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[发明专利]碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件-CN202310749399.2在审
发明人：尹志鹏 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件，所述碳化硅外延用上半月加热座包括上座体，上座体底部开设有凹槽，凹槽呈圆形，凹槽的半径比衬底的半径大预设尺寸。所述碳化硅外延用石墨件包括下半月加热座和上述的上半月加热座，下半月加热座上侧开设有托盘槽，托盘槽呈圆形，内部适于放置衬底；上半月加热座盖设在下半月加热座上侧，凹槽与托盘槽对齐。本发明提供的碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件能够通过开设在上半月加热座上的凹槽，改变衬底上方的温度场，进而抑制3C‑SiC在衬底所在区域上方的上座体上的沉积，从根本上抑制掉落物的产生，最终降低碳化硅表面缺陷数量，提升碳化硅外延片以及器件良率。
碳化硅外延用上半月加热石墨

[发明专利]一种测量外延设备中基座水平度装置-CN202310510939.1在审
发明人：周晓辉;薛宏伟;袁肇耿;王刚;张志坡;冯聚坤;王凯达 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本申请提供一种测量外延设备中基座水平度装置。该装置包括安装底座、第一条形支架、第二支架、第三条形支架、测距传感器和控制器；安装底座安在外延设备的铁质底板上，第一条形支架安于安装底座上，平行第一平面，第一平面为安装底座上表面位于的平面；第二支架包括垂直第一平面的竖直支架和平行第一平面的水平支架，竖直支架与水平支架连接；水平支架位于第一条形支架上，且平行第一平面方向上滑动连接；第三条形支架与竖直支架垂直第一平面方向上滑动连接，和测距传感器固定连接；测距传感器用于测量待检测的基座与测距传感器的垂直距离；控制器用于基于垂直距离，确定待检测的基座的水平度。本申请能够提高基座的水平度的测量准确性。
一种测量外延设备基座水平装置

[发明专利]一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置-CN202310465096.8在审
发明人：苗凯;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;赵叶军;吴子凡 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请提供一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置。该工艺腔室包括基座、钟罩、至少两个测距传感器以及控制装置；基座位于钟罩内；基座的上表面为圆形；至少两个测距传感器设于基座上方，且位于钟罩外；至少两个测距传感器处于同一水平面，至少两个测距传感器在基座上的投影位置围绕基座的圆心分布，且到基座的圆心距离相同；至少两个测距传感器用于在基座旋转至少一圈的过程中，测量其到基座在竖直方向的多个距离，将多个距离发送到控制装置；控制装置用于根据多个距离，判断基座是否处于水平。本申请能够实现在钟罩安装完毕后对基座的水平状态进行监测，并提高对基座水平状态监测的精确度。
一种工艺基座水平监测方法控制装置

[发明专利]红外光谱仪测量外延层厚度的校准方法及校准片-CN202211541791.X有效
发明人：张佳磊;杜国杰;任丽翠;薛宏伟;张志勤 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种红外光谱仪测量外延层厚度的校准方法及校准片，其中，校准方法包括采用红外光谱仪测定目标标准片的实测外延厚度；基于目标标准片的实测外延厚度、红外光谱仪的预设的拟合线性方程，确定目标标准片的拟合厚度；其中，拟合线性方程为基于多个不同外延厚度的外延标准片的第一外延厚度、以及多个不同外延厚度的外延标准片的第二外延厚度进行拟合得到的，第一外延厚度为采用经过校准的平整度测试仪测试得到的，第二外延厚度为采用红外光谱仪测试得到的；当目标标准片的拟合厚度与目标标准片的第一外延厚度的差值大于第一预设阈值时，则采用目标标准片对红外光谱仪进行校准。本发明提供了红外光谱仪的校准标准，及用于校准的校准片。
红外光谱仪测量外延厚度校准方法

[发明专利]一种校准外延设备反应腔温度的方法-CN201911260102.6有效
发明人：赵丽霞;杨龙;吴会旺 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量外延设备反应腔温度的方法。所述方法包括如下步骤：向硅衬底中注入与其相反导电类型的离子，得测试衬底；将所述测试衬底放入外延设备的反应腔内，在氢气氛围下升温至预设温度，在预设温度保持预设时间后降温，测量所述测试衬底的方块电阻，计算外延设备反应腔的温度。本发明提供的外延设备反应腔温度测试和校准的方法，不仅实现了在900‑1410℃的温度区间内测量反应腔温度值和温场分布，而且还能够对不同设备之间反应腔的温度进行统一，避免了由于温度感应装置敏感程度不同导致的产品质量的差异，具有较高的准确性，从而提高了产品质量的稳定性和产品批间的稳定性，对于碳化硅产品的质量提高具有十分重要的意义。
一种校准外延设备反应温度方法

[实用新型]一种硅外延设备的托盘支撑结构-CN202223035809.7有效
发明人：冯聚坤 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅外延设备的托盘支撑结构，属于硅外延设备技术领域，转轴、三个支撑杆以及石英支撑柱；支撑杆沿转轴的周向均匀连接在转轴的外周壁上，石英支撑柱与支撑杆一一对应，且石英支撑柱固定在支撑杆的自由端；其特征在于，托盘支撑结构还包括若干耐磨套，耐磨套与石英支撑柱一一对应，且套设在石英支撑柱上；耐磨套为多边形结构；其中，耐磨套适于插入环形槽内，耐磨套的外周壁设有适于抵紧环形槽两侧壁的抵紧结构。通过耐磨套和抵紧结构的配合，能够填补石英支撑柱与环形槽内壁面之间的缝隙，进而减少石英支撑柱与托盘之间的滑动摩擦；通过上述设置，能够减少托盘横向滑动以及出现倾斜的情况，便于保证产品质量。
一种外延设备托盘支撑结构

[实用新型]衬底传输腔机械手冷却装置和衬底传输腔机械手-CN202222292772.X有效
发明人：贾军朋;王铁刚;张志坡;冯聚坤 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F25D17/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种衬底传输腔机械手冷却装置和衬底传输腔机械手，所述衬底传输腔机械手冷却装置包括两个冷却半环和安装组件，两个冷却半环呈对称设置，组成冷却环；每个冷却半环内部均设有导流槽，且均设有进水口和出水口，导流槽内适于流通冷却介质；安装组件分别与两个冷却半环连接，并适于与机械手连接；所述衬底传输腔机械手包括上述的衬底传输腔机械手冷却装置和驱动机构；驱动机构的端部设有连接法兰，衬底传输腔机械手冷却装置与连接法兰连接。
衬底传输机械手冷却装置

[实用新型]一种硅外延设备的石英安装总成-CN202222621069.9有效
发明人：冯聚坤;贾军朋 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅外延设备的石英安装总成，属于石英加工设备技术领域，包括基座环金属法兰以及上法兰，基座环金属法兰的内孔具有适于承托石英的承托台，上法兰的内孔具有凸台；承托台和凸台上均设有适于与石英接触的密封圈；石英安装总成还包括定位环和定位结构；定位环适于设在基座环金属法兰的内孔中；定位环上具有适于搭接在基座环金属法兰顶部的提拉部；定位结构的两端分别适于与基座环金属法兰和上法兰连接，以定位基座环金属法兰和上法兰之间的位置；通过定位环能够定位石英在基座环金属法兰上的安装位置，减少出现石英部分外周壁与基座环金属法兰内孔周壁接触的情况；能够减少出现石英因热应力不均而出现损坏的情况。
一种外延设备石英安装总成

[发明专利]一种半导体器件焊料喷涂装置-CN202110097910.6有效
发明人：刘波 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B23K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件焊料喷涂装置，包括焊接头和焊接主体；所述焊接头与所述焊机主体连接；所述焊接头包括设置于中心轴位置的活塞组件，包括环绕所述活塞组件的焊料补充腔和焊料加热腔，以及包括设置在所述活塞组件底部的喷涂预备腔；所述焊料加热腔顶部与所述焊料补充腔底部固定连接，所述喷涂预备腔顶部所述焊料加热腔底部固定连接；所述喷涂预备腔底部开设喷涂口，焊料从所述喷涂口被喷涂至外部；所述活塞组件包括活塞头和推动杆，所述活塞头与所述推动杆固定连接并在所述推动杆的推动下移动。本发明能够在每次喷涂焊料时，焊料量均相等。
一种半导体器件焊料喷涂装置

[实用新型]HCL气瓶防松装置和HCL气瓶-CN202221796413.1有效
发明人：史喜生;霍晓阳;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;孟祥鹏 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种HCL气瓶防松装置和HCL气瓶，所述HCL气瓶防松装置包括限位板、安装架和限位件；限位板中间设有适于与气瓶出气口的连接螺母卡接的卡孔，周圈设置的若干凸起；安装架适于与气瓶连接；限位件与安装架转动连接，并适于与凸起的一侧抵接，使限位板只能向凸起与限位件抵接侧的对侧转动，能够有效避免气瓶出气口连接螺母松动；HCL气瓶包括上述的HCL气瓶防松装置、瓶体、阀门和连接螺母；阀门与瓶体连接，连接螺母与阀门的出气口连接，适于将阀门的出气口与出气管密封连接；限位板与连接螺母卡接，安装架与阀门连接，限位件与安装架转动连接。
hcl 气瓶防松装置

[实用新型]压力变送器连接装置及硅外延尾气处理器-CN202121434537.0有效
发明人：康达;陈振魁;许斌武;王毅;孟祥鹏 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种压力变送器连接装置及硅外延尾气处理器，压力变送器连接装置包括三通连接管、压力变送器以及非反应气源，本实用新型实施例提供的压力变送器连接装置，通过设置压力变送器接口、气源接口以及尾气反应器接口，连通了压力变送器、非反应气源与尾气反应器，通入非反应气体作为保护气体，疏通压力变送器与尾气反应器的连接口的阻塞物，使尾气处理器工作压力稳定，提高了外延层表面质量。
压力变送器连接装置外延尾气处理器

[实用新型]顶压式HCL气瓶防松装置和HCL防松气瓶-CN202221802013.7有效
发明人：霍晓阳;史喜生;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;孟祥鹏 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： F17C1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种顶压式HCL气瓶防松装置和HCL防松气瓶，所述顶压式HCL气瓶防松装置包括限位板、安装架和限位件；限位板中间设有适于与气瓶出气口的连接螺母卡接的卡孔，周圈设置的若干抵压面；安装架适于与气瓶上的阀门连接；限位件与安装架螺纹连接，并适于与抵压面抵接，限制限位板转动；所述HCL防松气瓶包括上述的顶压式HCL气瓶防松装置、瓶体、阀门和连接螺母；阀门与瓶体连接，连接螺母与阀门的出气口连接，适于将阀门的出气口与出气管密封连接；限位板与连接螺母卡接，安装架与阀门卡接，限位件与安装架螺纹连接。
顶压式 hcl 气瓶防松装置松气

[发明专利]单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法-CN202210163715.3在审
发明人：袁肇耿;吴晓琳;王刚;王凯达;张晓博 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法，属于半导体制作技术领域，所述调整方法包括：将衬底基板放入反应腔，升温进行H2烘烤和HCl高温腐蚀抛光；再次通入H2，对所述反应腔吹扫清洁；调节五路进气管的针阀，使进气口对应的不同位置，分别通入预设流量的硅源及掺杂剂，在所述衬底基板上生长获得预设厚度及电阻率的外延单晶硅片。本发明提供的单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法，通过多路进气管，对应的在反应腔内设有多个进气口，由于进气点位的增加，在总进气量不变的情况下，提高了进气流量的精准度，从而能够提高外延片厚度的均匀性。
单片 cvd 外延工艺厚度一致性调整方法

[实用新型]用于半导体材料沉积设备的移动装置-CN202221455804.7有效
发明人：张倩;高卫;王刚;王铁钢;袁肇耿;薛宏伟 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体材料沉积设备的移动装置，包括安装座、上滑移件、下滑移件、双向伸缩件、沉积件以及支撑件，安装座设有立板以及位于立板顶部的顶板，立板上设有两个分别沿上下方向延伸的滑轨；上滑移件和下滑移件均滑动连接于两个滑轨上；双向伸缩件具有与顶板相连的上伸缩端以及与下滑移件相连的下伸缩端；沉积件连接于上滑移件上，沉积件具有上下贯通的滑动孔，沉积件的上端具有用于承托晶圆的支杆；滑杆滑动连接于滑动孔内，加热板设置于滑杆的上端用于加热晶圆，滑杆的下端与下滑移件相连。本实用新型提供的用于半导体材料沉积设备的移动装置，能够使双向伸缩件稳定伸缩，保证晶圆上沉积材料的均匀性。
用于半导体材料沉积设备移动装置

[实用新型]单片CVD外延炉的进气结构及单片CVD外延炉-CN202220363505.4有效
发明人：吴晓琳;王刚;冯聚坤;贾君鹏;谷鹏 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单片CVD外延炉的进气结构及单片CVD外延炉，属于硅外延技术领域，包括进气管组、分流导流槽、两个进气导流槽及承载导流槽。进气管组包括一中心进气管及对称分布于中心进气管两侧的外进气管；分流导流槽用于连接进气管组，分流导流槽的中间设有两个连通中心进气管的中分流孔，分流导流槽的两侧设有连通外进气管的外进气孔；进气导流槽上设有与各中分流孔及各外进气孔一一对应连通的中通气道和外通气道；承载导流槽具有加热腔、合流两个中通气道的中进气口及对应连通各外通气道的外进气口。本实用新型通过设置至少三路进气管，扩展气流调整的空间和范围，提升外延片生长厚度的一致性，从而改善器件的离散度。
单片 cvd 外延结构

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