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[发明专利]非挥发性内存元件-CN202310064239.4在审
发明人：范德慈;黄义欣;郑宗文 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性内存元件，包括至少一个内存单元，内存单元包括衬底、堆叠结构、穿隧介电层、浮置闸极、控制闸极结构和抹除闸极结构。堆叠结构设置在衬底上，并且包括依序堆叠的闸极介电层、辅助闸极和绝缘层。穿隧介电层位于堆叠结构一侧的衬底上。浮置闸极设置在穿隧介电层上，并包括最上边缘和曲面侧壁。控制闸极结构覆盖浮置闸极的曲面侧壁。抹除闸极结构覆盖浮置闸极和控制闸极结构，且浮置闸极的最上边缘被嵌入至抹除闸极结构中。
挥发性内存元件

[发明专利]非挥发性内存元件的制造方法-CN202210381383.6在审
发明人：范德慈;黄义欣;蔡振明;郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性内存元件的制造方法，包括以下步骤。在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的闸极介电层、辅助闸极、绝缘层和牺牲层。在堆叠结构的一侧形成穿隧介电层。在穿隧介电层上形成浮置闸极。蚀刻堆叠结构，直到浮置闸极的最上边缘高于绝缘层的顶面。形成介电材料层以覆盖浮置闸极的侧壁。蚀刻介电材料层以形成受蚀刻介电材料层，并暴露出浮置闸极的最上边缘。在受蚀刻介电材料层上形成上闸极结构，其中受蚀刻介电材料层的一部分设置在上闸极结构和衬底之间。
挥发性内存元件制造方法

[发明专利]非挥发性内存元件-CN202310064288.8在审
发明人：范德慈;黄义欣;郑宗文;郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性内存元件，其包括至少一内存单元，内存单元包括衬底、辅助闸极结构、穿隧介电层、浮置闸极和上闸极结构。辅助闸极结构设置在衬底上。浮置闸极包括沿第一方向设置的两个相对第一最上边缘、沿第一方向设置的两个相对第一侧壁和沿不同于第一方向的第二方向设置的两个相对第二侧壁。上闸极结构覆盖辅助闸极结构和浮置闸极，其中浮置闸极的至少一第一最上边缘嵌入于上闸极结构中。部分的上闸极结构在第二方向上延伸超过浮置闸极的第二侧壁，且上闸极结构的所述部分设置在衬底上。
挥发性内存元件

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201910808137.2有效
发明人：范德慈;黄义欣;郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，所述非易失性存储器具有存储单元。存储单元包括源极区与漏极区、选择栅极、虚拟选择栅极、浮置栅极、抹除栅极、控制栅极。选择栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于选择栅极与源极区之间的基底上，且浮置栅极的顶部两侧具有二对称的转角部。浮置栅极的高度高于选择栅极与虚拟选择栅极的高度，抹除栅极设置于源极区上，且抹除栅极包覆浮置栅极的源极侧的转角部。控制栅极设置于抹除栅极与浮置栅极上。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201910431266.4有效
发明人：范德慈;黄义欣;郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，所述非易失性存储器具有存储单元。存储单元包括源极区与漏极区、选择栅极、虚拟选择栅极、浮置栅极、抹除栅极、控制栅极。选择栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于选择栅极与源极区之间的基底上，且浮置栅极的顶部两侧具有对称的转角部，高度低于选择栅极的高度，抹除栅极设置于源极区上，且抹除栅极包覆源极侧的转角部。控制栅极设置于抹除栅极与浮置栅极上。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201510393338.2有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该存储器包括存储单元，存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]具有字元抹除与减少写入干扰的非易失性存储器装置-CN201710270037.X有效
发明人：黄义欣;许志强 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置包括多个存储单元区块。所述多个存储单元区块配置为存储单元阵列。所述存储单元区块为一个抹除单元，各别包括多个存储单元、第一字元线以及第二字元线。所述多个存储单元各别包括第一存储单元以及第二存储单元。所述存储单元阵列的每一行设置选择信号线，并且所述选择信号线通过多个N型晶体管耦接每一行当中的所述多个存储单元区块。所述多个存储单元区块依据每一行的所述选择信号线提供的选择信号来各别决定是否执行读取操作、写入操作或抹除操作。
具有字元减少写入干扰非易失性存储器装置

[发明专利]非挥发性内存装置-CN201710088294.1有效
发明人：黄义欣 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种非挥发性内存装置，具有记忆胞数组、列译码器以及高压译码器。其中高压译码器包括多个传输信道电路与多个第一下拉电路。各个传输信道电路于对应的记忆胞被进行抹除操作时，依据抹除栅极控制信号限制传输电流至对应的抹除栅极。第一下拉电路于被选择的记忆胞进行抹除操作时，将未被选择的记忆胞的抹除栅极连接至接地。本发明可有效地降低非挥发性内存装置的电路复杂度，提高非挥发性内存装置的生产良率。
挥发性内存装置

[发明专利]非易失性存储器-CN201510217351.2有效
发明人：郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司;郑育明
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器，具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、第一及第二浮置栅极、抹除栅介电层、辅助栅介电层、第一及第二掺杂区、第一及第二控制栅极。堆叠结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。第一及第二浮置栅极分别设置在堆叠结构两侧的侧壁。抹除栅介电层设置在抹除栅极与第一及第二浮置栅极之间。辅助栅介电层设置在辅助栅极与第一及第二浮置栅极之间。第一及第二掺杂区分别设置在堆叠结构与第一及第二浮置栅极两侧。第一及第二控制栅极分别设置在第一及第二浮置栅极上。本发明可以低操作电压操作，进而增加半导体元件的可靠度。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201510060039.7有效
发明人：郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司;郑育明
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器，具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、隧穿介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区、漏极区、控制栅极以及栅间介电层。堆叠结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。隧穿介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器-CN201510147610.9有效
发明人：郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司;郑育明
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器，具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、第一掺杂区以及第二掺杂区。堆叠结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。第一掺杂区邻接浮置栅极、且第一掺杂区的一部分延伸至浮置栅极下方，第二掺杂区邻接堆叠结构的第二侧，第一侧与所述第二侧相对。本发明可以提高元件的积集度；以及低操作电压操作，增加半导体元件的可靠度。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器及其抹除方法-CN201510140206.9有效
发明人：郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司;郑育明
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其抹除方法，非易失性存储器具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除介电层、源极区、漏极区、控制栅极以及栅间介电层。堆叠结构具有依次设置的删介电层、栅极、绝缘层。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除介电层设置于栅极与浮置栅极之间。抹除介电层包括第一部分与厚度小于或等于第一部分的第二部分，且浮置栅极的转角部邻近第二部分。源极区与漏极区分别设置于堆叠结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，可以低操作电压操作，进而增加半导体元件的可靠度。
非易失性存储器及其方法

[实用新型]非易失性存储器-CN201520483612.0有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人： 物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非易失性存储器，具有存储单元。该存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，其中堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器

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