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- [发明专利]制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器-CN202010199362.3有效
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王璐;王珈
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北京嘉圣光通科技有限公司
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2020-03-20
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2021-08-03
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H01S5/187
- 本发明提供了一种制作VCSEL的方法及VCSEL,方法包括:在衬底上依次外延生长缓冲层、电极下接触层、镓砷层、光限制层以及电光限制层;对电光限制层和光限制层进行光刻以形成通光圆孔;在电光限制层表面,依次外延生长空穴载流子势垒区、量子阱有源区、电子载流子限制区、反射镜层以及电极上接触层;在电极上接触层上制作n型电极层,将电极上接触层的外延面烧结在金属化的热沉上;去除衬底直至暴露电极下接触层;腐蚀电极下接触层、镓砷层直至露出空穴载流子势垒区,得到出光孔,在出光孔内淀积介质膜DBR;在电极下接触层上刻蚀并淀积介质隔离层;在电极下接触层外延表面,套刻制作不经过介质膜DBR的P型电极环。可以提高VCSEL的成品率。
- 制作垂直发射激光器方法
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