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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202310987574.1在审
  • 刘严华;冯伟;王淑奇;俞华亮 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-08-07 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 本公开提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，半导体结构包括：衬底、栅介质层和字线，衬底包括间隔设置的多个有源区，衬底中具有间隔排布的多个字线沟槽，字线沟槽暴露有源区；栅介质层覆盖字线沟槽的槽壁，字线包括第一导电层和第二导电层，第一导电层位于栅介质层上，第二导电层位于第一导电层上，第一导电层的功函数小于第二导电层的功函数。字线还包括功函数较大的第二导电层，从而可以提高字线的功函数，以增大晶体管的阈值电压，从而提升晶体管的抗干扰能力和可靠性。因此，本公开提供的半导体结构和半导体结构的制备方法，可以改善晶体管的抗干扰能力。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]晶体管结构及其制备方法-CN202310975923.8在审
  • 倪振飞;俞华亮;王淑奇 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-09-19 - H01L21/336
  • 本公开实施例提供一种晶体管结构及其制备方法。该方法包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成第一功函数调整结构，第一功函数调整结构包括依序堆叠的第一扩散阻挡层、第一功函数调整层和第二扩散阻挡层；在第一功函数调整结构上形成第二功函数调整结构，包括：在第二扩散阻挡层上形成第二功函数调整层；利用射频薄膜沉积工艺在第二功函数调整层上形成第三扩散阻挡层；利用直流薄膜沉积工艺在第三扩散阻挡层上形成第四扩散阻挡层；以及在第二功函数调整结构上形成栅极层。本公开的制备方法能够使晶体管结构有效阻挡金属元素的扩散，提高晶体管结构的电学性能，提高良率。
  • 晶体管结构及其制备方法
  •  1 
  • 共 3 条
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