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[发明专利]一种基于离轴磁场传感器阵列的表盘读数感应装置及方法-CN202311095628.X在审
发明人：刘明;徐贵兴;呼玉;刘启;沈律康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于离轴磁场传感器阵列的表盘读数感应装置及方法，涉及角度检测技术领域，包括：离轴磁场源固定在刚性支撑结构上，随旋转轴绕轴转动；多个磁场传感器构成磁场传感器阵列，固定在离轴的任意空间范围内；信号处理单元用于将磁场源信号处理；计算角度方法包括基于实测数据集或理论数据集训练K‑Means聚类并重定义类别为角度计算求解角度；以及基于理论推导传感器元件之间输出关系求解模型参数，根据实测数据集，更新模型参数实现自适应任意模型参数并求解角度。本发明通过离轴传感器阵列对随轴转动的离轴磁场源激励的响应信号，实现基准角度定位和角度测量，能够在小角度范围内有效检测快速转动指针的旋转角度。
一种基于磁场传感器阵列表盘读数感应装置方法

[发明专利]一种压电电容式的MEMS电场传感器-CN202310775117.6在审
发明人：刘明;白雪;金靓;胡天翼;沈律康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电电容式的MEMS电场传感器，包括压电薄膜、感应介质阵列、平板电容组、绝缘层和衬底；所述衬底上方覆盖绝缘层，所述平板电容组包括多个并联的平行板电容，平板电容组设置在绝缘层的顶部，平板电容组的一端接地，另一端接电压源，感应介质阵列悬置在平板电容组的顶部，感应介质阵列顶部与压电薄膜连接，感应介质阵列的底部伸入至各平行板电容中；该MEMS电场传感器通过测量输出电容检测电场变化，增大电场的测量范围，并且该MEMS电场传感器通过设置梳齿型的接地电极和终端电极，提高MEMS电场传感器的灵敏度，此外该MEMS电场传感器结构简单，具有较高的使用价值和推广价值。
一种压电电容 mems 电场传感器

[发明专利]一种压电驱动的MEMS型电场传感器-CN202310271318.2有效
发明人：刘明;白雪;金靓;胡天翼;沈律康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电驱动的MEMS型电场传感器，包括衬底、弹性梁、多级压电驱动结构和互屏蔽电极，在弹性梁的两侧设置互屏蔽电极，弹性梁的两端分别设置有多级压电驱动结构，衬底表面形成有基坑，基坑为互屏蔽电极提供振动变形空间，弹性梁悬置在基坑的上方，弹性梁的两端与衬底的顶部固接；采用多级压电驱动结构能够有效增强其对可动电极的驱动能力，多级压电驱动结构的长度大于可动电极的长度，压电驱动结构的长度越长，相同驱动电压下自由端位移越大，因此能够有效减小MEMS型电场传感器的驱动电压以及功耗。
一种压电驱动 mems 电场传感器

[发明专利]一种压电驱动的水平谐振式微型电场传感器及其工作方法-CN202211481799.1有效
发明人：刘明;金靓;白雪;胡天翼;沈律康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明涉及电场传感器领域，具体公开了一种压电驱动的水平谐振式微型电场传感器及其工作方法，感应电极固定设置；屏蔽电极平行设置于感应电极的一侧；屏蔽电极的两侧均设有压电驱动结构；压电驱动结构包括支撑梁、第一压电驱动梁和第二压电驱动梁，支撑梁固定设置于屏蔽电极的一侧，第一压电驱动梁和第二压电驱动梁对称分布于支撑梁两侧，第一压电驱动梁的一端与支撑梁连接，第一压电驱动梁的另一端与屏蔽电极连接，第二压电驱动梁的一端与支撑梁连接，第二压电驱动梁的另一端与屏蔽电极连接。本发明传感器的驱动方式为压电驱动，工作模式为水平谐振模式，解决了现有技术中压电驱动方式无法用于水平谐振式电场传感器的问题。
一种压电驱动水平谐振式微电场传感器及其工作方法

[发明专利]一种压电驱动的旋转式微型电场传感器及其工作方法-CN202211474099.X有效
发明人：刘明;金靓;白雪;胡天翼;沈律康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明涉及电场传感器领域和MEMS领域，具体公开了一种压电驱动的旋转式微型电场传感器及其工作方法，基板上开设有第一圆孔，第一感应电极和第二感应电极在第一圆孔的外周依次交错间隔排列；环形支撑板同轴设置于第一圆孔中，若干个压电驱动单元设置于环形支撑板表面并沿环形支撑板的周向均匀分布；环形支撑板的外缘和第一圆孔之间在每个压电驱动单元正对的位置连接有支撑梁；屏蔽电极设置于基板的一侧，摩擦部与所有压电驱动单元相接触，屏蔽部用于对第一感应电极和第二感应电极进行周期性屏蔽；盖板与基板连接，屏蔽电极位于盖板与基板之间并与盖板相抵。本发明传感器能够利用MEMS工艺进行制备，体积相对较小。
一种压电驱动旋转式微电场传感器及其工作方法

[发明专利]一种具有弯曲稳定性的LiFe₅O₈纳米柱阵列薄膜及其制备方法-CN201811604954.8在审
发明人：刘明;蓝国华;沈律康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及纳米结构薄膜材料领域，涉及一种具有弯曲稳定性的LiFe₅O₈纳米柱阵列薄膜及其制备方法，包括以下步骤：采用脉冲激光沉积技术在基片上进行陶瓷靶材外延复合纳米薄膜的生长；所述陶瓷靶材为LiFe₅O₈:MgO陶瓷靶材；生长结束后，进行退火处理，最后降至室温，得到LF₁M_X复合纳米薄膜，其中LF₁M_X表示(LiFe₅O₈)₁:(MgO)_X，_X的数值范围是2～4；将LF₁M_X复合纳米薄膜中的MgO相去除，得到具有弯曲稳定性的LiFe₅O₈纳米柱阵列薄膜。本发明采用脉冲激光沉积技术和材料自成核现象，制得LF₁M_X复合纳米薄膜，通过去除LF₁M_X复合纳米薄膜中的MgO相，实现LiFe₅O₈纳米柱阵列的制备。本发明具有成本低，制备简单，同时获得形状规整的高质量纳米柱阵列的特点。
复合纳米薄膜纳米柱阵列制备弯曲稳定性陶瓷靶材薄膜脉冲激光沉积技术去除纳米结构薄膜材料领域退火处理规整生长