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[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法-CN201210122740.3有效
发明人：岛田武司;寺尾公一;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明的目的是提供其中BaTiO3的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物，其可在煅烧步骤中抑制Bi的蒸发，通过防止Bi-Na的组成改变抑制二次相的形成，进一步降低室温下电阻，和抑制居里温度的发散，以及提供制备其的方法。通过分别制备(BaQ)TiO3的组合物(Q是半导体掺杂物)和(BiNa)TiO3的组合物，并在相对高的温度下煅烧(BaQ)TiO3的组合物和在相对低的温度下煅烧(BiNa)TiO3的组合物，以从而在它们各自最佳的温度下煅烧所述组合物，在(BiNa)TiO3的组合物中Bi的蒸发可以被抑制，二次相的形成可以通过防止Bi-Na的组成改变而被抑制；并且通过混合、形成和烧结所述煅烧的粉末，可以提供具有小的室温下电阻和所述居里温度的发散被抑制的半导体陶瓷组合物。
半导体陶瓷组合及其制备方法

[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法-CN200780039846.4有效
发明人：岛田武司;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种不含Pb的半导体陶瓷组合物，其中居里温度在正方向上改变并且获得高的跃升特性，同时将室温电阻的增加抑制到最小值。具体而言，本发明公开了一种通过下述步骤获得的半导体陶瓷组合物：烧结由(BaR)TiO₃煅烧粉末或Ba(TiM)O₃煅烧粉末(其中R和M均是半导体掺杂物)构成的BT煅烧粉末和由(BiNa)TiO₃煅烧粉末构成的BNT煅烧粉末的煅烧粉末混合物，其中BaTiO₃的一部分Ba被Bi-Na替代。所述半导体陶瓷组合物通过将BaCO₃和/或TiO₂添加到所述BT煅烧粉末、或所述BNT煅烧粉末、或它们的混合物中而获得。
半导体陶瓷组合及其制备方法

[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法-CN200780040496.3无效
发明人：岛田武司;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种包含一部分Ba被Bi-Na替代的BaTiO₃的半导体陶瓷组合物及其制备方法，所述半导体陶瓷组合物能够在煅烧过程中抑制Bi的蒸发、能够抑制Bi-Na的组成改变从而抑制不同相的形成、能够进一步降低室温电阻、以及能够抑制居里温度的波动。彼此单独提供Ba(TiM)O₃煅烧粉末(其中M表示转化为半导体的元素)和(BiNa)TiO₃煅烧粉末。Ba(TiM)O₃煅烧粉末在最适温度(相对较高的温度)下煅烧。另一方面，(BiNa)TiO₃煅烧粉末在最适温度(相对较低的温度)下煅烧。根据上述构成，可以抑制Bi的蒸发并且可以抑制Bi-Na的组成改变从而抑制不同相的形成。通过将这些煅烧粉末混合在一起、使混合物成形、以及烧结成形体，可以制得具有低的室温电阻并且可以抑制居里温度的波动的半导体陶瓷组合物。
半导体陶瓷组合及其制备方法

[发明专利]半导体陶瓷组分及其生产方法-CN200780016953.5无效
发明人：岛田武司;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：公开了一种不包含Pb的半导体陶瓷组分，其中BaTiO₃中的部分Ba被用Bi-Na代替。该半导体陶瓷组分的特征在于，将居里温度改变至正向，而不使用Pb，以及大大地降低室温下的电阻率。还公开了一种用于制造该半导体陶瓷组分的方法。特别地公开了一种由组分公式[(BiNa)_xBa_1-x]TiO₃表示的半导体陶瓷组分，其中x满足0＜x≤0.3。通过分开地制备不包含半导体掺杂剂的BaTiO₃煅烧粉末和(BiNa)TiO₃煅烧粉末，将煅烧粉末混合在一起、然后粉碎并成形该混合物，最后在具有1％或更低氧浓度的惰性气体气氛中烧结所得物质，获得所述的半导体陶瓷组分。
半导体陶瓷组分及其生产方法

[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法-CN200780008159.6有效
发明人：岛田武司;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种这样的半导体陶瓷组合物，该半导体陶瓷组合物能够在正方向上改变居里温度，并且能够在将室温电阻的增加抑制到最小值的同时获得优良的跃升特性。本发明提供一种BaTiO₃的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物，该半导体陶瓷组合物是通过下述步骤获得的：烧结含有(BaR)TiO₃或Ba(TiM)O₃(其中R和M各自是半导体掺杂物)的BT煅烧粉末(其中残留有一部分BaCO₃和TiO₂)和含有(BiNa)TiO₃粉末的BNT煅烧粉末的混合的煅烧粉末。
半导体陶瓷组合及其制备方法

[发明专利]半导体陶瓷组分-CN200780006968.3有效
发明人：岛田武司;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种不包含Pb的半导体陶瓷组分，其能够将居里温度改变到正向，并且控制常温电阻率，以及具有优异的跳跃特性。由于其中BaTiO₃的部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组分具有其中晶粒的中心部分和外壳部分的组分彼此不同的晶体，因此该组分能够增强室温电阻率和跳跃特性的控制，因此它是用于PTC热敏电阻、PTC加热器、PTC开关、温度检测器等的最佳材料。
半导体陶瓷组分

[发明专利]半导体瓷器组成物-CN200580051305.4有效
发明人：岛田武司;松本啓;寺尾公一;田路和也;西川和裕 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2005-08-11 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明意图提供一种半导体瓷器组成物，在BaTiO₃半导体瓷器组成物中，不使用Pb，可以将居里温度改变为正向，以及可以显著地减小室温下的电阻率。根据本发明，当Ba被A1元素(Na、K和Li的至少一种)和A2元素(Bi)部分替代，以及Ba进一步被特定数量的Q元素代替时，或当Ba被A1元素(Na、K和Li的至少一种)和A2元素(Bi)代替以及Ti被特定数量的M元素部分地代替时，可以应用最佳化合价控制，由此可以显著地减小室温下的电阻率。由此，它对于PTC热敏电阻、PTC加热器、PTC开关、温度检测器等中的应用是最佳的，特别优选用于车辆加热器。
半导体瓷器组成

[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法-CN200680023678.5有效
发明人：岛田武司;寺尾公一;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：问题：本发明的目的是提供其中BaTiO₃的一部分Ba被Bi－Na替代的半导体陶瓷组合物，其可在煅烧步骤中抑制Bi的蒸发，通过防止Bi－Na的组成改变抑制二次相的形成，进一步降低室温下电阻，和抑制居里温度的发散，以及提供制备其的方法。解决方案：通过分别制备(BaQ)TiO₃的组合物(Q是半导体掺杂物)和(BiNa)TiO₃的组合物，并在相对高的温度下煅烧(BaQ)TiO₃的组合物和在相对低的温度下煅烧(BiNa)TiO₃的组合物，以从而在它们各自最佳的温度下煅烧所述组合物，在(BiNa)TiO₃的组合物中Bi的蒸发可以被抑制，二次相的形成可以通过防止Bi－Na的组成改变而被抑制；并且通过混合、形成和烧结所述煅烧的粉末，可以提供具有小的室温下电阻和所述居里温度的发散被抑制的半导体陶瓷组合物。
半导体陶瓷组合及其制备方法

[发明专利]制造半导体瓷组合物的方法-CN200680011048.6有效
发明人：岛田武司;寺尾公一;田路和也 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种制造方法，该方法可提供半导体瓷组合物，其可在不使用Pb的情况下在正方向上改变居里温度，并具有显著降低的室温下电阻系数，本发明还提供了一种制造半导体瓷组合物的方法，其即使在具有相对大和厚的形状的材料中仍可提供直到材料内部的均匀性质。一种制造由具有组成式[(Bi_0.5Na_0.5)_x(Ba_1－yR_y)_1－x]TiO₃的半导体瓷组合物的方法，其中R是La、Dy、Eu、Gd、Y中的至少一种，并且x和y各自满足0＜x≤0.14和0.002＜y≤0.02，该方法包括在氧气浓度等于或小于1％的惰性气氛中进行烧结。
制造半导体组合方法

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