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[发明专利]一种分子束外延源料原位预处理方法-CN202011311933.4有效
发明人：杜鹏;龚欣;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍;陈长平 -专利权人： 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延源料原位预处理方法，包括步骤：S1、坩埚下降至外筒内，关闭闸阀，外筒充气至大气压后卸下外筒，取下坩埚，将源料装入坩埚并盖上坩埚盖，将坩埚放回至坩埚托架上，将外筒重新连接至闸阀，外筒抽气至合适真空度后，打开闸阀，坩埚移动至工艺位置；S2、加热器对坩埚下部进行加热；S3、加热器对坩埚上部进行加热；S4、坩埚下降至外筒内，关闭闸阀，外筒充气至大气压后卸下外筒，取下坩埚盖，将外筒重新连接至闸阀，外筒抽气至合适真空度后，打开闸阀，坩埚移动至工艺位置。本发明具有操作简便、效率高，预处理后的料锭质地紧密，与坩埚形状相同，可显著提高蒸发束流的稳定性等优点。
一种分子外延原位预处理方法

[发明专利]一种三状态分子束外延用束源炉快门-CN202011453051.1有效
发明人：杜鹏;龚欣;付宏伟;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍;陈长平 -专利权人： 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三状态分子束外延用束源炉快门，在具备束流开启与束流关断两种状态的基础上，新增第三种束源炉保护状态，处于束源炉保护状态的快门可以有效阻挡冷屏内壁上吸附的材料碎片掉落入束源炉中，具有可以保护束源炉内源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性、降低设备维护时间、提高设备生产效率等优点。
一种状态分子外延用束源炉快门

[实用新型]一种用于超高真空系统的低温旋转样品架-CN202120509435.4有效
发明人：杜鹏;龚欣;魏唯;陈峰武;付宏伟;肖慧;宁澍;陈长平 -专利权人： 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B01L7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于超高真空系统的低温旋转样品架，包括冷却液循环室、轴承、转动部件、驱动机构以及用于固定样品的夹持部件，所述转动部件上设有所述夹持部件，所述驱动机构与所述转动部件相连，所述冷却液循环室与所述转动部件通过所述轴承接触，所述冷却液循环室连接有冷却液输入管道及冷却液输出管道。本实用新型具有结构简单、操作方便，无需设置软连接，可靠性好等优点。
一种用于超高真空系统低温旋转样品

[发明专利]一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备-CN202110683800.8在审
发明人：杜鹏;龚欣;付宏伟;魏唯;陈峰武;肖慧;宁澍;陈长平 -专利权人： 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备，包括腔室，源炉，第一快门和第二快门；源炉的炉口朝向腔室内设置，第一快门和第二快门向腔室内延伸，且第一快门和第二快门至少部分露出于腔室外壁；通过在腔室外操作第一快门，可将第一快门调整至完全遮挡源炉的蒸发路径的第一位置或者完全离开蒸发路径的第二位置；通过在腔室外操作第二快门，可将第二快门调整至覆盖源炉3炉口正上方的第三位置或者靠近源炉3炉口加热器的第四位置。根据本公开的双快门源炉系统能够保护源炉内的源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性。
一种快门分子外延系统设备

[发明专利]一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉-CN202011315020.X有效
发明人：杜鹏;龚欣;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍;陈长平 -专利权人： 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉，包括坩埚托架、安装法兰、设于安装法兰上侧的热屏蔽筒、设于安装法兰下侧的闸阀、设于闸阀下侧的外筒、以及用于带动坩埚托架在热屏蔽筒和外筒之间移动的升降驱动机构，所述热屏蔽筒内设有加热器，所述外筒连接有真空泵，所述升降驱动机构与所述外筒密封连接。本发明具有结构简单、成本低、可靠性高、占用空间少等优点。
一种坩埚移动分子外延用束源炉

[发明专利]一种分子束外延源料冷却方法-CN202011311954.6有效
发明人：杜鹏;龚欣;陈长平;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍 -专利权人： 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延源料冷却方法，包括步骤：分子束外延工艺结束后，坩埚托架带动坩埚缓慢下降移出高温区间，使坩埚中的源料自下而上逐渐凝固，直至坩埚中的源料全部凝固。本发明具有操作简便，可在普通热蒸发源的基础上实现大容量、大束流、高可靠性的源料蒸发与冷却等优点。
一种分子外延冷却方法