离处理，能够得到片状的新型MAX相材料，本发明的方法制备得到的MAX相材料具备厚度可调性，制备流程简单，反应条件温和，合成样品纯度高、产率高、可重复性好，适合大规模生产，有望在航空航天、核工业、能源工业、特别是防护涂层等领域得到广泛应用。
mxene 转化制备 max 材料方法用途