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[发明专利]一种基于NB-IoT的用户设备定位系统-CN202011406323.2有效
发明人：孙茂友;吴江 -专利权人： 深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04W4/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于NB‑IoT的用户设备定位系统，定位系统包括：5G固定基站、参考位置基站、云端、后台位置服务器以及用户设备；5D固定基站用于获取参考位置基站的定位位置信息以及用户设备的定位位置信息，并将参考位置基站的定位位置信息以及用户设备的定位位置信息上传至云端；云端用于将参考位置基站的定位位置信息以及用户设备的定位位置信息发送至后台位置服务器；后台位置服务器用于根据参考位置基站的已知位置信息和参考位置基站的定位位置信息计算参考位置基站的定位误差，并基于参考位置基站的定位误差和用户设备的定位位置信息计算用户设备的精确位置信息。本发明中的上述系统通过设置参考位置基站能够提高用户设备的定位精度。
一种基于 nb iot 用户设备定位系统

[发明专利]一种MEMS气流压力传感器及其制备方法-CN202111451833.6在审
发明人：刘京杰;校少辉;欧毅;孙茂友 -专利权人： 深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01L7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS气流压力传感器及其制备方法，包括依次层叠设置的第一气流通道层、第一硅膜层、电极及压电敏感层、第二硅膜层和第二气流通道层；第一气流通道层包括至少一个第一气流通道；第二气流通道层包括至少一个第二气流通道；第一硅膜层覆盖于所有第一气流通道的开口端；第二硅膜层覆盖于所有第二气流通道的开口端；电极及压电敏感层包括多个压电晶体和金属电极；每一压电晶体均和金属电极连接；每一相对设置的第一气流通道的开口端和第二气流通道的开口端之间均设有压电晶体。利用压电材料的压电效应检测气流产生的压力大小，不受过热、过冷环境的影响，不存在传感器内部热平衡状态难以保持的问题，提高传感器气流压力检测的准确性。
一种 mems 气流压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种NB-IoT定位精度提升方法及系统-CN202110300251.1在审
发明人：吴江;孙茂友 -专利权人： 深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H04W4/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种NB‑IoT定位精度提升方法及系统，所述方法包括：S1：确定定位参考节点与各个基站之间的定位时间差信号；S2：将所述定位时间差信号发送至定位服务器；S3：采用双曲线交点法估计定位参考节点的位置；S4：重复步骤S1‑S3得到所有定位参考节点的多个位置估计；S5：定位服务器利用多个定位参考节点的多个位置估计作为误差模型样本输入，并利用多个定位参考点的实际已知位置作为误差模型的目标，对误差模型进行最佳参数估计，获得最佳误差估计模型；S6：采用所述最佳误差估计模型对移动节点的位置进行校正。本发明中的上述方法能够提高移动节点的定位精度。
一种 nb iot 定位精度提升方法系统

[发明专利]一种低杂谱Sigma‑Delta小数‑N锁相环-CN201110362220.5有效
发明人：孙茂友;杨校辉;孙梦鸽;孙盟生;李富民 -专利权人： 深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种低杂谱Sigma‑Delta小数‑N锁相环，包括鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控振荡器、除法器、除法器控制部、电荷泵前置驱动器、电荷泵反馈控制器；除法器控制部与除法器相连接。鉴相器、电荷泵前置驱动器、电荷泵、低通滤波器、压控振荡器、除法器次序循环连接。电荷泵包含第一电荷泵、第二电荷泵。第一电荷泵的第二充电开关和第二放电开关的公共结点与低通滤波器相连接；并且第二电荷泵的第一充电开关和第一放电开关的公共结点与低通滤波器相连接。低通滤波器经过电荷泵反馈控制器分别连接第一电荷泵、第二电荷泵的上电流源。采用电荷泵前置驱动器降低鉴相器输出的CMOS信号的电平，有效减小了电荷泵电流的瞬间变化。
一种低杂谱 sigma delta 小数锁相环

[发明专利]用于驻极体麦克风的高增益前置放大器及驻极体麦克风-CN201410201152.8有效
发明人：淮永进;孙茂友;徐鸿卓;韦仕贡;唐晓琪;蔺增金;张彦秀 -专利权人：北京燕东微电子有限公司;深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H03F3/185 文献下载
摘要：本发明公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本发明由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本发明还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
用于驻极体麦克风增益前置放大器

[实用新型]用于驻极体麦克风的高增益前置放大器及驻极体麦克风-CN201420243692.8有效
发明人：淮永进;孙茂友;徐鸿卓;韦仕贡;唐晓琪;蔺增金;张彦秀 -专利权人：北京燕东微电子有限公司;深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H03F3/185 文献下载
摘要：本实用新型公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本实用新型由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本实用新型还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
用于驻极体麦克风增益前置放大器