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[发明专利]层叠电极、带电极的应变电阻膜及压力传感器-CN202280017577.6在审
发明人：小林正典;海野健;笹原哲也;绳冈孝平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明提供耐热性及耐湿性优异的层叠电极、带电极的应变电阻膜及压力传感器。一种层叠电极(36)，其设置于应变电阻膜(32)之上，应变电阻膜(32)含有Cr和Al，层叠电极(36)具有重叠于应变电阻膜(32)之上的接触层(36a)、重叠于接触层(36a)之上的防扩散层(36b)、以及重叠于防扩散层(36b)之上的安装层(36c)，防扩散层(36b)或安装层(36c)，以接触层(36a)的端面(36a1)不露出的方式，覆盖接触层(36a)。
层叠电极应变电阻压力传感器

[发明专利]带绝缘膜的金属部件、物理量传感器和压力传感器-CN202310104783.7在审
发明人：小林正典;海野健;笹原哲也;绳冈孝平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本发明提供能够防止在绝缘膜缘部产生裂纹、剥离的带绝缘膜的金属部件、物理量传感器和压力传感器。带绝缘膜的金属部件包括：具有膜形成面和连接面的金属部件，其中，上述连接面朝向与上述膜形成面不同的方向且与上述膜形成面连接；绝缘膜，其跨上述膜形成面与上述连接面的连接位置覆盖上述膜形成面和上述连接面的至少一部分；和加强部，其沿着上述绝缘膜中覆盖上述连接位置的部分即绝缘膜缘部形成，从与上述金属部件相反的一侧覆盖上述绝缘膜缘部的至少一部分。
绝缘金属部件物理量传感器压力传感器

[发明专利]压力传感器-CN202180007836.2在审
发明人：小林正典;海野健;笹原哲也;绳冈孝平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-02-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在层叠方向上具有多个检测部而且检测精度提高的压力传感器。本发明的压力传感器(10)具有：膜(22)，其产生与压力对应的变形；第一测量层(40)，其形成在膜(22)上；中间绝缘层(50)，其形成在第一测量层(40)之上；以及第二测量层(60)，其形成在中间绝缘层(50)之上。第一测量层(40)及第二测量层(60)分别包括检测膜的变形的第一检测部(42)及第二检测部(62)。从膜(22)的表面至第二检测部(62)的距离在30μm以内。
压力传感器

[发明专利]压力传感器元件-CN202080061192.0在审
发明人：小林正典;海野健;笹原哲也;绳冈孝平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：本发明提供适于小型化的传感器元件。本发明的压力传感器元件具有：金属板；绝缘膜，其以在作为所述金属板的一个表面的第一表面形成所述第一表面被覆盖的覆盖区域和所述第一表面露出的露出区域的方式设置；以及压力检测电路，其以通过所述绝缘膜相对于所述第一表面绝缘的方式，形成于所述绝缘膜。
压力传感器元件

[发明专利]压力传感器-CN202080019007.1在审
发明人：小林正典;海野健 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：本发明的压力传感器防止使管座和检测电路绝缘的绝缘膜的膜剥落或裂纹的问题。压力传感器具有：管座，其具有平面状的外底面、沿相对于所述外底面交叉的方向延伸的外侧面、以及为所述外底面的相反面并且受到来自作为测定对象的流体的压力的受压内面；以及检测电路，其相对于所述外底面隔着绝缘膜设置，所述管座具有：平缓部，以包围所述外底面的方式形成，从平行于所述外底面的方向观察，由朝向与所述外底面及所述外侧面不同的方向的面构成，并且连接所述外底面和所述外侧面，所述绝缘膜覆盖所述平缓部的至少一部分。
压力传感器

[发明专利]流体压力检测装置-CN201880019383.3在审
发明人：中野睦子;海野健;森木朋大 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明提供能够从管外准确地检测通过管内的流体的压力变化的流体压力检测装置。检测通过管内的流体的压力的装置包括：基材(10)；设置于基材(10)的上表面的压电元件(20)；以包围压电元件(20)的方式为环状且支承基材(10)的上表面的支承体(30)；和以封闭支承体(30)的上部开口的方式设置的盖体(40)，经由支承体(30)按压基材(10)，用基材(10)的下表面使管变形。
基材支承体流体压力检测装置压电元件上表面流体管内按压方式设置上部开口支承基材下表面检测盖体变形包围封闭

[发明专利]压电体元件和陀螺仪传感器-CN201010155013.8无效
发明人：前川和也;野口隆男;远池健一;海野健 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明的技术问题是提供具有在无应力状态下能够对压电体膜进行成膜的压电体元件和陀螺仪传感器。压电体膜包含a轴取向晶体和c轴取向晶体，a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内。本发明人新发现了：在满足a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内的条件的时候，能够将压电特性维持在良好的特性值，并且能够减少积蓄在压电体膜内部的应力。可以认为：在满足上述条件的情况下，由于对c轴取向晶体和a轴取向晶体作适度平衡，因而压电体膜的晶体颗粒在理想的状态下被最密地填充于基底上，这有助于应力的降低。
压电元件陀螺仪传感器

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN200610058368.9有效
发明人：远池健一;宫崎雅弘;野口隆男;山崎宽史;海野健;佐佐木宏文 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
电子设备及其制造方法