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[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备-CN201010568496.4有效
发明人： 秋山和敬;小泽智仁;田泽大介;西村悠 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件及配置其的电子照相设备，该电子照相感光构件包括：光导电层，在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层，以及在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层，其中表面层中的比(C/(Si+C)；C2)为0.61至0.75，硅与碳的原子密度的和为6.60×1022原子/cm3以上，中间层中的比(C/(Si+C)；C1)以及硅与碳的原子密度的和(D1)分别从光导电层向表面层连续增加而不超过C2和D2，中间层具有其中C1为0.25至C2同时D1为5.50×1022原子/cm3至6.45×1022原子/cm3的连续区域，所述区域沿层厚度方向为150nm以上。
电子照相感光构件设备

[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备-CN201010548172.4有效
发明人：小泽智仁;秋山和敬;西村悠;田泽大介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G03G5/147 文献下载
摘要：本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供：电子照相感光构件和具有该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件具有光导电层、中间层和表面层，其中当所述表面层中的Si+C原子密度由DS×1022原子/cm3表示时，该DS为6.60以上，和当在所述光导电层中沿层厚度方向氢量分布中H/(Si+H)的最大值由HPmax表示，第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值由HP2表示时，DS和HP2满足下列表达式(1)以及DS和HPmax满足下列表达式(2)：HP2≥0.07×DS-0.38...表达式(1)HPmax≤-0.04×DS+0.60...表达式(2)。
电子照相感光构件设备

[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备-CN200910161021.0有效
发明人：小泽智仁;秋山和敬;西村悠 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。在具有光导电层和设置于光导电层上的包括氢化非晶碳化硅的表面层的电子照相感光构件中，在该表面层中，碳原子原子数(C)与硅原子原子数(Si)和碳原子原子数(C)的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下，在该表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和为6.60×10²²原子/cm³以上。
电子照相感光构件设备