专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种铬离子掺杂二氧化锰电极及制备方法和应用-CN202310861080.9在审
  • 董鹏;张彻;李克伟;王超;王怀慎;秦留阳;王焜 - 太原理工大学
  • 2023-07-14 - 2023-08-29 - H01G11/46
  • 本发明涉及储能技术领域,解决了二氧化锰在器件中表现出较低的电容以及较差的稳定性等问题,公开了一种铬离子掺杂二氧化锰电极及制备方法和应用,电极包括基底与负载在基底表面的铬掺杂二氧化锰纳米线的活性材料,活性材料包括二氧化锰和掺杂在二氧化锰中的铬离子。电极的制备方法,包括以下步骤:配置合成二氧化锰的混合液;利用低温水热反应加入铬盐溶液制备铬掺杂二氧化锰材料;制备铬掺杂二氧化锰电极。本发明中的二氧化锰纳米线在经过Cr掺杂而增加了比电容和结构稳定性,用于中性超级电容器中表现出优异的性能;此外,该材料的原材料价格低廉、对环境友好,该制备方法路线简单、重复性高,具有明显的经济效益。
  • 一种离子掺杂二氧化锰电极制备方法应用

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