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[发明专利]β型赛隆荧光体和发光装置-CN201980075937.6有效
发明人：小林学;小林庆太;野见山智宏;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：一种固溶有铕的β型赛隆荧光体，将上述β型赛隆荧光体的一次粒子的50％面积平均直径设为D50，将上述β型赛隆荧光体的一次粒子的10％面积平均直径设为D10，上述D50为7.0μm～20.0μm，(D50－D10)/D50为0.60以下。这里，一次粒子定义为利用电子背散射衍射图像法来识别β型赛隆荧光体的各个粒子中的晶体取向并针对各晶体取向区分出的单晶粒子。而且，D50和D10通过对该一次粒子的截面积进行图像解析而求出。
型赛隆荧光发光装置

[发明专利]α型塞隆荧光体及发光装置-CN201980022219.2有效
发明人：武田雄介;野见山智宏;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供一种α型塞隆荧光体，该荧光体由通式：MxEuy(Si,Al)12(O,N)16表示(其中，M为选自Li、Mg、Ca、Y及镧系元素(除La和Ce外)中的至少1种以上的元素，0x及0y。)，以与α型塞隆晶相相同的晶体结构作为主晶，体积密度为1.00g/cm3以上且1.80g/cm3以下。此外，提供一种发光元件，其具有前述α型塞隆荧光体、以及能够激发前述α型塞隆荧光体的半导体发光元件。
型塞隆荧光发光装置

[发明专利]β型塞隆荧光体及发光装置-CN201980022458.8有效
发明人：武田雄介;野见山智宏;小林学;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供一种β型塞隆荧光体，其由通式：Si6‑zAlzOzN8‑z(0z4.2)表示，其以与β型塞隆晶相相同的晶体结构作为主晶，体积密度为0.80g/cm3以上且1.60g/cm3以下。此外，提供一种发光元件，其具有前述β型塞隆荧光体、以及能够激发前述β型塞隆荧光体的半导体发光元件。
型塞隆荧光发光装置

[发明专利]荧光体粉末、复合体以及发光装置-CN202080025108.X有效
发明人：野见山智宏;武田雄介;山浦太阳;奥园达也;宫崎胜;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明的一个方案是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。对于该荧光体粉末，将在大气气氛下在600℃保持1小时后的内量子效率设为P1、将在大气气氛下在700℃保持1小时后的内量子效率设为P2时，P1为70％以上，并且(P1－P2)/P1×100为2.8％以下。
荧光粉末复合体以及发光装置

[发明专利]荧光体粒子、复合体、发光装置和荧光体粒子的制造方法-CN202080025133.8有效
发明人：野见山智宏;武田雄介;高村麻里奈;奥园达也;宫崎胜;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：一种含有Eu的α型塞隆荧光体粒子。在该α型塞隆荧光体粒子表面形成有至少一个狭缝。该α型塞隆荧光体粒子优选经过原料的混合工序、加热工序、粉碎工序和酸处理工序来制造。
荧光粒子复合体发光装置制造方法

[发明专利]荧光体粒子、复合体、发光装置和荧光体粒子的制造方法-CN202080025231.1有效
发明人：野见山智宏;武田雄介;高村麻里奈;奥园达也;宫崎胜;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：一种含有Eu的α型塞隆荧光体粒子。在该α型塞隆荧光体粒子的表面形成有至少一个微小凹部。该α型塞隆荧光体粒子优选经过原料的混合工序、加热工序、粉碎工序和酸处理工序来制造。
荧光粒子复合体发光装置制造方法

[发明专利]荧光体粉末、复合体以及发光装置-CN202080025110.7在审
发明人：野见山智宏;武田雄介;奥园达也;宫崎胜;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明的一个方式是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的由下述提取离子分析求出的、荧光体粉末的氨离子的浓度CA为15ppm～100ppm。(提取离子分析A)将荧光体粉末0.5g加入到带盖的PTFE(聚四氟乙烯)制容器中的蒸馏水25ml，在60℃保持24小时后，使用离子色谱法求出通过过滤而除去了固体成分的水溶液中包含的氨离子的总质量MA。然后，通过用MA除以荧光体粉末的质量而求出CA。
荧光粉末复合体以及发光装置

[发明专利]荧光体粉末、复合体和发光装置-CN202080025140.8在审
发明人：武田雄介;野见山智宏;高村麻里奈;奥园达也;宫崎胜;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明的一个方案是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D50)为10μm～20μm，对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％。
荧光粉末复合体发光装置

[发明专利]红色荧光体及发光装置-CN201710026332.0有效
发明人： 渡边真太郎;武田雄介 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明涉及红色荧光体及发光装置。本发明的目的在于提供亮度优异的红色荧光体。进而，本发明的目的在于通过使用该红色荧光体而提供高亮度的发光装置。本发明提供一种荧光体，其主晶相由通式：MAlSiN3(M元素表示选自由Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种以上的元素)表示，并且主晶相由CaAlSiN3组成、或者主晶相具有与CaAlSiN3相同的晶体结构，M元素的一部分被Eu元素置换，以荧光体的总质量为基准，所述荧光体含有3ppm以上且500ppm以下的W(钨)。
红色荧光发光装置

[发明专利]表面覆盖荧光体粒子、复合体和发光装置-CN201980069479.5在审
发明人：近藤良祐;小林庆太;梶山亮尚;渡边真太郎;三谷骏介 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-10-04 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明的表面覆盖荧光体粒子具备：由氮氧化物荧光体或氮化物荧光体构成的荧光体粒子，以及设置于该荧光体粒子的表面并由包含选自铝、钛、锆、钇和铪中的1种以上元素的金属氢氧化物或金属氧化物构成的覆盖层。上述表面覆盖荧光体粒子的以下定义的热水提取导电指数ΔΩ为2.0mS/m以下。(热水提取导电指数的计算方法)(1)测定25℃的离子交换水的电导率Ω0。(2)使上述表面覆盖荧光体粒子1g分散于上述离子交换水30ml，放入耐压容器在150℃加热16小时后，追加离子交换水20ml，在冷却到25℃的状态下测定电导率Ω1。(3)将电导率Ω1与电导率Ω0之差ΔΩ(＝电导率Ω1－电导率Ω0)作为热水提取导电指数ΔΩ。
表面覆盖荧光粒子复合体发光装置

[发明专利]红色荧光体及发光装置-CN201980033108.1在审
发明人：武田雄介;野见山智宏;高村麻里奈;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种荧光体，其主晶相具有与CaAlSiN3相同的晶体结构，且Ca元素的一部分被Eu元素置换，所述荧光体通过激光衍射散射法测定的中值粒径d50为12.0μm以上且22.0μm以下，通过BET法测定的比表面积为1.50m2/g以上且10.00m2/g以下。
红色荧光发光装置

[发明专利]红色荧光体及发光装置-CN201980022163.0在审
发明人：武田雄介;野见山智宏;高村麻里奈;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：提供一种红色荧光体，其由通式：MSiAlN3(其中，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上的元素)表示，M的一部分被Eu置换，且以与CaAlSiN3晶相相同的晶体结构作为主晶，所述红色荧光体的体积密度为0.70g/cm3以上且2.30g/cm3以下。另外，提供一种发光元件，其具有前述红色荧光体和能激发前述红色荧光体的半导体发光元件。
红色荧光发光装置

[发明专利]红色荧光体和发光装置-CN201880066225.3在审
发明人：野见山智宏;高村麻里奈;武田雄介;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明兼顾SCASN系荧光体的亮度提高和具有深度的演色性的实现。一种红色荧光体，其特征在于，该红色荧光体的主晶相具有与CaAlSiN3相同的晶体结构、该红色荧光体的主晶相的通式由MAlSiN3表示，由455nm的波长的光激发时的内部量子效率为71％以上，前述通式中的M为包含选自Eu、Sr、Mg、Ca、Ba中的以Eu、Sr和Ca作为必需元素的至少3种以上元素的元素组，Eu含有率为4.5质量％以上且7.0质量％以下，Sr含有率为34.0质量％以上且42.0质量％以下，Ca含有率为0.8质量％以上且3.0质量％以下。
红色荧光发光装置

[发明专利]荧光体、其制备方法以及发光装置-CN201280007867.9有效
发明人：广崎尚登;吉松良;渡边真太郎 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构;电气化学工业株式会社
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供一种用通式：MeaRebSicAldNeOf表示的发光强度高的荧光体。Me可以以Sr为必需元素且含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素。Re可以以Eu为必需元素且含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素。此外，当将组成比a、b、c、d、e以及f设为a＝1－x、b＝x、c＝(2+2p)×(1－y)、d＝(2+2p)×y、e＝(1+4p)×(1－z)以及f＝(1+4p)×z时，参数p、x、y以及z为1.630＜p＜1.650、0.005＜x＜0.300、0.180＜y＜0.220、0.060＜z＜0.100。本发明还提供一种使用该荧光体的高亮度的发光装置。
荧光制备方法以及发光装置

[发明专利]荧光体、其制备方法以及发光装置-CN201280007856.0有效
发明人：广崎尚登;吉松良;渡边真太郎 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构;电气化学工业株式会社
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供一种用通式：MeaRebSicAldNeOf表示的荧光体。在这里，Me可以以Sr为必需元素且含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素；Re可以以Eu为必需元素且含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素。另外，当a＝1－x、b＝x、c＝(2+2p)×(1－y)、d＝(2+2p)×y、e＝(1+4p)×(1－z)、f＝(1+4p)×z时，参数p、x、y以及z为1.620＜p＜1.635、0.005＜x＜0.300、0.200＜y＜0.250、0.070＜z＜0.110。本发明还提供一种使用该荧光体的高亮度的发光装置。
荧光制备方法以及发光装置

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