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[发明专利]填充方法及填充装置-CN202280013459.8在审
发明人：伊泽敦之;长冈章夫;田中辉树 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2022-02-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B65B3/12 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制向喷嘴部的气泡混入的注射器的填充方法及填充装置。填充方法是向注射器(1)填充膏体(P)的填充方法，所述注射器具有：筒状的主体部(10)，被填充膏体(P)；筒状的喷嘴部(11)，设置于主体部(10)的前端部且比主体部(10)细；及有底筒状的盖(2)，外嵌于喷嘴部(11)的前端，所述注射器从喷嘴部(11)的前端开口排出膏体(P)，其中，所述填充方法包括从填充喷嘴(6)排出膏体(P)而向主体部(10)及喷嘴部(11)的内部空间填充膏体(P)的填充工序，在该填充工序中，在将填充喷嘴(6)插入到喷嘴部(11)的筒内部的状态下从填充喷嘴(6)开始排出膏体(P)。
填充方法装置

[发明专利]由钌配合物构成的化学蒸镀用原料及使用该化学蒸镀用原料的化学蒸镀法-CN201980079639.4有效
发明人：原田了辅;岩井辉久;重富利幸;大武成行;李承俊 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明涉及在用于通过化学蒸镀法制备钌薄膜或钌化合物薄膜的化学蒸镀用原料中，由下述化学式1表示的钌配合物构成的化学蒸镀用原料。在化学式1中，与钌配位的配位体L1和配位体L2由下述化学式2表示。本发明的化学蒸镀用原料即使不使用包含氧原子的反应气体也能够制造高质量的薄膜。[化学式1]RuL1L2[化学式2]#imgabs0#(配位体L1、L2的取代基R1～R12各自独立地为氢原子、碳原子数为1以上4以下的直链状或支链状的烷基中的任意一种。)
配合构成化学蒸镀用原料及使用蒸镀用原料蒸镀法

[发明专利]由AgAuS系化合物构成的半导体纳米粒子-CN202280015993.2在审
发明人：鸟本司;龟山达矢;常泉修平;渡边梦三;长谷川万里子;佐藤弘规;大岛优辅 -专利权人：国立大学法人东海国立大学机构;田中贵金属工业株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01G7/00 文献下载
摘要：本发明是由含有Ag、Au、S作为必要构成元素的化合物的半导体晶体构成的半导体纳米粒子。在构成该半导体纳米粒子的AgAuS系化合物中，Ag、Au、S的合计含量为95质量％以上。另外，所述化合物优选是由通式Ag(nx)Au(ny)S(nz)表示的AgAuS三元系化合物。在所述通式中，n是任意的正整数。x、y、z表示所述化合物中的Ag、Au、S的各原子的原子数的比例，是0＜x,y,z≤1的实数。另外，x/y为1/7以上7以下。
agaus 化合物构成半导体纳米粒子

[发明专利]光电转换元件材料、光电转换元件材料的制造方法以及分散有半导体纳米粒子的油墨-CN202180088392.X在审
发明人：佐藤弘规;大岛优辅;仲泽达也;金亨俊;金东昡 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明涉及由基材和形成在所述基材上的由半导体膜构成的光接收层构成的光电转换元件材料。形成该光接收层的半导体膜由Ag2‑xBixSx+1(x为0或1的整数)构成、微晶直径为10nm以上40nm以下。光接收层可以通过以下方式制造：将使所述半导体纳米粒子分散在分散介质中而成的油墨涂布在基材上后在200℃以上350℃以下进行烧制。本发明涉及的光电转换元件材料对于近红外区域的波长的光具有吸收性、光应答性优异。
光电转换元件材料制造方法以及分散半导体纳米粒子油墨

[发明专利]甲烷燃烧催化剂及其制造方法、以及燃烧废气的净化方法-CN202180089129.2在审
发明人：武田和刚;加藤俊祐;菊原俊司 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2021-10-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01D53/94 文献下载
摘要：本发明涉及一种在氧化锡载体上负载铂和铱而成的、用于燃烧含有硫氧化物的燃烧废气中的甲烷的甲烷燃烧催化剂。当利用电子探针显微分析对该甲烷燃烧催化剂的任意剖面从催化剂最深部向催化剂表面方向进行线分析时，能够观察到：铂、铱、锡均被检测到的第1区域；和必须检测到锡而未检测到铂的第2区域这两个区域。作为其具体的方式，由在氧化锡载体上负载了铂和铱的基底催化剂层、和在该基底催化剂层上形成的由氧化锡构成的外涂层构成。本发明的甲烷燃烧催化剂的初期活性优异并且耐久性得以提高。
甲烷燃烧催化剂及其制造方法以及废气净化

[发明专利]氧还原反应用的核壳催化剂以及催化剂的设计方法-CN202180084688.4在审
发明人：石田稔;松谷耕一;中西宽;笠井秀明;布梅·昌塔拉莫里;苏珊·梅内斯·阿斯佩拉 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社;独立行政法人国立高等专门学校机构
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明涉及具有含有PtCo合金或PtCoMn合金作为核、含有铂作为壳层的核壳结构的催化剂粒子的氧还原反应用的催化剂。在本发明的催化剂中，由构成壳层的多个铂原子形成面心立方晶格的(111)面，催化剂粒子表面的面心立方晶格的(111)面的晶格常数为以上以下(PtCo合金)或以上以下(PtCoMn合金)。本发明的催化剂设计方法包括：对于壳层的铂原子形成的(111)面等方位面，通过基于密度泛函理论的第1原理计算，计算氧分子、OH基、水分子的吸附能的步骤。
还原应用催化剂以及设计方法

[发明专利]由Ag-Pd-Cu系合金构成的探针针用材料-CN202211444324.5在审
发明人：布施健志;岛邦弘;寒江威元;河野真治 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本发明为由Ag‑Pd‑Cu系合金构成的探针针用材料，所述Ag‑Pd‑Cu系合金必须包含Ag、Pd、Cu、作为第一添加元素的B和作为第二添加元素的Zn、Bi、Sn中的至少任意一种元素。在此，第一添加元素的浓度为0.1质量％以上且1.5质量％以下，第二添加元素的浓度为0.1质量％以上且1.0质量％以下。关于Ag‑Pd‑Cu系合金的Ag浓度、Pd浓度、Cu浓度，需要以仅由这三种元素形成Ag‑Pd‑Cu三元合金的形式换算的Ag浓度(SAg)、Pd浓度(SPd)、Cu浓度(SCu)均在Ag‑Pd‑Cu三元系相图中的规定范围内。本发明的探针针用材料的电阻值、硬度和耐磨损性优良，并且提高了耐折弯性。
ag pd cu 合金构成探针用材

[发明专利]接合结构和具有该接合结构的半导体装置-CN202180072166.2在审
发明人：岸本贵臣;竹内顺一;鸟海启 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：本发明涉及例如将Si半导体等和基板作为被接合材料、通过液相扩散接合将这一对被接合材料接合时应形成的接合结构。该接合结构包含呈现出特殊的材料组织的接合部。该接合部的金属组成由78.0质量％以上且80.0质量％以下的Ag、20.0质量％以上且22.0质量％以下的Sn和不可避免的杂质元素构成。而且，对接合部的任意截面进行观察时，呈现出由含有95质量％以上的Ag的岛状Ag相以及包围上述岛状Ag相的由Ag3Sn金属间化合物构成的Ag3Sn相构成的特征性的材料组织。本发明的接合结构所具备的接合部的接合强度适当，由于上述材料组织，耐热性和耐久性优良。
接合结构具有半导体装置

[发明专利]金属粉末-CN201980022336.9有效
发明人：细井拓也;长冈章夫;前藤启介 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够形成低电阻的电极膜的导电性糊用金属粉末。本发明的一个实施方式涉及一种金属粉末，其是含有铂或铂合金的导电性糊用金属粉末，其中，上述粉末含有Pt以外的金属元素作为金属元素，上述Pt以外的金属元素至少含有Ca，还可以含有Al和Zr，上述Pt以外的金属元素中，Ca、Al和Zr的含量的合计为10～900质量ppm。
金属粉末

[发明专利]面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶-CN201980071989.6有效
发明人：谭金光;栉引了辅;青野雅广;渡边恭伸 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供具有2.00kOe以上的矫顽力Hc且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的CoPt‑氧化物系的面内磁化膜。本发明是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜(10)，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，相对于面内磁化膜(10)的金属成分的合计，含有55原子％以上且小于95原子％的金属Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金属Pt，相对于面内磁化膜(10)的整体，含有10体积％以上且42体积％以下的所述氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下。
磁化多层结构偏置磁阻效应元件溅射

[发明专利]钌薄膜的形成方法-CN202180058348.4在审
发明人：金秀贤;小次洋平 -专利权人：岭南大学校产学协力团;田中贵金属工业株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及利用钌前驱体形成钌薄膜的钌薄膜形成方法，包括以下阶段：以具有由下述化学式1表示的结构的三羰基(η4‑亚甲基‑1,3‑丙二基)钌(Tricarbonyl(η4‑methylene‑1,3‑propanediyl)Ruthenium((CO)3Ru‑TMM))作为钌前驱体，利用该钌前驱体和反应气体，通过原子层蒸镀法在200～350℃范围的温度下形成钌薄膜。作为反应气体，优选应用选自由氧气、氢气、水、氨气组成的组中的一者以上。
薄膜形成方法

[发明专利]固体高分子型燃料电池用催化剂及其制造方法-CN201880025914.X有效
发明人：海江田武;松谷耕一 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：本发明涉及在碳粉末载体上负载由铂或铂合金构成的催化剂粒子而成的固体高分子型燃料电池用催化剂。本发明的催化剂涉及一种固体高分子型燃料电池用催化剂，其特征在于，在进行对催化剂粒子的X射线光电子能谱分析时的分析结果中，测定0ev以上且20eV以下的区域中的价电子带谱时得到的、由Pt5d轨道来源的谱的谱面积计算出的重心位置的结合能(Ec)为2.90eV以上且3.85eV以下。
固体高分子燃料电池催化剂及其制造方法

[发明专利]贯通孔的密封构造及密封方法、以及用于对贯通孔进行密封的转印基板-CN201880024591.2有效
发明人：小柏俊典;佐佐木裕矢;宫入正幸;井上谦一 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种密封构造，包括：一组基材，形成密封空间；贯通孔，与密封空间连通；以及密封部件，对贯通孔进行密封。在形成有贯通孔的基材的表面上形成由金等块状金属构成的基底金属膜，所述密封部件接合于基底金属膜并对贯通孔进行密封。该密封部件由密封材料和盖状金属膜构成，所述密封材料接合于基底金属膜，由纯度99.9质量％以上的由金构成的金属粉末的压缩体构成，所述盖状金属膜包含金，厚度为0.01μm以上且5μm以下，由块状金属构成。并且，密封材料由与基底金属膜接触的外周侧的致密化区域和与贯通孔接触的中心侧的多孔质区域构成。而且，对致密化区域内的空孔的形状进行规定，空孔的径向的水平长度(l)与致密化区域的宽度(W)之间的关系为l≤0.1W。
贯通密封构造方法以及用于进行转印基板

[发明专利]辅助磁性记录介质以及磁性存储装置-CN202011164742.X有效
发明人：齐藤伸;福岛隆之 -专利权人：昭和电工株式会社;田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11B7/24047 文献下载
摘要：本发明提供一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。磁性记录介质(100)具有在基板(1)上依序设置的第1底层(3)、第2底层(4)以及磁性层(5)，磁性层(5)包含具有L10型结晶结构的合金。磁性记录介质(1)还具有与磁性层(5)相接的钉扎层(6)。钉扎层(6)具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构。磁性粒子是包含Co的粒子。粒界部包含Y2O3及/或镧系元素的氧化物。
辅助磁性记录介质以及存储装置

[发明专利]医疗用Pt合金线材和医疗用Pt合金螺圈-CN202210965645.3在审
发明人：堀之内优贵;大久保道正;二瓶瑞生;井上彬;寒江威元 -专利权人： 田中贵金属工业株式会社
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C22C5/04 文献下载
摘要：本发明涉及医疗用Pt合金线材和医疗用Pt合金螺圈。本发明为由Pt‑W合金构成的医疗用Pt合金线材，该Pt‑W合金包含10质量％以上且15质量％以下的W，并且余量为Pt和不可避免的杂质。该Pt合金线材的维氏硬度为400Hv以上且600Hv以下，具有大于以往的相同组成的Pt合金线材的硬度和强度。本发明的Pt合金线材具有适合作为适用于栓塞螺圈、导丝等的螺圈的特性，制造这些医疗器具时的二次加工性也良好。
医疗 pt 合金线材

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