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[发明专利]一种用于贴片稳压二极管中的玻壳的装填装置及装填方法-CN201810799072.5有效
发明人：戚涛;方子正;王培祥;李燕;田龙;王芝 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B25B27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于贴片稳压二极管中的玻壳的装填装置，包括上定位板、下定位板以及滑动导向定位销；本发明还提供了一种上述用于贴片稳压二极管中的玻壳的装填方法；本申请中上定位板与下定位板为错位至多半个玻壳直径位置装配，玻壳在经上定位圆孔引导进入下定位圆孔之前，其玻壳下端面只有一小半面积与下定位板接触，减少了玻壳的下端面被损坏的几率，解决了手工装填的效率低下问题以及抽板式玻壳装填工具拉出金属抽板时带来的玻壳的端面破损和崩边问题，大大提高了玻壳装填成品率，实现了方便、快捷、高效、高质量地对贴片稳压二极管中的玻壳进行装填，便于了贴片稳压二极管的大批量稳定高质量生产。
一种用于稳压二极管中的装填装置方法

[发明专利]一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法-CN201710617980.3有效
发明人：王迎春;黄吉明;薄霞;徐姝丽;赵晶;高超;李东华 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法，选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路，选用高导热的无氧铜材料作为金属底板，内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体，采用高温合金钎料焊接芯片，电连接采用高纯铝丝超声键合，电路内部采用高绝缘电阻灌封胶灌封，采用平行缝焊工艺保证了电路的气密性；经过实验验证，本申请提供的高压大功率碳化硅肖特基整流桥可以在1200V的电压下正常工作，其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。
一种高压大功率碳化硅肖特基整流及其制备方法

[发明专利]功率模组肖特基二极管芯片结构及制备方法-CN202210427309.3在审
发明人：单维刚;宋青 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模组肖特基二极管芯片结构及制备方法，包括：As掺杂的硅半导体衬底和位于硅半导体衬底之上的P掺杂硅半导体外延层；芯片结构的边缘为氧化层钝化层结构，芯片的主结为环形P+、六边形P+以及铂金‑硅肖特基结共同形成的复合结势垒结构；在复合结势垒结构的正面设有正面多层金属电极，在硅半导体衬底的背面多层金属电极；本发明方法简易、成本低、实用有效，采用NiPt合金作为肖特基势垒金属，形成复合金属硅化物‑硅接触势垒(NiPtSi‑Si)，势垒高度低，反向电流小，通过调整合金组分能够调整势垒高度。
功率模组肖特基二极管芯片结构制备方法

[实用新型]一种试验器件功率间歇老炼装置-CN202123344925.2有效
发明人：李兴广;吴玉强;崔同;郝思成;朱猛;崔玉宝 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型属于MOS管功率试验装置领域，提供了一种试验器件功率间歇老炼装置，其包括机柜，所述机柜设置有上下两层完全相同的老炼腔，每个老炼腔内设置有若干老化板，所述老化板用于放置待试验器件，每个老炼腔相互独立且单独控制。该装置能够在间歇老炼和稳态老炼两种模式间便捷转换，可分别试验不同型号产品，适用于小批次、多型号产品同时开展多种试验，灵活度高，实用性强。
一种试验器件功率间歇装置

[实用新型]一种用于建筑钢结构制造的压板装置-CN202220189944.8有效
发明人：管仁东;刁伟敏;张纪伟 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于建筑钢结构制造的压板装置，涉及钢结构制造技术领域，包括工作台，所述工作台的顶部固定安装有支撑板，所述工作台的上方设置有压块机构，所述压块机构有两个，所述压块机构的一侧设置有清洁机构，所述压块机构包括有第一螺纹杆、活动块和压板，所述第一螺纹杆活动安装在工作台的内壁上，所述第一螺纹杆的外壁与支撑板的内壁活动连接，所述活动块活动安装在第一螺纹杆的外壁上。本实用新型通过转把、第一螺纹杆、活动块、限位杆、矩形板、门型块、滑杆、挤压块、铰接杆、压板和第一弹簧的相互作用下，使铰接杆带动压板贴近钢结构，对钢结构进行固定，具有方便固定钢结构的优点。
一种用于建筑钢结构制造压板装置

[发明专利]抗辐照加固硅PNP双极型晶体管及其制备方法-CN202210377528.5在审
发明人：安兆嵬;吕贺;张礼;王传超;韩曾辉 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照加固硅PNP双极型晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底本体(1)和外延层(2)，在敷设有掩蔽层(3)，并在掩蔽层(3)中部下方的外延层(2)上设置有基区(4)，在基区(4)中心位置设置有发射区(5)，在发射区(5)中心处设置有穿过掩蔽层(3)的发射区电极(9)；在外延层(2)的上方靠近边缘处设置有保护环(6)；在发射区(5)外侧的基区(4)边缘处设置有高磷区(7)，在高磷区(7)上方设置有穿过掩蔽层(3)的基区电极(8)；在除基区电极(8)和发射区电极(9)之外的外延层(2)上方设置有保护层(10)。本发明提高了双极型晶体管的抗辐照能力。
辐照加固 pnp 双极型晶体管及其制备方法

[实用新型]一种建筑工程施工用电子经纬仪-CN202220115439.9有效
发明人：管仁东;刁伟敏;张纪伟 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01C1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种建筑工程施工用电子经纬仪，涉及建筑工程施工技术领域，包括电子经纬仪主体，所述电子经纬仪主体包括电子经纬仪，所述电子经纬仪的下方设置有稳定安装座，所述电子经纬仪的侧表面设置有电子屏保护套装置，所述稳定安装座包括有座套主体、稳定支撑杆、内置螺纹杆、调节橡胶活塞、折叠连杆、挤压限位装置和稳定角。本实用新型通过安装稳定安装座，逆时针旋转调节橡胶活塞使调节橡胶活塞退出座套主体，弹簧连接杆伸长使挤压半球向内侧扩张，变形转动板会将稳定支撑杆的上半部分向内侧顶起，稳定支撑杆发生转动使下半部分分开起到稳定支撑的作用，钉盘在弹簧的弹力作用下与地面抓牢，起到稳固的作用。
一种建筑工程施工用电经纬仪

[发明专利]一种二极管的键合封装结构及其工艺-CN202210072029.5在审
发明人：王迎春;薄霞;马捷;杨敏 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开一种二极管的键合封装结构及其工艺，包括：芯片、钼片和键合丝；所述芯片上进行钛镍银的金属化，所述钼片的一侧电镀镍金，另一侧电镀镍，钼片电镀镍金的一侧焊接在芯片上，钼片电镀镍的一侧与键合丝进行超声键合。改变芯片表面的金属层，增加钼片作为过渡片，解决现有技术中芯片键合可靠性低、热膨胀系数不匹配、电流不均流等问题，提高产品的长期可靠性。
一种二极管封装结构及其工艺

[实用新型]一种ESD保护器件-CN202122536041.0有效
发明人：杨晓亮;李泽宏 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种ESD保护器件，属于集成电路静电放电保护领域，包括N型单晶材料、P扩散区、N+扩散区和P+扩散区，P扩散区形成于N型单晶材料上，N+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一N+扩散区和形成于P扩散区上的第二N+扩散区、第三N+扩散区，P+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一P+扩散区和形成于P扩散区上的第二P+扩散区，N+扩散区和P+扩散区的上方设有多个形成于相邻N+扩散区和P+扩散区之间的表面钝化层，多个表面钝化层上连接形成第一金属层、第二金属层、第三金属层；第一N+扩散区和P扩散区之间设有隔离槽。本实用新型可以在芯片面积不变的条件下，通过合理的结构设计，避免寄生SCR结构的触发开启。
一种 esd 保护器件

[发明专利]一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法-CN202111339169.6在审
发明人：孙德福;李东华 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法，所述终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P‑型半导体VLD区的一侧相互连接，P‑型半导体VLD区的结深大于P型半导体主结的结深；相对于传统半导体终端结构，本发明可实现更稳定的击穿电压、更低的漏电水平和更短的终端尺寸，且不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。
一种具有横向掺杂半导体终端结构制备方法

[发明专利]一种抗EMI的超结VDMOS器件及制备方法-CN202111341785.5在审
发明人：孙德福;李东华;李泽宏 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗EMI的超结VDMOS器件及其制备方法，该器件在超结的漂移区中具有由氧化层(SiO2)‑半绝缘多晶硅层(SIPOS)‑氧化层(SiO2)组成的复合介质层。氧化层隔绝漂移区与SIPOS层，SIPOS层下方与器件漏极金属相接，上方与器件源极金属相接。在器件关断状态下，复合介质层辅助耗尽超结漂移区，从而可大幅提高漂移区掺杂浓度，也可以缓解由于超结P柱与N柱之间失配导致的耐压降低现象；在器件开关过程中，由于SIPOS直接连接器件的源极与漏极，极大地提高了器件的输出电容Coss，减少了开关震荡，从而减少了器件的电压震荡dV/dt失效可能性和EMI噪声。
一种 emi vdmos 器件制备方法

[实用新型]一种陶瓷覆铜框架及基于该框架的场效应晶体管-CN202122040702.0有效
发明人：侯杰;万兴兴 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开一种陶瓷覆铜框架及基于该框架的场效应晶体管，所述陶瓷覆铜框架包括陶瓷基板、位于陶瓷基板上的金属化层以及位于金属化层上的铜层，金属化层通过金属化浆料印刷技术印刷在陶瓷基板上，印刷在陶瓷基板上的金属化层与陶瓷基板通过真空烧结工艺结合，形成缓冲层，铜层通过电镀覆在缓冲层上。本实用新型所述框架兼顾了裸铜框架的高导电性和高散热性能，同时又规避了框架与芯片之间热失配严重导致的可靠性问题，从而提高了器件的可靠性，降低了失效率。
一种陶瓷框架基于场效应晶体管

[发明专利]表面贴装且陶瓷金属外壳的电子器件的封装模具及方法-CN202010235816.8有效
发明人：戚涛;孙菲;张中元 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本申请提供了一种表面贴装且陶瓷金属外壳的电子器件的封装模具，将用于内嵌定位金属盖板的上段矩形通孔与用于内嵌定位顶敞口盒子的下段矩形通孔一起成型于定位板上，合理控制上段矩形通孔与下段矩形通孔的形状、大小以及二者之间的位置关系，保证了烧结过程中金属盖板与顶敞口盒子的对称度；金属杆的底端压在金属盖板上，金属杆的热量传导至金属盖板上，热量传导至顶敞口盒子的底部的速度慢，通过控制封装时间，使金属盖板上的焊锡环完全熔融，而焊接芯片的焊料不熔化，既保证了顶敞口盒子与金属盖板的钎焊封装完全且良好，又保证了芯片与顶敞口盒子之间的焊接牢固。本申请还提供了一种表面贴装且陶瓷金属外壳的电子器件的封装方法。
表面陶瓷金属外壳电子器件封装模具方法

[发明专利]一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法-CN202111225790.X在审
发明人：杨晓亮;李泽宏 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法，本发明在P扩散区的光刻工艺中，通过调整光刻窗口至N+扩散区区域内，同时引入高能量的硼注入、硼推结，使得P扩散区处于N+扩散区下方。P扩散区光刻窗口的尺寸略小于N+扩散区的窗口尺寸，由于该结构的击穿区域由常规结构的表面区域转移至体内区域，同时击穿的触发区域得到有效的增大。当进行ESD接触放电试验时，ESD脉冲依次经过第一N+扩散区、P扩散区104、P型单晶材料区、第二N+扩散区，从而可以获得更高的ESD抗干扰能力。通过合理设计P型扩散区的光刻窗口尺寸以及有效深度，与常规结构相比，本发明的ESD抗干扰能力可以比常规结构提高50‑100%。
一种增强 esd 抗干扰能力单向保护制作方法

[实用新型]一种基于D-5A外形的二极管陶瓷金属外壳-CN202121595452.0有效
发明人：张振兴;侯杰;杨旭东;伊新兵;相裕兵 -专利权人： 济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于D‑5A外形的二极管陶瓷金属外壳，包括金属陶瓷基体、压焊区、芯片区、通孔和外电极，金属陶瓷基体是由多层金属陶瓷片叠压而成的矩形腔体，压焊区、芯片区设置于金属陶瓷基体的腔体内，外电极设置于金属陶瓷基体的某个面上，通孔设置于多层金属陶瓷片上，不同金属陶瓷片层之间通过通孔金属化连接，形成连通的电路，从而实现压焊区与外电极或者芯片区与外电极的电连接。本实用新型可原位替换D‑5A同型号玻封器件，客户不必更改电路板，相比同型号玻封器件，绝缘性能相对更好，机械强度高，耐冲击能力强，满足了器件高可靠要求。
一种基于外形二极管陶瓷金属外壳

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