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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通过微型断路器中的耗尽型MOSFET或JFET及双金属温度感测开关实现过电流保护-CN202210431627.7在审
发明人： 秦传芳;杜志德 -专利权人：力特保险丝公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本文公开了通过微型断路器中的耗尽型MOSFET或JFET及双金属温度感测开关实现过电流保护，具体公开了一种用于提供短路和过载保护的微型断路器。微型断路器的特征在于场效应晶体管(FET)，该场效应晶体管可以是耗尽型金属氧化物半导体FET(D MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)或碳化硅JFET，FET连接到双金属开关，其中双金属开关充当温度感测断路器。以结合的方式，D MOSFET和双金属开关能够限制到下游电路组件的电流，从而保护组件免受损坏。
通过微型断路器中的耗尽 mosfet jfet 双金属温度开关实现电流保护

[发明专利]使用耗尽型MOSFET的超低箝位电压浪涌保护模块-CN202111169902.4在审
发明人： 秦传芳;杜志德 -专利权人：力特保险丝公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：公开了一种使用耗尽型MOSFET(D MOSFET)的超低箝位电压浪涌保护模块(SPM)。SPM可以是电路或器件的一部分，并且包括初级保护级和次级保护级，其中D MOSFET连接在两个级之间。SPM可以包括单个D MOSFET、双D MOSFET或多个D MOSFET，并且初级和次级保护级可以利用许多不同的组件实施。相比于使用电感器的电路，使用(多个)D MOSFET的SPM具有改进的浪涌保护。
使用耗尽 mosfet 箝位电压浪涌保护模块

[发明专利]由耗尽型MOSFET和双金属温度感测开关进行的过电流保护-CN202111068403.6在审
发明人： 秦传芳;杜志德 -专利权人：力特保险丝公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本文中公开了由耗尽型MOSFET和双金属温度感测开关进行的过电流保护，以及用于提供过电流和过电压保护的电路。电路的特征在于耗尽型MOSFET(D MOSFET)作为限流器，D MOSFET连接到双金属开关，其中双金属开关充当温度感测电路断路器。组合地，D MOSFET与双金属开关能够限制流向下游电路组件的电流，从而保护组件免受损坏。
耗尽 mosfet 双金属温度开关进行电流保护

[发明专利]用于过电流保护的耗尽型MOSFET-CN202110736426.3在审
发明人： 秦传芳;尼尔·勒琼;刘志宏;杜志德 -专利权人：力特保险丝公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本文公开了用于过电流保护的耗尽型MOSFET。该电路的特征在于连接到电阻性元件的耗尽型MOSFET，优选地正温度系数(PTC)器件，以使得PTC器件上的电压与MOSFET的栅极到源极电压相同的方式进行配置。该电路还可以使用TVS二极管来配置，用于在过电流事件期间箝位MOSFET的漏极到源极电压。MOSFET和PTC器件之间的热传递有助于过电流保护。包括耗尽型MOSFET、PTC器件和TVS二极管的两端子器件可以向其他电路提供过电流保护。包括设置在PTC的两侧上的两个MOSFET的双向电路c也被设想用于AC电压过电流保护。
用于电流保护耗尽 mosfet

[发明专利]具有热熔断体的瞬变电压抑制装置-CN201680086004.3有效
发明人： 秦传芳;吕奎良;石磊;牟宗文 -专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：一种瞬变电压抑制(TVS)装置，包括：具有第一电极和第二电极的TVS二极管、设置在第一电极上的绝缘板、连接到绝缘板的第一终端引线、连接到第二电极的第二终端引线、以及将第一终端引线连接到第一电极的热熔断元件，该热熔断元件配置成当TVS二极管的温度超出预定安全温度时熔化并断开第一终端引线与第一电极之间的电连接。
具有熔断电压抑制装置

[发明专利]具有嵌入式熔断器的浪涌保护装置-CN202110639930.1在审
发明人：吕奎良;石磊;张兆易;秦传芳 -专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及具有嵌入式熔断器的浪涌保护装置。浪涌保护装置可以包括输入端子；输出端子，输出端子电气耦合到输入端子；接地端子，接地端子电气耦合到输入端子和输出端子；正温度系数(PTC)熔断器，PTC熔断器电气串联连接在输入端子与输出端子之间；撬棍设备，撬棍设备电气连接到接地端子和输出端子，其中撬棍设备与PTC熔断器一起电气串联在输入端子与接地端子之间；以及中央框架部分，中央框架部分电气耦合到输入端子、输出端子和接地端子，其中撬棍设备布置于中央框架部分的第一侧上，并且PTC熔断器布置于与第一侧相对的中央框架部分的第二侧上。
具有嵌入式熔断器浪涌保护装置

[发明专利]具有嵌入式熔断器的浪涌保护装置-CN201680088207.6有效
发明人：吕奎良;石磊;张兆易;秦传芳 -专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：浪涌保护装置可以包括输入端子；输出端子，输出端子电气耦合到输入端子；接地端子，接地端子电气耦合到输入端子和输出端子；正温度系数(PTC)熔断器，PTC熔断器电气串联连接在输入端子与输出端子之间；撬棍设备，撬棍设备电气连接到接地端子和输出端子，其中撬棍设备与PTC熔断器一起电气串联在输入端子与接地端子之间；以及中央框架部分，中央框架部分电气耦合到输入端子、输出端子和接地端子，其中撬棍设备布置于中央框架部分的第一侧上，并且PTC熔断器布置于与第一侧相对的中央框架部分的第二侧上。
具有嵌入式熔断器浪涌保护装置

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