“温占福”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]高抑制度带阻滤波器-CN201620074344.1有效
发明人：贾朋乐;韩玉成;温占福;黄勇飞;钟清华;严勇;王利凯 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高抑制度带阻滤波器，包括介质基板，所述介质基板的一表面固定有导电传输线，所述导电传输线的一端为信号输入端，所述导电传输线的另一端为信号输出端，所述导电传输线两端与所述介质基板的两端对应齐平设置，所述介质基板上位于固定所述导电传输线的一侧固定布置有谐振器，所述谐振器在所述介质基板上呈一字排开方式排列设置，贯穿各所述谐振器分别对应设有接地孔，所述接地孔表面设有导电层；上述结构带阻滤波器可以满足紧凑型500MHz宽带的使用要求，高抑制度高，阻带范围内抑制度达到40dB，和传统的带阻滤波器相比，还具有体积小、指标优异和批量生产易实现等特点，可以根据用户的实际需要进行任意剪裁，使用很方便。
抑制带阻滤波器

[发明专利]一种新型绝缘边电容器制作方法-CN201610093743.7在审
发明人：王利凯;韩玉成;潘甲东;尚超红;刘剑林;严勇;温占福;孙鹏远 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种新型绝缘边电容器制作方法，解决了现有技术中光刻法制备的电容器电容值的差异大、外观合格率差的问题，一种新型绝缘边电容器制作方法，适用于一含绝缘层的基片上，其特征在于，该方法包括1)在所述基片制作电极前，根据电容公式计算出电容器电极间的尺寸，2)用划片机对所述绝缘层处进行切割；3)再用0.03mm厚度的刀片沿绝缘边中心切割成单颗电容器，即得，用切割方法实现电容器尺寸的精准性，切割线条清晰、明显、直线度好；绝缘边无金属残留，可以完全达到绝缘的作用，电容值、外观合格率有明显提高。
一种新型绝缘电容器制作方法

[发明专利]一种MIS薄膜电容器的制造工艺-CN201510724429.X在审
发明人：尚超红;杜玉龙;韩玉成;李胜;陈凯;王五松;潘甲东;严勇;王利凯;刘剑林;温占福 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种MIS薄膜电容器的制造工艺，包括以下步骤：低电阻率硅衬底准备、硅片清洗、生成氧化硅层、沉积氮化硅层、热处理、溅射上电极、曝光显影、电镀、腐蚀、背部减薄、溅射下电极、划片切割。本发明采用低电阻率硅片作为衬底，依次在低电阻率硅衬底上生长氧化硅层和沉积氮化硅层双层介质作为绝缘功能层，提高了电容器的Q值(大于10000)，减小了电容温度系数(小于50ppm/℃)，并有效降低了电容器内粒子贯穿几率，提高了MIS薄膜电容器的耐压和稳定性，其制备工艺简单，与普通半导体薄膜工艺兼容，成本低廉，稳定性和重复性较好，适合批量化生产。
一种 mis 薄膜电容器制造工艺