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[发明专利]一种碳化硅器件老化测试方法-CN202211424491.3在审
发明人：王俊兴;孙宇晗;李志雨;黄波;邵天骢;李志君 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件老化测试方法包括：测试平台包括级联的前级同步型Boost桥臂电路和后级同步型Buck桥臂电路；直流电源通过二极管后输入到前级同步型Boost桥臂电路，与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连；直流电源根据测试工况进行设置，测试平台通过电路中功率电感实现能量在测试平台中的循环流动；通过设置该测试平台的工作模态，设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流，实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化，得到老化测试结果；测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中，从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响，提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
一种碳化硅器件老化测试方法

[发明专利]一种碳化硅器件同步Buck型能量回馈老化测试方法-CN202211424483.9在审
发明人：李志君;邵天骢;孙宇晗;黄波;王俊兴;李志雨 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件同步Buck型能量回馈老化测试方法包括：测试平台，测试平台包括直流电源、电容C、功率电感L、第一桥臂电路以及第二桥臂电路，直流电源的正负极分别连接至电容C的一端部、第一桥臂电路以及第二桥臂电路；第一桥臂电路通过功率电感L连接至第二桥臂电路；直流电源根据测试工况进行设置；通过设置该测试平台的工作模态，并设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流，实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化，得到老化测试结果；测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中，从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响，提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
一种碳化硅器件同步 buck 能量回馈老化测试方法

[发明专利]一种基于SiC功率开关单元的同步Buck变换器-CN202310509868.3在审
发明人：黄波;邵天骢;万明慧;李衡哲;王俊兴;孙宇晗 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SiC功率开关单元的同步Buck变换器，包括输入电压Vin、输出电压Vout、输入电容Cin、输出电容Cout、功率电感L、SiC功率开关单元UH以及SiC功率开关单元UL，能够很好的解决栅极串扰问题对Buck电路稳定性的影响，且电路结构简单，干扰小，可以实现在提高碳化硅器件开关速度的同时，抑制栅极串扰，实现碳化硅器件栅压稳定的目的，从而使得Buck电路系统稳定高效。
一种基于 sic 功率开关单元同步 buck 变换器

[发明专利]一种多终端电动汽车充电机功率分配方法-CN202310973439.1在审
发明人：王俊兴;黄波;王勇;谭辉 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B60L53/63 文献下载
摘要：本发明提供一种多终端电动汽车充电机功率分配方法，方法包括：功率分配控制单元、多个充电模块、多个开关模块以及多个充电终端；所述模块与开关模块一一对应连接，每个所述开关模块分别连接至少一个所述充电终端；所述功率分别控制单元分别连接每个所述充电模块、每个所述开关模块以及每个所述充电终端；通过对每个开关模块控制，使得每个开关模块给对应的充电终端进行供电，流程简单，通用性强，对于不同电源模块、充电终端数量、充电终端功率等级的充电机均能适用。
一种终端电动汽车充电机功率分配方法

[发明专利]一种基于SiC功率开关单元的全桥LLC谐振变换器-CN202310509852.2在审
发明人：黄波;邵天骢;万明慧;李衡哲;王俊兴;孙宇晗 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiC功率开关单元的全桥LLC谐振变换器，包括：依次连接的输入电压Uin、开关网络、谐振网络、滤波网络、输出电压Uo；能够很好的解决栅极串扰问题对全桥LLC谐振电路稳定性的影响，且电路结构简单，干扰小；并且可以在实现提高碳化硅器件开关速度的同时，抑制栅极串扰，实现碳化硅器件栅压稳定的目的，从而使得全桥LLC谐振电路系统稳定高效。
一种基于 sic 功率开关单元 llc 谐振变换器

[发明专利]一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法-CN202211424495.1在审
发明人：黄波;孙宇晗;李志雨;王俊兴;邵天骢;李志君 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法包括：测试平台，将前级同步型Boost桥臂电路及后级同步型Buck桥臂电路进行级联；直流电源通过二极管输入到前级同步型Boost桥臂电路，并与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连；直流电源根据测试工况进行设置，测试平台通过两个功率电感实现能量在测试平台中的循环流动，减少测试过程中电源的功率输出；设置测试平台的工作模态为A1、B、A2、C四种工作模态，设定被测碳化硅器件的测试工况，实现不同测试工况下加速碳化硅器件的老化，得到老化测试结果；将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中，从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响，提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
一种碳化硅器件同步 boost 能量回馈老化测试方法

[发明专利]一种全碳化硅全波同步整流的宽增益串联谐振变换器-CN202211426722.4在审
发明人：李志君;孙宇晗;李志雨;黄波;王俊兴;邵天骢 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供一种全碳化硅全波同步整流的宽增益串联谐振变换器，用于连接直流电压输入端以及直流电压输出端，包括：依次连接的原边半导体功率器件单元、串联谐振槽、矩阵式隔离变压单元以及全波同步整流单元；所述直流电压输入端连接至所述原边半导体功率器件单元；所述直流电压输出端分别连接矩阵式隔离变压单元以及全波同步整流单元；所述矩阵式隔离变压单元的原边绕组串联，分担输入侧电压；副边绕组并联，分担输出侧电流，扩宽变换器的电压增益范围；所述串联谐振槽包括谐振电感和谐振电容，用于使得原边半导体功率器件单元在开通和关断过程中触发串联谐振，实现零电压开关。
一种碳化硅同步整流增益串联谐振变换器

[实用新型]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件-CN202320162866.7有效
发明人：宋安英;张瑜洁 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：外延层设于碳化硅衬底一侧面，外延层上设有轻掺杂区，轻掺杂区上设有源极区以及重掺杂区；U型栅氧层分别连轻掺杂区、接外延层以及轻掺杂区，U型栅氧层底部设有通孔；肖特基接触金属层设于通孔，肖特基接触金属层下侧面连接至外延层；隔离介质层设于U型栅氧层内，隔离介质层下侧面与肖特基接触金属层上侧面连接；多晶硅设于U型栅氧层，多晶硅层下侧面连接至隔离介质层的上侧面；源极金属层分别连接源极区、重掺杂区、轻掺杂区以及外延层；栅极金属层连接至多晶硅层；漏极金属层连接至碳化硅衬底的另一侧面；反向导通时，优先导通沟槽底部的肖特基二极管，防止器件性能退化。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件

[实用新型]一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET-CN202320547929.0有效
发明人：周海;施广彦;胡臻;何佳 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET，包括：二氧化硅埋层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；漂移层下侧面连接至二氧化硅埋层的上侧面，漂移层上设有漏区；体区下侧面连接至二氧化硅埋层的上侧面，且体区的左侧面连接至漂移层的右侧面，所述体区上设有源区；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层下侧面分别连接所述漂移层上侧面以及体区上侧面；漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述漏区上侧面；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区上侧面；以及，栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极绝缘层，让器件工作时产生的热量直接通过源极金属层和漏极金属层散掉，而不会在器件底部聚集，进而延长了器件的使用寿命。
一种抑制纵向扩散横向功率碳化硅 mosfet

[发明专利]一种碳化硅沟槽刻蚀方法-CN202310081853.1在审
发明人：宋安英;李佳帅;张瑜洁 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅沟槽刻蚀方法，通过在存在微沟槽的沟槽底部进行高浓度离子注入使注入区的SiC非晶化，进而使用湿法溶液将非晶层去除，通过去除沟槽底部的非晶层可以得到圆滑的SiC沟槽；避免了复杂且耗时耗力的干刻工艺参数调整优化，在保证侧壁角度的同时改善了微沟槽的问题，放宽了工艺窗口。
一种碳化硅沟槽刻蚀方法

[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件的制造方法-CN202310086952.9在审
发明人：宋安英;张瑜洁 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底上形成外延层，在外延层上淀积阻挡层，蚀刻、离子注入，形成轻掺杂区、源极区以及重掺杂区；刻蚀外延层形成栅极区，氧化栅极区，形成栅氧层；光刻形成设定区域的光刻胶掩膜，湿法去除未被光刻胶覆盖区域的栅氧层，淀积形成肖特基接触金属，剥离得到肖特基接触界面；退火形成肖特基接触金属层；淀积形成介质层，光刻形成设定区域的光刻胶掩膜，去除未被光刻胶覆盖区域的介质层，形成隔离介质层；分别淀积形成多晶硅层、源极金属层、漏极金属层以及栅极金属层；可以防止发生双极退化效应导致的器件性能退化。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种电动汽车续航行驶里程的模拟检测系统-CN202310018077.0在审
发明人：陈彤;李志君;徐志勇 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01M17/007 文献下载
摘要：本发明公开了新能源汽车技术领域的一种电动汽车续航行驶里程的模拟检测系统，包括承载台、车辆测功装置、保温库、动力控制机构和六自由度液压平台，所述保温库为一个隔热的密封冷库，一侧设置了库门，其内部设置了照明灯和夜灯，外部设置了制冷设备，内部前侧还设置了冷气风道，所述冷气风道还与制冷设备的冷气出口连接，所述保温库前端还设置了暖风机，能够提供更安全更方便的方检测平台，通过本系统能够准确的模拟各种季节和行车环境，对纯电动新能源汽车的续航进行更全面更精准的测试。
一种电动汽车续航行驶里程模拟检测系统

[发明专利]一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET的制造方法-CN202310104840.1有效
发明人：张长沙;何佳;单体玮 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，离子注入，形成基区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，离子注入，形成源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，氧化，形成栅隔离层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，淀积金属，形成栅极金属层；清除阻挡层，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，设有寄生肖特基二极管，其导通压降要低于一般VDMOSFET中的寄生PN结二极管，可以降低在器件未导通时的损耗；并且栅极金属层和源极金属层相互交叉，可以增加器件的栅控能力。
一种交叉平面碳化硅 vdmosfet 制造方法

[发明专利]一种增加耐压能力的碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211003443.7有效
发明人：何佳;陈彤;张长沙;单体玮 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种增加耐压能力的碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的隔离区上生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，形成导电沟道区；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，以形成漏极源区和源极源区；在漏极源区和源极源区上分别淀积形成漏极金属层和源极金属层；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，氧化形成绝缘层；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，并进行刻蚀形成栅极金属淀积区；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，在栅极金属淀积区淀积，形成栅极金属层，清除所有阻挡层，可以在较小的面积上实现SiC LDMOSFET的耐压能力提高。
一种增加耐压能力碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法-CN202310258118.3在审
发明人：周海;施广彦;胡臻;何佳 -专利权人： 泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅MOSFET的制造方法，包括：取一碳化硅衬底，在碳化硅衬底上氧化生长一层二氧化硅埋层；在二氧化硅埋层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积形成漂移层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积体区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成两个通孔，通过通孔对漂移层和体区进行离子注入，形成漏区和源区；在源区和漏区淀积金属，形成源极金属层和漏极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化生长，形成栅极绝缘层；通过对栅极绝缘层淀积金属，形成栅极金属；去除所有阻挡层，使得工作时产生的热量通过金属层散掉，延长了器件的使用寿命。
一种抑制纵向扩散横向功率碳化硅 mosfet 制造方法

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