专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202310319970.7在审
  • 名渊雄太;下村彰宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-03-29 - 2023-10-27 - H01L27/088
  • 本公开涉及一种半导体器件。公开了一种改进的具有超结结构的功率MOSFET。改进的功率MOSFET包括多个单位单元UC,并且多个单位单元UC中的每个单位单元UC包括柱状区域PC1、柱状区域PC2、在X方向上形成在柱状区域PC1和PC2之间的一对沟槽TR以及经由栅极绝缘膜(GI)而形成在一对沟槽TR中的一对栅极电极GE。在平面图中,一对沟槽TR和一对栅极电极GE在Y方向上延伸。多个柱状区域PC1被形成为沿着Y方向彼此间隔开,并且柱状区域PC1在Y方向上的宽度(L1)比柱状区域PC1在X方向上的宽度(L2)更宽。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件以及半导体系统-CN202310054015.5在审
  • 田中信二;泽田阳平;森本薰夫 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-02-03 - 2023-10-27 - G11C7/06
  • 本公开的各实施例涉及半导体器件以及半导体系统。一种半导体器件包括存储器阵列,存储器阵列具有以矩阵形式布置以存储条目的多个关联存储器单元。存储器阵列被划分为用于沿着列方向顺序地执行检索操作的多个存储器块,并且还包括:多个匹配线,对应于相应存储器块并且被对应地提供给每个存储器单元行;多个搜索线,对应于相应存储器块并且被对应地提供给每个存储器单元列;以及多个匹配放大器,对应于相应存储器块并且被提供给多个匹配线。对应地提供给在前存储器块的匹配线被设置为比对应地提供给后续存储器块的匹配线短。存储器阵列还包括定时控制单元,用于基于对应地提供给在前存储器块的匹配线的长度来控制驱动后续存储器块的搜索线的定时。
  • 半导体器件以及半导体系统
  • [发明专利]半导体模块的制造方法及半导体模块-CN201810200233.4有效
  • 武藤邦治;板东晃司 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-03-12 - 2023-10-27 - H01L23/36
  • 本发明提供半导体模块的制造方法及半导体模块,能够提高半导体模块的可靠性。在半导体模块(SA)装配的树脂模制工序中,以芯片搭载部(TAB1~4)各自的背面从密封体(MR)的背面(BS6)露出的方式对IGBT芯片(10)、二极管芯片、控制芯片、芯片搭载部(TAB1~4)各自的一部分进行树脂模制。在上述树脂模制之后,在密封体(MR)的背面(BS6)上以覆盖芯片搭载部(TAB1~4)各自的背面(露出部)的方式粘贴绝缘层(70),然后,在绝缘层(70)上粘贴TIM层(80)。其中,俯视图中TIM层(80)的区域被包含于绝缘层(70)的区域中。
  • 半导体模块制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810690827.8有效
  • 森山卓史;利根川丘 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-06-28 - 2023-10-27 - H01L23/485
  • 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法,该方法确保提高的可靠性,允许进一步小型化,以及抑制在制造成本上的增加。该半导体器件包括:在在半导体衬底的上方形成的多层布线层的最上层布线层中形成的焊盘电极;以覆盖该焊盘电极的方式形成的表面保护膜;在所述表面保护膜中以部分暴露所述焊盘电极的方式形成的开口;以及,在暴露于开口底部处的焊盘电极上方形成导电层。在焊盘电极上方形成的导电层的厚度小于在焊盘电极上方形成的表面保护膜的厚度。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202310428122.X在审
  • 白石信仁;铃村直仁 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-04-20 - 2023-10-24 - H01L23/522
  • 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜、第一布线和第二布线、以及电阻器膜。第一布线设置在第一层间绝缘膜上。第二层间绝缘膜包括第一层和第二层。第一层设置在第一层间绝缘膜上以覆盖第一布线。电阻器膜设置在第一层上。电阻器膜包括硅铬、引入有碳的硅铬、镍铬、氮化钛和氮化钽中的至少一种。第二层设置在第一层上以覆盖电阻器膜。第二布线设置在第二层上。在第二层间绝缘膜的厚度方向上,与第二布线相比,电阻器膜更靠近第一布线。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202310151804.0在审
  • 白石信仁;森本康夫;船户是宏 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-02-22 - 2023-10-24 - H01L27/01
  • 一种半导体器件包括被布置在层间介电膜上的多个电阻膜。多个电阻膜中的每一个在平面图中在第一方向上延伸。多个电阻膜在平面图中被布置成在与第一方向正交的第二方向上间隔开。多个电阻膜被划分成第一组、第二组和第三组。第一组在第二方向上位于第二组与第三组之间。属于第二组的多个第二电阻膜的每一个的第二宽度变化量和属于第三组的多个第三电阻膜的每一个的第三宽度变化量大于属于第一组的多个第一电阻膜中的每一个的第一宽度变化量。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010096797.5有效
  • 绪方完 - 瑞萨电子株式会社
  • 2016-03-15 - 2023-10-24 - H10B43/35
  • 本发明公开了一种半导体器件。在该半导体器件中,形成于存储器单元中的偏移间隔件由硅氧化物膜和硅氮化物膜的层压膜形成,并且硅氧化物膜特别地形成为与存储器栅极电极的侧壁以及电荷储存膜的侧端部分直接接触;另一方面,形成于MISFET中的偏移间隔件由硅氮化物膜形成。特别地在MISFET中,硅氮化物膜与栅极电极的侧壁以及高介电常数膜的侧端部分直接接触。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体设备-CN201810390512.1有效
  • 横山佳巧;桥爪毅;佐野聪明 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-04-27 - 2023-10-24 - G11C11/417
  • 一种半导体设备包括:存储器单元,具有通过从电源线VSS和VDD施加的电压驱动的存储器单位;以及存储器单元电位控制器,用于调整施加于存储器单位的电压的电位。存储器单元电位控制器包括设置在电源线VSS和ARVSS之间的第一电位调整部以及设置在电源线VDD与ARVSS之间的第二电位调整部。此外,存储器单元电位控制器通过第一电位调整部基于在电源线VSS与存储器单位的第一端部之间提供的第一电流来调整电源线ARVSS的电位,并且通过第二电位调整部调整在电源线VDD与ARVSS之间提供的第二电流,从而快速地稳定施加于存储器单位的电位。
  • 半导体设备
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710794982.X有效
  • 松尾隆充;松浦仁;齐藤靖之;星野义典 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-09-06 - 2023-10-24 - H01L29/739
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在有效区域(ACR)中,在沟槽(TRC)内配置有栅电极(GEL)。与栅电极(GEL)隔开距离地在沟槽(TRC)内配置有发射极电极(EEL)。在有效区域(ACR)形成有源极扩散层(SDR)和基极扩散层(BDR)。基极扩散层(BDR)的基极底部以发射极电极(EEL)侧的基极底部的部分位于比栅电极(GEL)侧的基极底部的部分深的位置的形态倾斜。接触部(CCN)的接触底部以与发射极电极(EEL)接触的接触底部的部分位于比与基极扩散层(BDR)接触的接触底部的部分深的位置的形态倾斜。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]模/数转换器和毫米波雷达系统-CN201810350659.8有效
  • 大岛俊;松井彻郎;深泽光弥;矢野智比古 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-04-18 - 2023-10-24 - H03M3/00
  • 本发明涉及模/数转换器和毫米波雷达系统。一种调制器,其包括包含模拟电路的模拟积分器和对其输出信号进行量化的量化器。向其中输入外部输入信号。调制器被联接到所述调制器的后一级,并且包括第二量化器。探测信号生成电路向所述调制器注入探测信号。自适应滤波器通过根据所述探测信号观察所述量化器的输出信号来搜索所述调制器的传递函数,另一个自适应滤波器通过根据所述探测信号观察所述量化器的输出信号来搜索所述调制器的传递函数。噪声消除电路使用自适应滤波器的搜索结果来消除由量化器生成的量化误差。
  • 转换器毫米波雷达系统
  • [发明专利]用于油泵电机的驱动设备和用于油泵电机的驱动控制方法-CN201810488958.8有效
  • 青木尚彦;石川洁 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-05-21 - 2023-10-24 - H02P21/22
  • 本发明涉及用于油泵电机的驱动设备和用于油泵电机的驱动控制方法。所述油泵电机驱动设备包含:电流检测单元,其用于检测流经定子的线圈的多相位电流中的每一者;控制单元,其用于将所检测的多相位电流转换为d轴电流Id和q轴电流Iq,通过比较d轴电流Id与d轴电流命令值Idref且比较q轴电流Iq与所述d轴电流命令值Idref来计算转子的实际旋转位置与假想旋转位置之间的相位误差,执行控制以使得所述相位误差接近零,并将指示要施加到所述无刷电机的各个相位的电压的电压命令值输出到电机驱动电路,其中当所述电机的转数小于预定数量时所述控制单元将d轴电流命令值Idref设定为大于零的值。
  • 用于油泵电机驱动设备控制方法
  • [发明专利]内容可寻址存储器-CN201810531259.7有效
  • 泽田阳平;薮内诚;森本薰夫 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-05-29 - 2023-10-24 - G11C15/04
  • 本申请涉及一种内容可寻址存储器。该内容可寻址存储器包括:多个TCAM单元,其构成一个条目;第一字线,其被耦合到所述TCAM单元;第二字线,其被耦合到所述TCAM单元;以及匹配线,其被耦合到所述TCAM单元,并且还包括有效单元,其存储指示所述条目的有效或无效的有效位;位线,其被耦合到所述有效线;以及选择电路,其被耦合到所述第一字线和所述第二字线,并且根据其中所述第一字线或所述第二字线被设定为选定状态的情形将所述有效单元设定为选定状态。
  • 内容寻址存储器
  • [发明专利]数据访问设备和访问错误通知方法-CN201810652432.9有效
  • 山下源 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-06-22 - 2023-10-24 - G06F9/38
  • 本申请涉及数据访问设备和访问错误通知方法。实现了通过总线主设备针对推测性访问的错误通知和通过总线从设备针对非推测性访问的错误通知,同时抑制了总线主设备的电路规模。总线请求包括用于选择针对访问的错误通知是由总线从设备还是由总线主设备来执行的模式信息。在总线请求中包括指示由总线从设备来执行错误通知的模式信息的情况下,当发生针对该总线请求中的访问的错误时,总线从设备执行错误通知。在已经固定了推测性加载访问的指令的执行并且已经从总线从设备接收到用于加载访问的错误信息的情况下,总线主设备基于该错误信息来执行错误通知。
  • 数据访问设备错误通知方法
  • [发明专利]半导体集成电路器件和数据比较方法-CN201811066311.2有效
  • 山田弘道;山手章弘;汤山洋一 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-09-13 - 2023-10-24 - G11C11/4063
  • 本发明提供一种半导体集成电路器件和数据比较方法。在不使用CPU的情况下比较存储器空间上的数据,并且基于比较的次数和与比较条件一致的次数中的至少一个,在中断条件下产生中断。中断控制器将中断信号输出到第一CPU核心或第二CPU核心。DMAC将存储器空间上的数据传输到第一缓冲器和第二缓冲器中的至少一个。比较电路将第一缓冲器的数据与第二缓冲器的数据比较。条件一致频率计数器对比较电路中的比较与比较条件一致的次数进行计数。中断请求电路基于条件一致频率计数器的值和比较频率计数器的值中的至少一个,向中断控制器输出中断请求。
  • 半导体集成电路器件数据比较方法

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