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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器-CN201510819109.2在审
发明人：仇伯仓;胡海 -专利权人： 深圳瑞波光电子有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器。该压应变量子阱半导体激光外延结构包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层。有源层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、量子阱以及第二波导层。量子阱采用四元的InGaAlP材料。本发明的压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器，通过改变量子阱所用的材料，能够使压应变量子阱的厚度可以在很大范围内变化，从而得到更低的阈值电流、更高的外量子效率以及更好的温度特性。
一种应变量子半导体激光外延结构激光器

[实用新型]半导体激光测试装置-CN201420380622.7有效
发明人：胡海;夏虹;赵楚中;刘文斌;李成鹏 -专利权人：深圳清华大学研究院;深圳瑞波光电子有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体激光测试装置，其包括一个用于承载一个样品的导体载物台、一个电源、一个正对该导体载物台设置的光学系统及与该光学系统光学耦合的一个激光光源、一个成像装置及一个光谱仪。该电源包括一个阳极探针及一个阴极探针，该电源用于通过该阳极探针及该阴极探针向该样品输出一个工作电压以使该样品电致发光(EL)。该激光光源用于发射激光，该激光通过该光学系统投射在该样品上以使该样品光致发光(PL)；该成像系统用于通过该光学系统对EL或PL的该样品成像；该光谱仪用于通过该光学系统测量该样品EL或PL的波长。
半导体激光测试装置

[发明专利]半导体激光测试装置及测试方法-CN201410328189.7在审
发明人：胡海;夏虹;赵楚中;刘文斌;李成鹏 -专利权人：深圳清华大学研究院;深圳瑞波光电子有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光测试装置，其包括一个用于承载一个样品的导体载物台、一个电源、一个正对该导体载物台设置的光学系统及与该光学系统光学耦合的一个激光光源、一个成像装置及一个光谱仪。该电源包括一个阳极探针及一个阴极探针，该电源用于通过该阳极探针及该阴极探针向该样品输出一个工作电压以使该样品电致发光(EL)。该激光光源用于发射激光，该激光通过该光学系统投射在该样品上以使该样品光致发光(PL)；该成像系统用于通过该光学系统对EL或PL的该样品成像；该光谱仪用于通过该光学系统测量该样品EL或PL的波长。本发明还提供一种半导体激光测试方法。
半导体激光测试装置方法

[发明专利]半导体激光芯片及其制造方法-CN201410207706.5在审
发明人：胡海;何晋国 -专利权人：深圳清华大学研究院;深圳瑞波光电子有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种半导体激光芯片，包括一衬底，依次磊叠设于所述衬底一侧的一第一波导层、一有源层、一第二波导层、一第一刻蚀阻挡层、一第三波导层，以及一欧姆接触层，还包括设于第三波导层和欧姆接触层之间的一第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀层完全覆盖第三波导层，所述欧姆接触层的长度和宽度均小于所述半导体芯片的长度和宽度。相比于现有技术，本发明的半导体激光芯片在欧姆接触层下面设置了一刻蚀阻挡层，将靠近半导体激光芯片腔面的部分欧姆接触层蚀刻掉，同时实现P-面金属电极、欧姆接触层相对于半导体激光芯片腔面的缩进，达到了有效的降低半导体激光芯片的腔面电流的效果。
半导体激光芯片及其制造方法

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