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- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN200880018708.2有效
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番场敏夫
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住友电木株式会社
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2008-06-17
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2010-03-24
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H01L21/312
- 本发明的半导体装置的制造方法,是具有使用化学放大型抗蚀剂在半导体用晶片上形成电路布线的电路形成工序,以及在形成前述电路布线后形成用于保护前述电路布线的固化膜的固化膜形成工序的半导体装置的制造方法,其特征在于,前述固化膜由含有具有聚苯并噁唑结构或聚苯并噁唑前驱体结构的碱可溶性树脂、通过光照射产生酸的物质和溶剂的感光性树脂组合物的固化物来构成,前述感光性树脂组合物中实质上不含有N-甲基-2-吡咯烷酮。根据本发明,能够提供一种半导体装置的制造方法,该方法在制造半导体装置时,能够抑制在使用化学放大型抗蚀剂在半导体晶片上形成电路时产生的T-顶现象的不良情况。
- 半导体装置制造方法
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