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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和半导体系统-CN202210849248.X在审
发明人：渡边源太;松原谦;齐藤朋也;神田明彦;武田晃一;下井贵裕 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和半导体系统。提供了一种能够根据情况以简单的方式改变数据编程处理的半导体装置。半导体装置包括多个存储器单元、用于向存储器单元供应编程电流的编程电路、以及用于向编程电路供电的电源电路。电源电路包括用于对外部电源升压的电荷泵电路、根据选择指示的外部电源的电压、以及能够切换由电荷泵电路升压的升压电压的可选择电路。控制电路还包括用于通过切换选择指示由编程电路执行数据编程处理的控制电路。
半导体装置系统

[发明专利]半导体装置-CN202210561588.2在审
发明人：松原谦;伊藤孝;仓藤崇;带刀恭彦;齐藤朋也;神田明彦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：半导体装置包括逻辑电路、存储器和存储装置。该存储装置具有：第一特定信息存储区域，特定信息在焊料回流过程之前被写入到该第一特定信息存储区域中；第二特定信息存储区域，用于更新的特定信息在焊料回流过程之后将写入到该第二特定信息存储区域中；以及数据存储区域。第一特定信息存储区域由具有高回流抗性的存储器单元构成，并且数据即使在焊料回流过程之后也被保留在该存储器单元中。第二特定信息存储区域和数据存储区域由具有低回流抗性的存储器单元构成，并且数据在焊料回流过程期间可以不被保留在该存储器单元中。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201910823753.5在审
发明人：森保孝宪;吉原和雄;神田明彦;浅井良彦;小川大也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是增加对闪存存储器的写入速度同时抑制噪声的增加。在高速写入模式中，存储器控制器关于第二数量的存储器单元利用第二写入电流同时执行第一写入操作，该第二写入电流具有比第一写入电流小的电流值，第二数量比第一写入电流的存储器单元的数量大。在第一写入操作完成时，存储器控制器关于由感测放大器在确定过程中确定为未完成写入操作的存储器单元、通过第三写入电流同时执行第二写入操作，该第三写入电流具有比第二写入电流大的电流值。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910105848.3在审
发明人：冈山昌太;神田明彦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括：参考电压生成电路，生成在修整操作时使用的多个参考电压；以及电压生成电路，生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压，并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压，确定与电源电压的调节量对应的修整代码。
参考电压半导体器件修整电源电压电源电路参考电压生成电路半导体存储器件电压生成电路电路外部申请

[发明专利]写入多值数据的非易失性半导体存储装置-CN200510062767.8有效
发明人：藤泽友之;柴原辉;三谷秀德;神田明彦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：在本发明的非易失性半导体存储装置中，存储器阵列的存储器单元存储2比特。存储器阵列用读出放大器在校验时输出2比特。页缓存器的各2比特存储向对应的存储单元写入的写入目标值。屏蔽缓存器的各比特存储确定对对应的存储器单元的处理的值。写入驱动器在与选择出的存储器单元对应的屏蔽缓存器内的比特为“0”时施加写入脉冲。校验电路对从存储器阵列用读出放大器输出的2比特和页缓存器内的对应的2比特进行比较，在比较结果是一致时，如果对应的屏蔽缓存器内的比特为“0”，则改写为“1”。
写入数据非易失性半导体存储装置

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