“王利凡”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种宽带正交混频器-CN202111461631.X有效
发明人：刘德鹏;陈雷;魏慧婷;王盟皓;文武;王利凡;张秋艳 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽带正交混频器，RC移相器作为本振信号的接收端，将本振信号产生器产生的同频反相的两路差分信号拆分成同频正交的两对差分本振信号；第一、第二限幅放大器分别接收一对上述幅度不一致的差分本振信号，并放大成为幅度一致的正交的两对差分本振信号；第一、第二混频模块分别接收所述第一、第二限幅放大器输出的两路差分本振信号，与两路差分基带信号进行混频；带宽扩展‑增益平衡模块接收第一、第二混频模块输出的电流信号并将两路电流信号转换成电压信号输出至差分转单端放大器；差分转单端放大器将混频后的两路射频信号转换成单端信号并放大。本发明中宽带正交混频器，在宽工作频率范围内保证了良好的线性度、隔离度和低噪特性。
一种宽带正交混频器

[发明专利]具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管-CN201910000686.7有效
发明人：金冬月;郭斌;张万荣;陈蕊;王利凡;陈虎;贾晓雪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生电容，提高器件频率特性；降低漏电流，使得器件具有更低的功耗；消除闩锁效应以及改善混频信号电路串扰问题。Si3N4绝缘层改善器件热阻，达到降低器件整体温度分布的目的。晶体管的SiGe基区中Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯型分布结构，在保证较高特征频率和较大电流增益的同时，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，器件的温度敏感性得到改善。所述晶体管的结温更低，电流增益和静态工作点抗扰动能力更强，可在较宽的工作偏置范围内实现器件的热稳定工作。
具有温度敏感性 soi sige 异质结双极晶体管

[发明专利]一种正交解调器芯片-CN202111642702.6在审
发明人：王盟皓;陈雷;张秋艳;陈蕊;单连志;张乃康;张超轩;侯训平;马志远;佟颖;陈雄飞;魏慧婷;王利凡;刘德鹏;文武 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明提出了一种正交解调器芯片，其基本功能为实现信号频率的转换。其输入信号为射频信号，输出信号为基带信号，通过外加本振信号，实现对信号的下变频处理。正交信号发生器采用SCL分频器将输入的差分本振信号分频，并生成四路同频互为90°相位差的本振信号，该信号经过放大及缓冲送入混频器；混频器将输入的射频信号转换为电流信号，与本振信号进行混频，在阻性负载内相加并馈入后级输出缓冲器；输出缓冲器将混频后的IQ正交信号输出，并通过片内电阻实现固定阻抗，实现宽带阻抗匹配；上述三个部分均通过偏置模块提供直流偏置。输入射频信号差分形式；本振信号为差分形式或单端形式；输出基带信号为IQ正交信号，频率为本振与射频信号频率的差。
一种正交解调器芯片

[实用新型]一种具有版图布局的射频LC型压控振荡器-CN202023019925.0有效
发明人： 王利凡;魏慧婷;文武;张佃伟 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H03B5/20 文献下载
摘要：本实用新型一种具有版图布局的射频LC型压控振荡器，设置9个版图区域，偏置电路模块位于第一版图区域(1)、二次谐波滤除电路位于第二版图区域(2)、第一固定电容阵列和第二固定电容阵列分别位于第三版图区域(3)和第四版图区域(4)，第一PMOS管P1一分为二位于第五版图区域(5)和第六版图区域(6)，第二PMOS管P2一分为二位于第五版图区域(5)和第六版图区域(6)，第一可变电容阵列和第二可变电容阵列分别位于第七版图区域(7)和第八版图区域(8)；差分电感L2位于第九版图区域(9)，合理规划信号通路和版图布局，具有低噪声、高性能。
一种具有版图布局射频 lc 压控振荡器

[发明专利]具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管-CN201711227122.4有效
发明人：金冬月;王利凡;张万荣;陈蕊;郭燕玲;郭斌;陈虎 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N‑集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率‑击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
具有特征频率击穿电压 soi sige 异质结双极晶体管

[发明专利]高热稳定性超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管-CN201610617990.2有效
发明人：金冬月;赵馨仪;张万荣;郭燕玲;陈蕊;王利凡 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-07-30 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si_1‑yGe_y次集电区、弛豫Si_1‑yGe_y集电区、应变Si_1‑xGe_x基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si_1‑yGe_y集电区引入与应变Si_1‑xGe_x基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si_1‑yGe_y集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si_1‑yGe_y集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
高热稳定性应变 si sige 异质结双极晶体管