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[发明专利]用于制造单晶的晶体、特别是蓝宝石的方法-CN202180088104.0在审
发明人： G·巴巴里;R·艾伯纳;J·K·帕克;G·森 -专利权人： 法梅泰克有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造单晶的晶体、特别是蓝宝石的方法，其中，将单晶的种晶设置在具有柱体外罩形的坩埚壁(4)的坩埚(3)的底部区域中或构成所述坩埚(3)的底部并且将所述种晶的结晶学的c轴对应于所述坩埚的沿坩埚壁的高度方向延伸的纵轴线地定向，接着在所述种晶之上在所述坩埚中设置和熔化基础材料，通过在熔化的基础材料与所述种晶之间的边界层上的结晶沿所述c轴的方向逐步地进行晶体生长。
用于制造晶体特别是蓝宝石方法

[发明专利]用于生长人工制造的单晶、特别是蓝宝石单晶的装置-CN202180088170.8在审
发明人： G·巴巴里;R·艾伯纳;J·K·帕克;G·森 -专利权人： 法梅泰克有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长至少一种人工制造的单晶、特别是蓝宝石单晶的装置(1)，该装置包括：——至少一个坩埚壁(4)，所述坩埚壁(4)具有敞开的第一端部区域(5)和在纵轴线(7)的方向上与所述第一端部区域间隔开距离地设置的底部侧的第二端部区域(6)，其中，在关于所述纵轴线(7)的横截面中看由所述至少一个坩埚壁(4)限定坩埚壁内表面(8)，并且在坩埚壁厚度(10)方面与所述坩埚壁内表面间隔开距离地限定坩埚壁外表面(9)，——至少一个坩埚底部(12)，所述坩埚底部(12)布置在底部侧的第二端部区域(6)中，并且由所述坩埚壁(4)和所述坩埚底部(12)限定用于形成单晶的容纳空间(11)，其中，所述坩埚壁(4)在其整个延伸上具有保持不变的导热能力和/或相同的机械特性。
用于生长人工制造特别是蓝宝石装置