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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种衬底上不同深度沟槽的制作方法及该方法制得的衬底-CN202310742172.5在审
发明人：何喜炘 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公布一种衬底上不同深度沟槽的制作方法及该方法制得的衬底，制作方法包括：在衬底上生长掩膜层，干法刻蚀掩膜层，去除位于第一位置上方的部分掩膜层并形成第一沟槽，去除位于第二位置上方的掩膜层形成第二沟槽，第二沟槽的底部为第二位置；干法刻蚀第一沟槽和第二沟槽的底部，去除位于第一沟槽中的掩膜层，使得第一沟槽的底部为第一位置，第二沟槽往衬底的另一侧表面方向延伸；再一次干法刻蚀第一沟槽和第二沟槽的底部，第一沟槽和第二沟槽往衬底的另一侧表面延伸，第一沟槽在衬底中的深度小于第二沟槽在衬底中的深度。制作方法可以同时获得两个不同深度的沟槽，沟槽中涉及制程的缺陷较少，有效保障衬底的良率。
一种衬底不同深度沟槽制作方法法制

[发明专利]一种消除刻蚀残留的方法及该方法制得的衬底结构-CN202310796353.6在审
发明人：何喜炘 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公布一种消除刻蚀残留的方法及该方法制得的衬底结构，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底的上表面设置有台阶；在衬底上制作牺牲层，所述牺牲层覆盖所述台阶；以及利用干法刻蚀的方式反刻所述牺牲层，去除位于所述台阶上表面上的所述牺牲层，在所述台阶的两侧形成有斜坡结构，所述斜坡结构连接所述台阶的上表面和所述衬底的上表面。上述技术方案制作斜坡结构，斜坡结构连接台阶的上表面和衬底的上表面，可以减缓下一道制程的垂直高度，可以消除刻蚀残留。
一种消除刻蚀残留方法法制衬底结构

[发明专利]一种SPNP管的制作方法及SPNP管-CN202210818220.X在审
发明人：石建武 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：一种SPNP管的制作方法及SPNP管，包括如下步骤，PC区硼氧化作为掩蔽；PC区光刻，将光刻版的图形转移到硅片上，BOE腐蚀10分钟，将掩蔽层腐蚀尽，硫酸去胶，注入阻档氧化层，在PC区进行硼注入，将总剂量分为4至8次注入，在注入的间隔进行2至4次退火，从而形成至少三层不同硼注入浓度的PC区内的分层部分。PC硼注入总剂量拆分为四至八次小剂量、同时每次的小剂量注入能量递减分层分布、按二次小剂量一次硼退火，共二至四次退火来恢复注入缺陷,从而显著的降低SPNP管N型基区层错缺陷。
一种 spnp 制作方法

[发明专利]一种双向可控硅的制作方法及双向可控硅-CN202210596716.7在审
发明人：陈秀镁;熊爱华;梅海军 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：一种双向可控硅的制作方法，包括如下步骤，选取N型单晶硅材料片，在所述N型单晶硅材料片上生长一层2.0um以上氧化层，用双面光刻机刻出正、反面隔离图形，并用化学腐蚀液去除不需要的氧化层腐蚀出隔离区域，在所述隔离区域上沉积P型杂质源，然后进行高温扩散，形成第六P型层，在晶圆正面用光刻、注入方法，形成P型分压环，注入条件为基区注入剂量的1％，区别于现有技术，上述技术方案通过改变P2结深和P4结深能够使得产品有更好的dv/dt表现，同时还由于增加了n5的有效重叠面积，能够使得电子注入能力增加，降低IGT4电流，使得本产品的通电表现更为稳定。
一种双向可控硅制作方法

[发明专利]一种平坦化反刻方法-CN201911250771.5有效
发明人：何喜炘;江栋 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种平坦化反刻方法，包括如下步骤，在硅片表面先沉积牺牲层，牺牲层的厚度高于硅片上最大台阶高度，然后涂覆光阻材料层，进行第一步腐蚀步骤，蚀刻光阻材料层至牺牲氧化层最高处，进行第二步腐蚀步骤，蚀刻剩余光阻材料层及牺牲层，蚀刻光阻材料层和牺牲层的速率比为1。上述方案通过二次腐蚀并相应调整速率及腐蚀厚度，最终达到更好地平坦化电路板的目的。
一种平坦化反刻方法

[发明专利]一种PSG钝化层压点腐蚀方法-CN201911038546.5在审
发明人：方鼎铭;李雪春 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种PSG钝化层压点腐蚀方法，包括如下步骤，将层压点待腐蚀的PSG钝化腐蚀片放入NH4F：CH3COOH＝10：7的混合溶液中进行腐蚀，腐蚀至压点区剩余2000～3000A的PSG厚度，再将PSG钝化腐蚀片放入NH4F：CH3COOH＝10：9的混合溶液中进行腐蚀，至压点区PSG层腐蚀干净，再将PSG钝化层腐蚀片放入GH3OH溶液中浸泡，最后清水洗涤，干燥。区别于现有技术，上述技术方案通过在不同浓度的腐蚀液中进行先后腐蚀，能够避免铝层被腐蚀导致的发黑、钝化问题。
一种 psg 钝化层压腐蚀方法

[发明专利]一种电路板刻蚀方法-CN201911250764.5在审
发明人：何喜炘;廖守峰 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种电路板刻蚀工艺，在沉积化学气相沉积物之后，进行下述步骤，通入惰性气体，气体气压为1600mT以上。区别于现有技术，上述技术方案通过在进行化学气相沉积物时通过惰性气体冲击进行介质层平坦化的刻蚀，方便快捷并且避免化学反应影响电路板性能，较好地解决了平坦化刻蚀的问题。
一种电路板刻蚀方法

[发明专利]一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法-CN201911039936.4在审
发明人：方鼎铭;李雪春 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法，包括如下步骤，在腐蚀槽中配制SiO2腐蚀溶液，配比为NH4F：HF＝12：1～NH4F：HF＝14：1，温度稳定在38±0.5℃将发射区SiO2腐蚀片放入所述腐蚀槽中腐蚀，将腐蚀好的片子放入冲水槽中冲洗干净，然后再放入甩干机干燥；利用硫酸去胶机去除光刻胶，最终完成SiO2腐蚀的整个过程，完成发射区图形。区别于现有技术，上述技术方案能够使得发射区台阶碗口变宽；下道铝膜覆盖时，台阶覆盖良好没有空洞；且铝膜腐蚀时，台阶处铝条完整无缺口断条。
一种发射二氧化硅腐蚀台阶制作方法

[发明专利]一种改善集成电路厚铝蒸发镀膜工艺铝条缺口的方法-CN201410657088.4有效
发明人：林强;林立桂;梅海军;熊爱华;石建武 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善集成电路厚铝蒸发镀膜工艺铝条缺口的方法，采用合金铝作为蒸发源材料。本发明可以有效地改善传统厚铝（铝膜厚度超过2.5μm）镀膜后的铝层空洞现象，从而解决后道湿法刻蚀后出现的铝条缺口问题。该方法简单易行，有利于推广应用。
一种改善集成电路蒸发镀膜工艺缺口方法

[实用新型]基准电压0.8V的无地引脚线性稳压器集成电路-CN201320171048.X有效
发明人：高耿辉;康明辉;宋金荣 -专利权人：大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;福建福顺微电子有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基准电压0.8V的无地引脚线性稳压器集成电路，包括：一高精度、零温度系数0.8V能隙基准电路；一高增益带宽、内部主极点补偿的误差放大器；一零温度系数偏置电流产生电路；一功率保护及输出驱动电路。该电路不仅降低了系统功率耗散，而且结构简单，易于实现，使用效果好。
基准电压 0.8 引脚线性稳压器集成电路

[实用新型]带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路-CN201320038798.X有效
发明人：高耿辉 -专利权人：大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;福建福顺微电子有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H02P6/00 文献下载
摘要：本实用新型属于集成电路领域，具体是带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路。将Hallsensor通过特殊工艺集成到芯片内部，通过增加死区控制电路，可以在换向的时候获得延时信号，将延时信号通过逻辑控制器处理后，在换向的时候可以控制四个输出驱动管同时截止，这样可以有效的消除贯通现象，减少芯片烧毁的风险，有效的增加了芯片的可靠性。
带有防止贯通电路单相直流电机驱动集成电路

[实用新型]温度敏感度低的非线性压控振荡器及应用其的开关电源-CN201220246194.X有效
发明人：高耿辉;王利;李铎 -专利权人：大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;福建福顺微电子有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种温度敏感度低的非线性压控振荡器，其特征在于：由非线性压控振荡器和低温漂参考电压电流产生器依次电性连接组成；本实用新型另提供应用该温度敏感度低的非线性压控振荡器电路的开关电源。本实用新型能实现对开关频率的控制，应用于开关电源能有效提高开关电源效率，并且能有效降低该开关电源温度敏感度，降低应用的地域性限制，电路设计成本低，具有较好的使用价值。
温度敏感度非线性压控振荡器应用开关电源

[实用新型]一种新型高压恒流器及应用该高压恒流器的开关电源-CN201220390248.X有效
发明人：高耿辉;叶英;王利;李铎 -专利权人：大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;福建福顺微电子有限公司
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型高压恒流器及应用该高压恒流器的开关电源，该高压恒流器包括充电通路、启动开关、恒流控制电路和上电响应开关电路，经启动开关对启动电容恒流充电完成启动，并在启动后彻底关断该启动开关，达到启动开关上的零功率损失；该开关电源包括控制电路、功率开关、变压器和反馈单元，控制电路与反馈单元相连，以产生一个开关调制信号调节所述变压器的脉冲宽度或者脉冲频率，所述的控制电路由所述新型高压恒流器与PWM/PFM调制器连接组成。该电源不仅能较好地抑制启动损耗而且能够实现全电压范围内恒定的启动时间。
一种新型高压恒流器应用开关电源

[发明专利]一种平面可控硅制造方法-CN201210544771.8有效
发明人：陈秀镁;林立桂;李秋;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武 -专利权人： 福建福顺微电子有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明提供一种平面可控硅制造方法，可以得到超过1000V耐压与小于1uA的漏电流。包括对穿隔离、多层环分压、深基区扩散、磷扩散发射区与截止环、平面钝化工艺。本发明由于采用平面制造工艺，可以提高晶圆直径，降低生产破片率，并且可以采用自动化操作，提高生产效率。
一种平面可控硅制造方法

[实用新型]电动车充电器的恒流恒压控制集成电路-CN201220211607.0有效
发明人：高耿辉;宋金荣 -专利权人：大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;福建福顺微电子有限公司
申请日： 2012-05-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H02J7/04 文献下载
摘要：本实用新型属于集成电路领域，具体是电动车充电器的恒流恒压控制集成电路。通过内置参考电压源设置电流环路和电压环路的参考电压，电流环路控制充电电流，实现初期的恒流充电，电压环路控制充电电压，实现后期的恒压充电，并增加充电器状态指示功能。将原来由运算放大器和精密参考电源以及大量的分立器件实现的恒流恒压功能，由新实用新型的集成电路替代，大大的简化了外围电路的复杂程度，降低了电动车充电器的成本。
电动车充电器恒流恒压控制集成电路

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