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[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及制法和薄膜型热敏电阻传感器-CN201410386541.2有效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜在薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M_1‑vA_v)_xAl_y(N_1‑wO_w)_z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示Sc、Zr、Mo、Nb及W中的至少一种，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑A‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
热敏电阻金属氮化物材料制法薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及制法和薄膜型热敏电阻传感器-CN201410427720.6有效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜在薄膜等上，且具有高耐热性且可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1‑vAv)xAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示选自Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示选自Mn、Cu、Ni、Fe及Co中的至少一种且与所选的所述M不同的元素，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
热敏电阻金属氮化物材料制法薄膜传感器

[发明专利]温度传感器-CN201680044835.4在审
发明人：长友宪昭;松本文夫;稻叶均;竹岛一太;山口邦生;田中宽 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明的温度传感器具备一对引线框(2)、与引线框连接的传感器部(3)及保持引线框的绝缘性的保持部(4)，传感器部具备绝缘性薄膜(5)，在上表面粘结有引线框；薄膜热敏电阻部(6)，形成于绝缘性薄膜；一对梳状电极(7)，形成于薄膜热敏电阻部上；一对图案电极，形成于绝缘性薄膜的上表面；及一对保护胶带(9A、9B)，从上下夹着一对引线框及传感器部而彼此粘结，绝缘性薄膜的两侧部(5a)配设于在一对引线框的粘结面侧上所配设的外侧角部(2b)的附近且内侧，保护胶带的两侧部(9a)从绝缘性薄膜的两侧部在外侧朝向上表面侧弯曲。
温度传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480021973.1有效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式(M1‑vVv)xAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑V‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480020885.X有效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式VxAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480031428.0有效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式Mx(Al1‑vSiv)y(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜v＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑Al‑Si合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480026067.0有效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式MxAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]温度传感器-CN201380040118.0有效
发明人：长友宪昭;稻场均;田中宽;竹岛一太 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种温度传感器，其在与加热辊等接触来检测温度时，响应性优异。本发明的温度传感器具备一对引线框(2)；传感器部(3)，与一对引线框连接；及绝缘性保持部(4)，固定于一对引线框来保持引线框，传感器部具备绝缘性薄膜(6)；薄膜热敏电阻部(7)，在绝缘性薄膜的表面以热敏电阻材料图案形成；一对梳状电极(8)，在薄膜热敏电阻部上具有多个梳部并相互对置地图案形成；及一对图案电极(9)，连接于一对梳状电极，在绝缘性薄膜表面图案形成，一对引线框在绝缘性薄膜表面将薄膜热敏电阻部配置在之间而延伸并被粘接，并且连接于一对图案电极(9)。
温度传感器

[发明专利]温度传感器及其制造方法-CN201380013565.7有效
发明人：长友宪昭;稻叶均;田中宽 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种温度传感器及其制造方法，该温度传感器在针对TiAlN的热敏电阻材料层的电极结构中即使在高温环境下也不易成为高电阻，进而能够通过非烧成的方式在薄膜等上直接成膜，且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备绝缘性基材(2)；薄膜热敏电阻部(3)，形成于该绝缘性基材上；及一对图案电极(4)，以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性基材上，薄膜热敏电阻部由TiAlN的热敏电阻材料形成，图案电极具有TiN的接合层(5)，形成于薄膜热敏电阻部上；及电极层(6)，由贵金属形成于该接合层上。
温度传感器及其制造方法

[发明专利]温度传感器-CN201380011445.3有效
发明人： 田中宽;稻场均;竹岛一太;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种温度传感器，其在弯曲薄膜时在TiAlN的热敏电阻材料层上不易产生裂纹，并且能够通过非烧成直接成膜于薄膜等上，且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备绝缘性薄膜(2)；薄膜热敏电阻部(3)，由TiAlN的热敏电阻材料形成于该绝缘性薄膜上；及一对图案电极(4)，以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性薄膜上，一对对置电极部覆盖除相互对置之间的区域以外的薄膜热敏电阻部的整个表面。
温度传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201380004775.X有效
发明人：藤田利晃;田中宽;稻场均;藤原和崇;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式TixAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201380004634.8有效
发明人：藤田利晃;田中宽;稻叶均;藤原和崇;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：Ti_xAl_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480031424.2无效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：M_x(Al_1-wSi_w)_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜w＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-Al-Si合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480028781.3无效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：M_xAl_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480022247.1无效
发明人：藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-06-02 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的热敏电阻用金属氮化物材料是用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M_1-wV_w)_xAl_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜w＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，所述M为Ti、Cr内的一种或两种。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-V-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，所述M为Ti、Cr内的一种或两种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

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