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[发明专利]剩余寿命预测系统、剩余寿命预测装置以及剩余寿命预测程序-CN202080067107.1在审
发明人： 福井健一;北井正嗣 -专利权人：国立大学法人大阪大学;NTN株式会社
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：剩余寿命预测系统(100)具备：学习信息取得部(110)，取得学习用动作机构(200)的到动作极限为止的各时刻的学习劣化量信息、学习特征量矢量、学习剩余寿命；第一回归模型培育部(120)，基于学习特征量矢量、学习劣化量信息，培育推测劣化量的第一回归模型；第二回归模型培育部(150)，基于学习劣化量信息以及学习剩余寿命，培育推测剩余寿命的第二回归模型；评价信息取得部(130)，取得从评价用动作机构的动作获得的评价特征量矢量；以及剩余寿命导出部(140)，将评价特征量矢量作为输入，通过第一回归模型推测评价劣化量信息，将所获得的评价劣化量信息作为输入，通过第二回归模型导出剩余寿命。
剩余寿命预测系统装置以及程序

[发明专利]半导体集成电路-CN200610172708.0无效
发明人：伊藤崇泰;平木充;马场聪;福井健一 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种半导体集成电路，为了以高精度设置在“开启”电源时在电源开关电路中流动的冲流值，给LSI的内部电路Int_Cir输送来自电源开关电路PSWC的调节器VReg的输出晶体管MP1的内部源电压Vint。电源开关电路PSWC包括控制电路CNTRLR和起动电路STC。在“开启”电源之后的初始阶段Tint期间，起动电路STC控制输出晶体管MP1和减少初级冲流，从而输出晶体管MP1的输出电流Isup可以代表随着时间流逝的大致恒定增量。将由于受起动电路STC控制的输出电流Isup对负载电容C的充电导致的内部电流电压和来自调节器VReg的电流电压Vint之间的差异ΔV设置在预定限度内，从而减少二次冲流。
半导体集成电路

[发明专利]半导体集成电路-CN200410085597.0无效
发明人： 福井健一;平木充;奥津光彦 -专利权人：株式会社瑞萨科技;日立工程株式会社
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：鉴于在不增加安装到半导体集成电路上的电压产生电路中芯片占据面积的情况下而控制输入电源时的过冲，内部电压产生电路包括利用从外部输送的第一电压产生第二电压的电压产生电路和用于产生对应于第二电压的第三电压的输出缓冲器。第三电压用做内部电路的工作电源。而且，还提供用于使第二电压的输出节点导通到预定电位的第一开关和用于响应第一电压的输入而接通第一开关一预定时间周期的控制电路。输出缓冲器的输出端不被箝位，而是在前级的电压产生电路的输出被箝位到预定电压。与输出缓冲器的输出晶体管相比，用于箝位电压的第一开关的晶体管显著减小了尺寸。相应地，没有扩大芯片占据面积。
半导体集成电路

[发明专利]读出放大器电路-CN97110738.6无效
发明人：丰嶋博;原田昌树;长野知博;西尾洋二;平石厚;小宫路邦广;矢幡秀治;福井健一;厨子弘文;园田崇宏;川内野晴子;森田贞幸 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超爱尔爱斯爱工程股份有限公司
申请日： 1997-04-16 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：读出放大器电路，用由2个CMOS反相器构成的锁存器电路，与该锁存器并接的NMOS管对和与它们串接的电流源构成读出电路。用上述MOS管对放大输入信号对之间的微小电位差，再用锁存器电路的反相器放大该已被放大了的差信号并得到输出信号。由于用两级放大输入信号的微小电位差，而且可用电流源、NMOS管对或CMOS反相器这两级的串接构成，故可以缩短从输入信号之后到输出变化为止所需的延迟时间。
读出放大器电路