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[发明专利]V波段的微带线波导转换结构、制备方法及应用-CN202310732397.2在审
发明人：王淼;洪求龙;厉志强;李静强;黄玉红;袁婧怡;潘旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01P5/107 文献下载
摘要：本发明提供一种V波段的微带线波导转换结构、制备方法及应用，其中，结构包括顶层金属层、中间介质层和底层金属层；顶层金属层上靠近微带线波导转换结构的微带线连接处设有一传输线接口区，且传输线接口区上未设有金属层；底层金属层在远离顶层金属层的一面，且靠近微带线波导转换结构的波导连接处设有与待连接波导形状相适配的波导接口区，在远离波导接口区处设有一传输转换区，且波导接口区和传输转换区上均未设有金属层；在中间介质层上设有多个实心金属通孔，实心金属通孔用于互联顶层金属层和底层金属层，多个实心金属通孔位于传输线接口区和波导接口区的外围。本发明提供的V波段的微带线波导转换结构可以实现对微波有源器件的气密性封装。
波段微带波导转换结构制备方法应用

[发明专利]功率半导体器件制作方法及功率半导体器件-CN201910353871.4有效
发明人：段雪;洪求龙;银军;李明磊;黄雒光;张志国;高永辉;徐会博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属外壳内腔底面上，并对粘接有所述基板的所述金属外壳进行烧结；设置玻璃绝缘子；在所述基板的中间位置的热沉片上粘接芯片，并对所述芯片进行烧结；电连接所述芯片与两侧热沉片；在所述芯片表面涂覆绝缘胶，并对所述金属外壳进行密封。从而形成一种具有特殊结构布局的功率半导体器件，布局合理，易于实现多芯片并联布局，键合金带操作简单，寄生电感及寄生电阻小，稳定性及可靠性均得到了很好的提升。
功率半导体器件制作方法