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[发明专利]半导体器件和半导体组件-CN200510053421.1有效
发明人： 濑户雅晴 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-07 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括半导体衬底和在其上形成的多层互连结构，该多层互连结构包括相对介电常数小于SiO2膜的层间绝缘膜；密封树脂层，覆盖多层互连结构侧的半导体芯片的第一主表面，并覆盖半导体芯片的侧面；以及应力松弛树脂层，插在半导体芯片和密封树脂层之间，覆盖多层互连结构侧的半导体芯片的至少部分边缘，以及杨氏模量小于密封树脂层。
半导体器件半导体组件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN03121469.X无效
发明人： 濑户雅晴;松尾美惠 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：按照本发明第一方面所述制造半导体器件的方法包括：形成一个第一光敏树脂固化层，该第一光敏树脂固化层包括在半导体基板上方的一个第一开口，在上述半导体基板上形成一个基础布线层，第一开口在基础布线层上方制成；在第一光敏树脂固化层上形成一个第二光敏树脂固化层，该第二光敏树脂固化层包括一个第二开口，第二开口的底部包括第一开口的开口顶部；及形成一个布线层以便填满第一和第二开口。
制造半导体器件方法