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[发明专利]一种去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法-CN202310837438.4在审
发明人：汤欢;郑向光;崔景光;闫兰;李雪涛 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：一种去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗技术领域，对碳化硅清洗用卡塞进行清洗处理，以保证使用中的卡塞洁净，有效减少因卡塞脏污造成的边缘颗粒、金属离子残留的脏污问题，同时有效延长了卡塞的使用周期，降低了成本。所述去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法中，通过对卡塞进行清洗处理能够有效去除卡塞脏污导致的晶圆边缘颗粒聚集、金属离子超标等脏污问题，从而有效减少了因脏污导致的返工，提升了合格率，同时延长了卡塞使用周期，降低了清洗成本，并且可使用在线的清洗设备进行不需引进新设备新药液，清洗方法简单，节省空间，节约成本同时避免了二次污染。
一种去除清洗用卡塞产生边缘脏污方法

[发明专利]低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法-CN202310823643.5在审
发明人：杨昆;郑向光;路亚娟;刘新辉;李扬 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法，涉及碳化硅单晶制备技术领域。所述低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法中，首先，将钽、铌金属网在含碳气氛下进行碳化，以形成碳化钽或碳化铌网；其次，将碳化钽或碳化铌网置于物理气相传输方法的原料与籽晶间，并替代多孔石墨材料，使碳化钽或碳化铌网能够耐受高温下富硅组分的腐蚀，且在过滤原料碳化产生的碳颗粒的同时，不会由于自身被腐蚀产生新的碳颗粒，以能够有效降低碳化硅单晶内的包裹物密度。
包裹密度碳化硅生长方法

[发明专利]一种应用于碳化硅单晶衬底的加工方法-CN202310566530.1在审
发明人：崔景光;汤欢;薛晓晚 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种应用于碳化硅单晶衬底的加工方法，涉及半导体加工技术领域，其能够有效提高碳化硅衬底的加工质量，以使加工表面更均匀平滑，并有效提高单个晶锭的出片率，同时保证工艺的优化与匹配，进而有效提高生产效率，最终提升产能。所述应用于碳化硅单晶衬底的加工方法中，依次包括以下步骤：激光切割，轮磨，倒角，双抛，以及化学机械抛光。
一种应用于碳化硅衬底加工方法

[发明专利]碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法-CN202211357128.4有效
发明人：汤欢;崔景光;李雪涛;高彦静;程笑媛 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法，涉及碳化硅清洗技术领域，其能够动态管控清洗工艺，根据实时数据进行计算并及时优化在线工艺。所述碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法中，包括RCA清洗；其中，通过对SC1的配比及颗粒数量进行匹配及模拟，得到一个动态公式：y为NH4OH：H2O2的体积比，x为颗粒数量、且30≤x＜100，公式中的其它字母为常数，具体数值如下：y0为‑9.103、xc为150.982、w为715.48、A为9214.501；具体地，根据动态公式及客户需求，并根据颗粒数量进行如下处理：当30≤颗粒数量＜100个，根据动态公式进行药液配比调整。
碳化硅表面颗粒动态清洗方法

[发明专利]单体定向切割碳化硅的方法-CN202210533276.0有效
发明人：刘凯辉;崔景光;崔盼兴;刘娇;马林;卓欢 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。
单体定向切割碳化硅方法

[发明专利]晶体的偏置切割方法-CN202210161118.7有效
发明人：李永超;崔景光;曹宝红;王冬旭;崔盼兴;赵焕君 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司;河北同光科技发展有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：一种晶体的偏置切割方法，涉及晶体切割技术领域，用于解决现有技术中晶体的切割方法容易造成碎片，也即开裂率较高的技术问题。所述晶体的偏置切割方法，在晶体材料的摇摆切割过程中，使晶体材料倾斜偏置一定角度，以减小切割机的切割线对切成晶片位置的冲击力；并且，晶体材料倾斜偏置的方向与切割机的切割线运行走向相同。该晶体的偏置切割方法，能够有效减小切割机的切割线对切成晶片位置的冲击力，换言之，如此切割能够使已切割成片位置更接近临界位置，从而增加已切割成片位置的耐冲击能力，进而有效避免碎片现象以降低开裂率；与此同时，在偏置并不断摇摆的情况下进行切割，再次减小了切割面积，从而有效提高了切割效率，改善了切割平整度。
晶体偏置切割方法

[发明专利]一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法-CN202211179694.0在审
发明人：高彦静;崔景光;李雪涛;汤欢;程笑媛 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，涉及碳化硅加工技术领域，用于解决现有技术中需重复整个圆周倒角而导致的倒角过量，以及效率低、合格率低的技术问题。所述改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，包括以下步骤：采用光学显微镜对倒角边缘进行尺寸和位置检测；识别毛边及所述毛边的相应坐标；针对所述毛边的坐标区域进行边缘修整。本发明提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，通过针对性地精准定位倒角，从而有效提高倒角修整效率，减少了重复整个圆周倒角导致的倒角过量的现象，进而提高了倒角的合格率和精准率，进而有效提升了工作效率。
一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量方法

[发明专利]一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法-CN202211183346.0在审
发明人：汤欢;崔景光;李雪涛;高彦静;闫兰;刘少华;程笑媛;刘庆;薛晓晚;刘娇 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和无机物，再去除表面残留药液和颗粒，最后去除表面的金属离子；初级筛选：将宏观不合格崩边和/或六角孔洞，作降级处理，不再进入下一环节；RCA常规清洗：采用SC1清洗液30～80℃浸透清洗，使用去离子水冲洗，采用SC2清洗液65～85℃浸透清洗，使用去离子水冲洗；缺陷检测：进行平整度、粗糙度、表面缺陷的参数指标检测；二级筛选：合格则为优级品，不合格则降级为不合格品。
一种提升时效碳化硅清洗检测方法

[发明专利]一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法-CN201910350026.1有效
发明人：牛晓龙;杨昆;张福生;刘新辉;路亚娟 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法，属于晶体生长领域，该方法采用了高温时与氮元素发生化学反应的除氮物质，所形成的氮化物在碳化硅合成温度范围内以稳定的形态存在，有效避免氮杂质进入碳化硅晶格中，突破了目前传统的碳化硅原料合成方式，实现了低氮含量的碳化硅原料合成，其氮含量低于2×1016个/cm3，该原料尤其适于高纯半绝缘SiC单晶的生长。
一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量方法

[发明专利]高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置-CN202210533381.4在审
发明人：王亚川;赵华利;白剑铭;黄灿;杨德志 -专利权人： 河北同光半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：一种高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置，涉及高纯半绝缘碳化硅晶体包裹物测量技术领域，其相对于现有的切割抛光后累计检测方法，消除了损毁部分厚度段的包裹物数量且弥补了破坏性检验带来的效率低及不良影响因素。所述高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置中，利用高纯碳化硅晶体本身高透光性，且包裹物对光的散射效应；与此同时，采用平行强光在晶体侧面射入，遇到晶体包裹物反射给数字高速成像设备进行捕捉，最终合成包裹物在晶体内部的分布图。
高纯碳化硅晶体包裹检测方法装置

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